-
公开(公告)号：KR1020160125142A
公开(公告)日：2016-10-31
申请号：KR1020150055934
申请日：2015-04-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06K9/00
CPC classification number: G01S7/539 , G06K9/0002 , G06K9/00107 , G06K2009/00932
Abstract: 본발명의다양한실시예는초음파원리를이용한지문인식방법및 장치에대한기술이다. 개시된지문인식방법은전자장치에서객체에대한지문을감지하는방법에있어서, 상기객체로부터반사된음파신호를수신하는동작; 상기수신된음파신호로부터상기객체의매질과관련된적어도하나의에코신호를수신시간별로구분하여검출하는동작; 상기검출된적어도하나의수신시간별에코신호에기초하여상기지문의감지를수행하는동작을포함할수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020160104247A
公开(公告)日：2016-09-05
申请号：KR1020150026994
申请日：2015-02-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01C25/00
CPC classification number: G01C25/005
Abstract: 본발명의다양한실시예에따른전자장치는, 전자장치의가속도를측정하는가속도센서, 전자장치의회전각속도를측정하는자이로센서및 전자장치의상태에기초하여자이로센서의칼리브레이션주기를설정하고, 설정된주기가도래하면가속도센서를이용하여전자장치의정지상태를판단하며, 전자장치가정지상태로판단되면자이로센서의칼리브레이션을수행하는센서제어모듈을포함할수 있다. 또한, 다른실시예도가능하다.
Abstract translation: 根据本发明的各种实施例，电子设备包括：加速度传感器，测量电子设备的加速度; 测量电子装置的旋转角速度的陀螺仪传感器; 以及传感器控制模块，其基于所述电子设备的状态设置所述陀螺仪传感器的校准周期，如果所设定的校准周期到达，则使用所述加速度传感器确定所述电子设备的停止状态; 并且如果确定电子设备处于停止状态，则校准陀螺仪传感器。 此外，另一个实施例是可能的。
-
公开(公告)号：KR1020160100147A
公开(公告)日：2016-08-23
申请号：KR1020150022732
申请日：2015-02-13
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F9/5038 , G06F9/4843 , G06F1/329 , G06F9/44
Abstract: 본발명은다중데이터의배칭처리방법및 장치에관한것이다. 이러한발명은제1 프로세서의다중데이터의배칭처리방법에있어서, 적어도하나의어플리케이션의배칭옵션정보에따라배칭데이터구성정보를제2 프로세서로전송하는과정과, 상기배칭데이터구성정보에기초하여획득된적어도하나의데이터를포함하는배칭데이터를상기제2 프로세서로부터수신하는과정과, 상기수신된배칭데이터를상기배칭옵션정보에따라상기적어도하나의어플리케이션에배칭처리하는과정을포함할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于多个数据的批量处理的方法和装置。 根据本发明，用于第一处理器的多个数据的批量处理的方法包括以下步骤：根据至少一个应用的批处理选项信息向第二处理器发送批量数据合成信息; 接收包括基于来自第二处理器的批量数据合成信息获得的至少一个数据的批量数据; 以及根据所述批处理选项信息，在所述至少一个应用程序上批量处理所接收的批处理数据。
-
公开(公告)号：KR1020160096384A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：KR1020150017948
申请日：2015-02-05
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04W4/023 , G01S5/02 , G01S19/13 , G01S19/34 , G01S19/39 , G01S19/48 , H04W4/027 , H04W52/0209 , Y02D70/00 , Y02D70/1222 , Y02D70/1242 , Y02D70/1262 , Y02D70/142 , Y02D70/144 , Y02D70/164 , Y02D70/166 , Y02D70/168 , Y02D70/26 , H04W64/00 , H04W88/02
Abstract: 본발명의다양한실시예는전자장치에서위치측정에의한전력소모를줄이기위한장치및 방법에관한것이다. 이때, 전자장치의동작방법은, 어플리케이션프로그램의위치정보요청에대한응답으로상기전자장치의메모리에저장된위치정보를확인하는동작과상기메모리에저장된위치정보의신뢰성을판단하는동작과상기메모리에저장된위치정보의신뢰성에기반하여상기전자장치의위치를선택적으로측정하는동작을포함할수 있다. 다른실시예들도가능할수 있다.
Abstract translation: 本发明的各种实施例涉及一种通过电子设备中的位置测量来降低功耗的装置和方法。 本发明的电子设备的操作方法包括：响应于应用程序的位置信息请求确认存储在电子设备的存储器中的位置信息的操作; 确定存储在存储器中的位置信息的可靠性的操作; 以及基于存储在存储器中的位置信息的可靠性选择性地测量电子设备的位置的操作。 在本发明中也可获得其它实施例。
-
公开(公告)号：KR1020150121949A
公开(公告)日：2015-10-30
申请号：KR1020140048216
申请日：2014-04-22
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F3/017 , G06F3/041 , G06F3/04815 , G06F3/0488 , G06F2203/04101
Abstract: 본개시는제스처를인식하는방법및 장치에관한것으로, 본개시의다양한실시예에따른제스처를인식하는방법은상기제스처에대한적어도하나의벡터값을추출하는동작과상기벡터값에기반하여벡터의패턴을생성하는동작과기 저장된적어도하나의벡터의패턴과상기생성된벡터의패턴을비교하는동작및 상기비교동작에기반하여제스처의유형을결정하는동작을포함할수 있다. 또한본 개시의다양한실시예에따른제스처를인식하는방법은적어도둘 이상의멀티근접입력을감지시, 상기멀티근접입력에대한적어도하나의제1벡터값을추출하는동작과상기멀티근접입력이감지된상태에서움직임이발생하면, 상기움직임에대한적어도하나의제2벡터값을추출하는동작과상기제1벡터값과상기제2벡터값의이동궤적을분석하여핀치제스처인지여부를결정하고는동작및 핀치제스처이면, 상기핀치제스처에대응하는기능을수행하는동작을포함할수 있다. 이밖에도다양한실시예가가능하다.
Abstract translation: 本发明涉及用于识别手势的方法和装置。 根据本发明的各种实施例，用于识别手势的方法包括以下步骤：提取手势的至少一个矢量值; 基于向量值生成向量模式; 将至少一个预存储向量的模式与生成的向量模式进行比较; 以及基于所述比较结果确定所述手势的类型。 此外，根据本发明的各种实施例的用于识别手势的方法包括以下步骤：当检测到至少两个多接近输入时，提取用于多邻近输入的至少一个第一向量值; 当在检测到多接近输入的状态下发生移动时，提取用于移动的至少一个第二向量值; 分析第一矢量值和第二矢量值的轨迹，并且确定手势是否是捏合手势; 并且如果手势是捏捏手势，则执行对应于捏捏手势的功能。 此外，可以实现其他各种实施例。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150115478A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：KR1020140040606
申请日：2014-04-04
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04W56/001 , A61B5/0004 , A61B5/002 , A61B5/1118 , A61B5/112 , A61B5/6803 , A61B5/6807 , A61B5/681 , A61B5/7246 , A61B2560/0475 , H04W4/80
Abstract: 본발명의실시예에따라전자장치는활동량을카운트하고, 제1카운트시작시각과, 제2카운트종료시각과, 상기제1카운트시작시각에서상기제2카운트종료시각사이에카운트된제1활동량을포함하는카운트정보를저장하고, 근거리통신을통해적어도하나의다른장치와연결되면, 상기다른장치로부터제2카운트정보를수신하고, 상기제2카운트정보에포함된제2카운트시작시각과, 제2카운트종료시각과, 제2활동량및 상기제1 카운트정보를이용하여, 통합활동량을결정하고, 상기전자장치에대응하는전체활동량을상기통합활동량으로변경하고, 상기통합활동량을상기다른장치로전송하여, 활동량을동기화할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例的电子设备计数活动量; 存储包括第一计数开始定时，第一计数结束定时和在第一计数开始定时和第一计数结束定时之间计数的第一活动量的计数信息; 当通过近距离通信连接至少一个其他设备时，从另一设备接收第二计数信息; 使用包括第二计数开始定时，第二计数结束定时和第二活动量的第二计数信息和第一计数信息来确定积分量的量; 并且通过将与电子设备相对应的整个活动量改变为综合活动量来执行活动量的同步，以及向其他设备发送积分活动量。
-
公开(公告)号：KR1020150111632A
公开(公告)日：2015-10-06
申请号：KR1020140035205
申请日：2014-03-26
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F3/0486 , G06F3/041 , G06F3/04842 , G06K9/00026 , G06K9/00892
Abstract: 본발명의다양한실시예에따르면, 전자장치의동작방법은, 지문문지름을감지하는동작, 및상기지문문지름에의해획득되는이미지에기반하여지문을인식하는동작을포함할수 있다. 또한, 다른실시예가가능하다.
Abstract translation: 根据本发明，可以提高识别指纹率的指纹识别方法及其电子装置。 根据本发明的各种实施例，一种用于操作电子设备的方法包括以下操作：感测手指的摩擦; 并且基于通过摩擦手指获得的图像来识别指纹。 此外，其它实施例也是可能的。
-
公开(公告)号：KR1020150099671A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：KR1020140020980
申请日：2014-02-22
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04W52/0267 , A61B5/021 , A61B5/024 , A61B5/0402 , A61B5/0476 , A61B5/0488 , A61B5/1172 , A61B2560/0242 , A61B2562/0219 , A61B2562/0247 , A61B2562/0257 , G04G21/04 , G06F1/1626 , G06F1/163 , G06F1/1698 , G06F3/0484 , H04M1/725 , H04M1/7253 , H04W52/0274 , Y02D70/1242 , Y02D70/1262 , Y02D70/1264 , Y02D70/142 , Y02D70/144 , Y02D70/162 , Y02D70/164 , Y02D70/166 , Y02D70/168 , Y02D70/26
Abstract: 본 발명은 요청 정보에 따른 장치 운용에 관한 것으로, 다양한 실시 예는 외부 장치와 통신 채널을 형성하는 과정, 상기 외부 장치의 기능 실행과 관련하여 센서 활성화를 요청하는 요청 정보를 수신하는 과정, 상기 요청 정보에 대응하여 센서를 활성화하도록 제어하는 과정을 포함하는 요청 정보에 따른 장치 운용 방법 및 이를 지원하는 장치를 개시할 수 있다. 여기서 본 발명이 상술한 구성에 한정되는 것은 아니며, 발명의 상세한 설명에 기재된 다양한 실시 예들로서 이해되어야 할 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及基于请求信息来操作装置。 根据各种实施例，公开了一种基于请求信息来控制装置的方法，以及用于支持该方法的装置。 该方法包括以下步骤：与外部设备形成通信信道; 与执行外部设备的功能相关联地接收请求激活传感器的请求信息; 以及响应于所述请求信息来控制要激活的传感器。 本发明不限于这里描述的配置，并且应当通过在本发明的详细描述中描述的各种实施例来理解。
-
公开(公告)号：KR101526182B1
公开(公告)日：2015-06-05
申请号：KR1020090012509
申请日：2009-02-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L21/31
Abstract: 반도체집적회로장치가제공된다. 반도체집적회로장치는기판상에형성된하부전극, 상기하부전극상에금속질화막및 금속질산화막을포함하는그룹에서선택된하나또는그 조합으로형성된제1 유전막, 상기제1 유전막상에형성되어지르코늄산화막을포함하는제2 유전막및 상기제2 유전막상에형성된상부전극을포함한다.
-
公开(公告)号：KR101515471B1
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：KR1020080028510
申请日：2008-03-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242 , H01L21/205 , H01L21/316
Abstract: 고유전율을 가지는 지르코늄 산화막 형성 방법 및 이를 이용하는 반도체 장치의 형성 방법 및 이에 의해 형성되는 반도체 장치를 이용하는 시스템 장치를 제공한다. 유전율이 높은 지르코늄 산화막과 지르코늄 산질화막 2중 구조로 형성되거나, 지르코늄 산화막과 지르코늄 산질화막 및 지르코늄 산화막 3중 구조를 이용한 반도체 디바이스는 리키지가 없는 고유전막 구조로 넓은 면적의 전극막을 형성할 필요가 없어 단위 면적당 소자의 용량을 증가시킬 수 있다.
Abstract translation: 它提供了一种具有高介电常数和用于使用相同的系统中形成的半导体装置的形成方法的方法，以及使用由形成的半导体器件本装置的氧化锆膜。 或介电常数与高氧化锆和氮氧化锆双层结构，氧化锆和氧氮化锆层和氧化锆层3使用双结构的半导体器件形成的是没有必要的由一个唯一的导体膜结构以形成一个大面积的膜电极不是土地瑞奇 设备的单位面积容量可以增加。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
195
records
(took 0.046 seconds)
