公开(公告)号：KR1020080086779A

公开(公告)日：2008-09-26

申请号：KR1020070028908

申请日：2007-03-23

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  한국과학기술원

Inventor： 김대관 ,  전영현 ,  권종형 ,  이웅섭 ,  조동호 ,  홍철기 ,  김휴대 ,  김주엽 ,  이헌주 ,  최식 ,  이호원 ,  윤세영

IPC: H04B7/26

CPC classification number: H04L1/0029 ,  H04B17/24 ,  H04L1/0003 ,  H04L1/0009 ,  H04L1/0015 ,  H04W28/06

Abstract: An apparatus and a method for transmitting/receiving CQI(Channel Quality Indication) in a communication system are provided to transmit/receive a CQI by using an average CQI method by MS(Mobile Station) group having a spatial association. A BS(Base Station)(200) searches MSs which are located within a certain range and have similar slow fading characteristics and groups them(208), and transmits a group_CQI_pair message to the first MS(202) among the MSs belonging to the group. Upon receiving the group_CQI_pair message, the first MS generates an ACK message indicating that the group_CQI_pair message has been received without an error, and transmits it to the BS(210). The BS transmits the group_CQI_pair message to the second MS(204)(212). The second MS transmits the ACK message and transmits it to the BS(214). The BS transmits the group_CQI_pair message to the nth MS(206)(216). The nth MS transmits the ACK message to the BS(218). When the first MS is designated as a representative terminal, it generates an average CQI and generates and transmits a CQI_feedback message to the BS(220). When the second MS is designated as a representative terminal, it generates a CQI_feedback message including an average CQI and transmits it to the BS(222). When the nth MS is designated as a representative terminal, it generates a CQI_feedback message including an average CQI and transmits it to the BS(224). When the first MS is designated as a representative terminal, it generates a CQI_feedback message including an average CQI and transmits it to the BS(226).

Abstract translation: 提供一种用于在通信系统中发送/接收CQI（信道质量指示）的装置和方法，以通过使用具有空间关联的MS（移动台）组的平均CQI方法来发送/接收CQI。 BS（基站）（200）搜索位于一定范围内的MS并具有类似的缓慢衰落特性并对其进行分组（208），并且向属于该组的MS中的第一MS（202）发送group_CQI_pair消息 。 在接收到group_CQI_pair消息时，第一MS生成指示已经接收到group_CQI_pair消息而没有错误的ACK消息，并将其发送到BS（210）。 BS向第二MS（204）发送group_CQI_pair消息（212）。 第二MS发送ACK消息并将其发送到BS（214）。 BS向第n个MS（206）发送group_CQI_pair消息（216）。 第n个MS向BS发送ACK消息（218）。 当第一MS被指定为代表性终端时，它生成平均CQI，并产生并发送CQI_反馈消息给BS（220）。 当第二MS被指定为代表性终端时，生成包括平均CQI的CQI_反馈消息并将其发送到BS（222）。 当第n个MS被指定为代表性终端时，它产生包括平均CQI的CQI_反馈消息并将其发送到BS（224）。 当第一MS被指定为代表性终端时，生成包括平均CQI的CQI_反馈消息并将其发送到BS（226）。

公开(公告)号：KR1020080016122A

公开(公告)日：2008-02-21

申请号：KR1020060077813

申请日：2006-08-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유형식 ,  김민수 ,  전영현

IPC: G01K7/00

Abstract: A CMOS temperature sensor is provided to measure temperature with simple process and circuit by preventing complication of circuit according to the increase of sensing temperature. A CMOS temperature sensor comprises a current supply unit(200), a current mirror unit(330), and a differential amplifiers(350). The current supply unit generates a first current(I1) proportional to temperature. The current mirror unit outputs output current(Iout) by mirroring the first current. The differential amplifier receives n distribution voltages(V1,V2,V3) generated by the output current and control voltage(Vcon) which is free from temperature and outputs n output currents(Vout1,Vout2,Vout3). The differential amplifier detects temperature at which n distribution voltages have the same value as the control voltage, and outputs the output voltage differentially amplified above the detected temperature. The current mirror unit includes a current mirror(331) and a voltage distributor(341). The current mirror outputs the output current having the same value as the first current. The voltage distributor distributes the output end voltage of the current mirror by using the output current.

Abstract translation: 提供CMOS温度传感器，通过简单的处理和电路测量温度，通过防止感应温度升高对电路的复杂化。 CMOS温度传感器包括电流源单元（200），电流镜单元（330）和差分放大器（350）。 电流供应单元产生与温度成比例的第一电流（I1）。 电流镜单元通过镜像第一个电流输出输出电流（Iout）。 差分放大器接收由输出电流产生的n个分配电压（V1，V2，V3）和无温度的输出电压（Vcon），输出n个输出电流（Vout1，Vout2，Vout3）。 差分放大器检测n个分配电压与控制电压的值相同的温度，并输出在检测温度以上差分放大的输出电压。 电流镜单元包括电流镜（331）和电压分配器（341）。 电流镜输出具有与第一电流相同值的输出电流。 电压分配器通过使用输出电流分配电流镜的输出端电压。

公开(公告)号：KR100712555B1

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：KR1020060047529

申请日：2006-05-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이호석 ,  이재구 ,  전영현

IPC: G05F3/26

Abstract: 기준전류 발생방법 및 이를 이용하는 전류 기준회로가 개시된다. 상기 기준전류 발생방법 및 전류 기준회로는, 온도변화에 따른 보상을 위해 피모스 트랜지스터와 엔모스 트랜지스터 간의 이동도(mobility) 차이, 즉 피모스 트랜지스터의 온도에 따른 전류 특성과 엔모스 트랜지스터의 온도에 따른 전류 특성 간의 차이를 이용한다. 따라서 PTAT(proportional to absolute temperature) 전류성분을 생성하는 회로와 CTAT(counter proportional to absolute temperature) 전류성분을 생성하는 회로를 필요로 하지 않는다. 따라서 반도체 집적회로로 구현시 칩 면적이 작아지는 장점이 있다. 또한 상기 기준전류 발생방법 및 전류 기준회로는 저항을 사용하지 않고 CMOS 만으로 구현되므로 저항에 의한 mis-match나 PVT(Process, Voltage, Temperature) 변화율(variation) 등 외부 환경에 대한 변화율을 감소시킬 수 있는 장점이 있다.

Abstract translation: 公开了一种参考电流产生方法和使用其的参考电流电路。 参考电流生成方法和电流参考电路被配置为根据PMOS晶体管和NMOS晶体管之间的迁移率的差异（即，根据PMOS晶体管温度的电流特性）生成参考电流和电流参考电路， Lt电流特性。 因此，不需要电路产生与绝对温度成比例的（PTAT）电流分量和产生CTAT（与绝对温度成反比）电流分量的电路。 因此，具有当实施半导体集成电路时芯片面积减小的优点。 此外，所产生的参考方法的电流和不具有电阻器的电流基准电路与因能够减少对环境的变化率如电阻失配或PVT（过程，电压，温度）的变化（变化量）的比率的唯一的CMOS实现 有优点。

公开(公告)号：KR1020060062921A

公开(公告)日：2006-06-12

申请号：KR1020040101925

申请日：2004-12-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황형렬 ,  전영현

IPC: G11C5/14

CPC classification number: G11C5/14 ,  G11C5/145 ,  G11C5/143 ,  G11C7/12 ,  G11C8/08

Abstract: The circuit has a high voltage level detector (12) to detect a level of a high voltage to generate a high voltage level detection signal. A control signal generator generates three pumping control signals in response to the high voltage level detection signal. A voltage generator pumps a boost node in response to pumping control signals from the control signal generator to generate two high voltages.

公开(公告)号：KR100555568B1

公开(公告)日：2006-03-03

申请号：KR1020040061090

申请日：2004-08-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신상웅 ,  김철수 ,  전영현 ,  이상보

IPC: G11C7/08

CPC classification number: G11C7/06 ,  G11C11/4091 ,  G11C2207/005 ,  G11C2207/065

Abstract: 온/오프 제어가 가능한 로컬 센스 증폭 회로를 구비하는 반도체 메모리 장치가 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 반도체 메모리 장치는 복수개의 메모리 셀 어레이 블록들, 비트라인 센스 증폭 회로, 로컬 센스 증폭 회로, 데이터 센스 증폭 회로 및 제어부를 구비한다. 제어부는 제 1 신호 및 제 2 신호에 응답하여 상기 로컬 센스 제어 신호를 일정한 시간동안만 활성화시킨다. 상기 제 1 신호는 상기 비트라인 센스 증폭 회로를 활성화시키는 비트라인 센스 인에이블 신호이며, 상기 로컬 센스 증폭 회로는 상기 비트라인 센스 인에이블 신호가 활성화 된 후 일정 시간동안만 활성화된다. 상기 제 2 신호는 상기 비트라인 쌍과 상기 로컬 입출력 라인 쌍을 연결하는 칼럼 선택 라인 신호와 동시에 활성 또는 비활성 된다. 본 발명에 따른 반도체 메모리 장치는 동작 조건에 따라 로컬 센스 증폭 회로를 온/오프(on/off) 시킬 수 있으므로 tRCD의 향상과 더불어 소비 전류를 감소시키는 장점이 있다. 또한, 로컬 센스 증폭 회로와 데이터 독출 동작시 프리차지 및 등화 동작이 필요없는 전류형 데이터 센스 증폭 회로를 결합함으로써 동작 속도를 개선할 수 있는 장점이 있다.

公开(公告)号：KR100532431B1

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：KR1020030027076

申请日：2003-04-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황상준 ,  전영현 ,  강경우 ,  장성진

IPC: G11C7/10

CPC classification number: G11C7/1048 ,  G11C2207/105

Abstract: 부정합되는 온-다이 터미네이션 회로 및 터미네이션 방법이 개시된다. 본 발명은 메모리 장치에 내장된 온-다이 터미네이션 회로에 관한 것으로, 외부로부터 제공되는 전송 라인들과 각각 연결되는 DQ 패드, DQS 패드 및 DM 패드는 직렬 연결된 저항 및 엔모스 트랜지스터와 연결된다. 엔모스 트랜지스터는 액티브 모드 또는 기입 모드일 때 활성화되는 터미네이션 제어 신호에 응답하여 턴온된다. DQ, DQS 또는 DM 패드로 데이터 수신시, 각 패드에서 바라보이는 저항의 저항 값 200Ω과 엔모스 트랜지스터의 온-저항 값 100Ω의 합이 전송 라인의 임피이던스 값 50Ω 내지 60Ω과 부정합(mismatch)된다. 이에 따라 본 발명에 의하면, DQ, DQS 또는 DM 패드로의 신호 수신시에만 온-다이 터미네이션을 활성화시키기 때문에 전력 소모를 줄이고, 전송 라인의 임피이던스 값과 패드의 임피이던스 값을 부정합시켜 로직 로우레벨로의 신호 천이시 나타나는 니이(knee) 현상을 없앤다.

公开(公告)号：KR100518598B1

公开(公告)日：2005-10-04

申请号：KR1020030077392

申请日：2003-11-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신호근 ,  전영현

IPC: G11C15/00

CPC classification number: G11C29/08 ,  G11C15/00

Abstract: 캠 셀 어레이의 결함 여부 테스트가 가능한 캠 및 캠 셀 어레이의 결함 여부 테스트 방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 캠은 복수개의 캠 셀들을 구비하는 캠 셀 어레이 및 매치라인 상태 저장부를 구비한다. 매치라인 상태 저장부는 동일한 워드 라인과 매치 라인을 공유하는 상기 캠 셀들의 상기 워드 라인과 상기 매치 라인에 연결되며 상기 매치 라인의 논리 레벨에 따라 저장된 데이터의 논리 레벨이 변화되는 복수개의 상태 셀들을 구비한다. 캠은 상기 상태 셀들에 저장된 데이터를 독출함에 의하여 상기 캠 셀 어레이의 결함을 파악한다. 상기 상태 셀들은 상기 캠 셀 어레이에 결함이 존재하지 아니하는 경우 상기 상태 셀들에 저장된 데이터가 모두 일치한다. 본 발명에 따른 캠 및 캠 셀 어레이의 결함 여부 테스트 방법은 매치 라인 상태 저장부를 이용하여 종래의 우선 순위 엔코더를 이용하여 캠 셀 어레이의 결함 여부를 테스트하는 방법보다 테스트 시간을 줄일 수 있는 장점이 있다. 또한, 캠 셀의 각각의 결함 여부를 간단하게 테스트 할 수 있어 테스트 효율을 높일 수 있는 장점이 있다.

公开(公告)号：KR1020050042609A

公开(公告)日：2005-05-10

申请号：KR1020030077392

申请日：2003-11-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신호근 ,  전영현

IPC: G11C15/00

CPC classification number: G11C29/08 ,  G11C15/00

Abstract: 캠 셀 어레이의 결함 여부 테스트가 가능한 캠 및 캠 셀 어레이의 결함 여부 테스트 방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 캠은 복수개의 캠 셀들을 구비하는 캠 셀 어레이 및 매치라인 상태 저장부를 구비한다. 매치라인 상태 저장부는 동일한 워드 라인과 매치 라인을 공유하는 상기 캠 셀들의 상기 워드 라인과 상기 매치 라인에 연결되며 상기 매치 라인의 논리 레벨에 따라 저장된 데이터의 논리 레벨이 변화되는 복수개의 상태 셀들을 구비한다. 캠은 상기 상태 셀들에 저장된 데이터를 독출함에 의하여 상기 캠 셀 어레이의 결함을 파악한다. 상기 상태 셀들은 상기 캠 셀 어레이에 결함이 존재하지 아니하는 경우 상기 상태 셀들에 저장된 데이터가 모두 일치한다. 본 발명에 따른 캠 및 캠 셀 어레이의 결함 여부 테스트 방법은 매치 라인 상태 저장부를 이용하여 종래의 우선 순위 엔코더를 이용하여 캠 셀 어레이의 결함 여부를 테스트하는 방법보다 테스트 시간을 줄일 수 있는 장점이 있다. 또한, 캠 셀의 각각의 결함 여부를 간단하게 테스트 할 수 있어 테스트 효율을 높일 수 있는 장점이 있다.

公开(公告)号：KR1020050032892A

公开(公告)日：2005-04-08

申请号：KR1020030068878

申请日：2003-10-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 곽진석 ,  전영현 ,  장성진 ,  이상보 ,  박민상 ,  김철수

IPC: G11C11/40

Abstract: A semiconductor memory device capable of reading and writing simultaneously is provided to apply a read command of another bank at the next clock after a write command of one bank is applied. According to the semiconductor memory device comprising a number of banks, a bank address buffer(210) latches a bank address. An address buffer(220) latches a column address and a row address. A decoder is comprised in each bank, and decodes addresses using the bank address buffer and the address buffer. A memory cell array(300) comprises a number of banks, and stores data. An output data path outputs data stored in the memory cell array to an input/output pin through an output buffer. And an input data path inputs data of an input buffer inputted from the external through the input/output pin to the memory cell array, and is separated from the output data path.

Abstract translation: 提供能够同时进行读取和写入的半导体存储器件，以在施加一个存储体的写入命令之后，在下一个时钟施加另一个存储体的读取命令。 根据包括多个存储体的半导体存储器件，存储体地址缓冲器（210）锁存存储体地址。 地址缓冲器（220）锁存列地址和行地址。 解码器包含在每个存储体中，并且使用存储体地址缓冲器和地址缓冲器解码地址。 存储单元阵列（300）包括多个存储体并存储数据。 输出数据路径通过输出缓冲器将存储在存储单元阵列中的数据输出到输入/输出引脚。 并且输入数据路径将从外部通过输入/输出引脚输入的输入缓冲器的数据输入到存储单元阵列，并且与输出数据路径分离。

公开(公告)号：KR100455389B1

公开(公告)日：2004-11-06

申请号：KR1020020034142

申请日：2002-06-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장성진 ,  전영현

IPC: G11C5/14

CPC classification number: H02M3/07 ,  G11C5/145 ,  H02M2001/0041 ,  H02M2001/009 ,  H02M2003/071

Abstract: Devices, circuits and methods for dual voltage generation using a single charge pump. The dual voltages can be the same or different, as they are for two different components of a device. An oscillator generates an oscillating signal, and a charge pump generates a pumping voltage at a pumping node responsive to the oscillating signal. A first switching circuit is coupled to the pumping node, and outputs from the pumping voltage a first voltage to the first component. A second switching circuit is coupled to the pumping node, and outputs from the pumping voltage a second voltage to the second component. The first and second output voltages may optionally be sensed. The oscillator may be triggered and the first and second switching circuits may be controlled as needed to maintain the sensed first and second voltages at desired values and/or ranges.

Abstract translation: 使用单个电荷泵生成双电压的器件，电路和方法。 双电压可以是相同的或不同的，因为它们用于设备的两个不同组件。 振荡器产生振荡信号，并且电荷泵在响应于振荡信号的泵浦节点处产生泵浦电压。 第一开关电路耦合到激励节点，并且从泵激电压输出第一电压到第一组件。 第二开关电路耦合到泵浦节点，并且从泵浦电压输出第二电压到第二组件。 第一和第二输出电压可以可选地被感测。 可以触发振荡器，并且可以根据需要控制第一和第二开关电路，以将感测的第一和第二电压维持在期望的值和/或范围。