公开(公告)号：KR3007043110000S

公开(公告)日：2013-08-08

申请号：KR3020120060537

申请日：2012-12-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 이선영 ,  김준세 ,  정원석 ,  윤상원

公开(公告)号：KR1020130060914A

公开(公告)日：2013-06-10

申请号：KR1020110127225

申请日：2011-11-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정원종 ,  정선옥 ,  정원석 ,  박진성 ,  김준호 ,  남궁각

IPC: C12Q1/68 ,  G01N33/52 ,  G01N21/64

CPC classification number: B01L3/502715 ,  B01L2300/0654 ,  B01L2300/0816 ,  G01N21/6452 ,  G01N2021/0314 ,  G01N2021/0325 ,  G01N2021/058 ,  G01N2021/6463

Abstract: PURPOSE: A gene analysis apparatus is provided to increase intensity of a fluorescence light by bioreaction. CONSTITUTION: A gene analysis apparatus comprises: an illuminating optical system for irradiating a sample solution with an excitation light; a microfluidic device(110) comprising one or more microchambers(115) with a reflection pattern; a detection optical system comprising a photodetector for detecting a fluorescence light generated by bioreaction in the microchambers. The microfluidic device is formed of a silicon substrate material or a polymer material.

Abstract translation: 目的：提供一种通过生物反应增加荧光强度的基因分析装置。 构成：基因分析装置包括：用激发光照射样品溶液的照明光学系统; 包括具有反射图案的一个或多个微室（115）的微流体装置（110） 检测光学系统，包括用于检测由微室中的生物反应产生的荧光的光电检测器。 微流体装置由硅衬底材料或聚合物材料形成。

公开(公告)号：KR3006841200000S

公开(公告)日：2013-03-08

申请号：KR3020120060507

申请日：2012-12-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 이선영 ,  정원석 ,  김준세 ,  윤상원

公开(公告)号：KR3006841160000S

公开(公告)日：2013-03-08

申请号：KR3020120060450

申请日：2012-12-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 이선영 ,  김준세 ,  이창호 ,  윤상원 ,  정원석

公开(公告)号：KR3006838900000S

公开(公告)日：2013-03-08

申请号：KR3020120060488

申请日：2012-12-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 이선영 ,  김준세 ,  정원석 ,  윤상원

公开(公告)号：KR3006800400000S

公开(公告)日：2013-02-08

申请号：KR3020120041435

申请日：2012-08-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 명지은 ,  이선영 ,  정원석 ,  윤상원

公开(公告)号：KR3006798180000S

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：KR3020120048187

申请日：2012-10-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 정원석 ,  이창호

公开(公告)号：KR101195612B1

公开(公告)日：2012-10-29

申请号：KR1020060032413

申请日：2006-04-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 심저영 ,  유규태 ,  이규상 ,  정원석 ,  조연자 ,  유창은

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/335 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78 ,  G01N27/4145

Abstract: 본 발명은 반도체 재료로 구성된 기판; 상기 기판 내에 서로 이격되어 형성되고 상기 기판과 반대 극성으로 도핑된 소스 영역 및 드레인 영역; 상기 소스 영역과 드레인 영역 사이에 배치된 채널 영역; 상기 채널 영역 상에 배치되고 전기적 절연 재료로 구성된 절연층; 및 상기 절연층 위에 이격되어 배치된 게이트 전극을 포함하는 전계 효과 트랜지스터에 있어서, 상기 절연층 상에 위치하는 금층을 더 포함하는, 티올기를 갖는 분석물을 검출하기 위한 전계 효과 트랜지스터, 상기 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 미세유동장치, 및 상기 전계 효과 트랜지스터 및 미세유동장치를 이용하여 티올기를 포함하는 분석물을 검출하는 방법을 제공한다.
FET, 금층, 티올기, 미세유동장치

公开(公告)号：KR1020100027698A

公开(公告)日：2010-03-11

申请号：KR1020080086711

申请日：2008-09-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황규연 ,  김준호 ,  남궁각 ,  정원석 ,  임희균

IPC: G01N35/00

CPC classification number: B01L3/502715 ,  B01L2200/16 ,  B01L2300/0806 ,  B01L2300/0816 ,  B01L2300/087 ,  B01L2300/1833 ,  B01L2300/1866 ,  B01L2400/0409 ,  Y10T436/25125

Abstract: PURPOSE: A dielectric heating method using microwaves and anions is provided to reduce heating time of objects by increasing a heating rate through the addition of negative ions with high charge density promoting polarization of molecule. CONSTITUTION: A dielectric heating method using microwaves and anions comprises the steps of: adding negative ions with high charge density, which interacts with a medium molecule strongly than a hydrogen bond between medium molecules of dielectric, to a dielectric for dielectric heating; and irradiating microwaves to the dielectric to heat the dielectric.

Abstract translation: 目的：提供使用微波和阴离子的电介质加热方法，通过加入具有高电荷密度的负离子促进分子的极化，从而通过增加加热速率来减少物体的加热时间。 构成：使用微波和阴离子的电介质加热方法包括以下步骤：将具有高电荷密度的负离子与媒介分子强烈地相互作用于电介质介质分子之间的氢键; 并向该电介质照射微波以加热电介质。

公开(公告)号：KR1020090032304A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：KR1020070097399

申请日：2007-09-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박진택 ,  정원석

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11573 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/11565 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/31051

Abstract: A non-volatile memory device and a method of formation thereof are provided to prevent the information distortion due to the movement of the electronics stored in the charge storage pattern by forming the charge storage pattern on the active region except for the element isolation film. A substrate(110) of a non-volatile memory device comprises a cell region(A) and a peripheral region(B). A cell active region(120a) is defined by an element isolation film(121a). The cell element isolation film comprises an upper element isolation layer(123a) and a lower element isolation layer(122). A tunneling insulating layer(134) is located in the cell active region. A charge storage pattern(135a) is located in the tunneling insulating layer. The charge storage pattern comprises a horizontal part(136) and a protrusion part(137). A blocking insulation film pattern(145a) is located in the charge storage pattern and the cell element isolation film. A control gate line(155a) is located in the blocking insulation film pattern. A neighboring gate insulating layer(127) is located on a peripheral active region(120b). A neighboring gate electrode(156) is located in the neighboring gate insulating layer. The charge storage pattern is not arranged in the cell element isolation film.

Abstract translation: 提供了一种非易失性存储器件及其形成方法，用于通过在除了元件隔离膜之外的有源区域上形成电荷存储图案来防止由存储在电荷存储图案中的电子元件的移动引起的信息失真。 非易失性存储器件的衬底（110）包括单元区域（A）和外围区域（B）。 电池活性区域（120a）由元件隔离膜（121a）限定。 电池元件隔离膜包括上部元件隔离层（123a）和下部元件隔离层（122）。 隧道绝缘层（134）位于电池活性区域中。 电荷存储图案（135a）位于隧道绝缘层中。 电荷存储图案包括水平部分（136）和突出部分（137）。 阻挡绝缘膜图案（145a）位于电荷存储图案和电池元件隔离膜中。 控制栅极线（155a）位于阻挡绝缘膜图案中。 相邻的栅极绝缘层（127）位于外围有源区（120b）上。 相邻的栅极电极（156）位于相邻的栅极绝缘层中。 电池存储图案不布置在电池元件隔离膜中。