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公开(公告)号：KR1020140132623A
公开(公告)日：2014-11-18
申请号：KR1020130052088
申请日：2013-05-08
Applicant: 엘지디스플레이 주식회사 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: B22F1/007 , B22F9/16 , B22F2302/25 , C01G15/00 , C01G19/02
Abstract: 본 발명은 ITO 입자와; 상기 ITO 입자를 둘러싸고 아이오딘 함유 무기 리간드를 포함하는 용액형 ITO를 제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及ITO颗粒，特别涉及包含含碘无机配体的溶液型ITO及其制备方法。 包含本发明的无机配体的溶液型ITO包括：ITO颗粒; 以及包围ITO颗粒并含有碘的无机配体。 本发明的溶液型ITO通过包含无机配体而改善了导电性，降低了ITO颗粒之间的距离。
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公开(公告)号：KR1020140127541A
公开(公告)日：2014-11-04
申请号：KR1020130045993
申请日：2013-04-25
Applicant: 엘에스니꼬동제련 주식회사 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: D01F9/10 , B82Y40/00 , C04B2235/5208 , D01D5/0007 , D01D10/02 , D01F9/14 , H01B1/16
Abstract: 본 발명은 내산화 특성과 공정 단순화를 구현할 수 있는 구리-탄소 나노섬유의 제조방법을 위하여, 구리전구체 및 유기물(有機物)을 포함하는 구리전구체-유기물 나노섬유를 형성하는 단계; 및 상기 유기물의 탄소를 산화하고, 동시에, 상기 구리전구체를 구리로 환원하도록 상기 구리전구체-유기물 나노섬유를 선택적 산화 열처리함으로써, 구리-탄소 나노섬유를 형성하는 단계;를 포함하는, 구리-탄소 나노섬유의 제조방법을 제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种能够提供抗氧化性能并实现工艺简化的铜 - 碳纳米纤维的制备方法，提供一种制备铜 - 碳纳米纤维的方法，该方法包括以下步骤： 铜前体 - 有机材料含铜前体和有机材料的纳米纤维; 对铜前体 - 有机材料纳米纤维进行选择性氧化热处理以氧化有机材料的碳，并减少铜前体的铜，从而形成铜 - 碳纳米纤维。
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公开(公告)号：KR101326711B1
公开(公告)日：2013-11-08
申请号：KR1020120002726
申请日：2012-01-10
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 국민대학교산학협력단
IPC: H01L21/31
Abstract: 본 발명은 신뢰성이 향상된 반도체 소자 및 그 제조방법을 위하여, 하부 구조체, 하부 구조체 상에 형성된 MPTMS(mercaptopropyltrimethoxysilane)를 포함하는 장벽층, 장벽층 상에 형성된 도전층을 포함하는, 반도체 소자 및 그 제조방법이 제공된다.
Abstract translation: 对于可靠性，本发明是改进的半导体器件及其制造方法，所述下部结构的方法，其包括形成在其下的结构，包括形成在所述阻挡层中，半导体器件及其制造的方法上的导电层的MPTMS（巯基丙基）的势垒层 等等。
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公开(公告)号：KR101578379B1
公开(公告)日：2015-12-17
申请号：KR1020140052579
申请日：2014-04-30
Applicant: 한국과학기술연구원 , 서울대학교산학협력단
IPC: H01M4/1395 , H01M4/38
CPC classification number: H01M4/1395 , H01M4/0423 , H01M4/0492 , H01M4/134 , H01M4/38 , H01M4/386 , H01M2004/021 , H01M2004/027
Abstract: 본발명은리튬-음극소재합금의부피팽창에따른문제점을개선하기위한이차전지용음극전극및 그제조방법을위하여, 기판을준비하는단계, 산소를포함하는식각가스를이용하여상기기판을식각하여하나이상의나노로드를형성하는단계, 상기기판및 상기나노로드상에금속전극을형성하는단계및 상기금속전극상에음극활물질막을형성하는단계를포함하는, 이차전지용음극전극의제조방법을제공한다.
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公开(公告)号：KR1020130081749A
公开(公告)日：2013-07-18
申请号：KR1020120002726
申请日：2012-01-10
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 국민대학교산학협력단
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/76843 , H01L21/28556 , H01L21/288 , H01L21/76877 , H01L21/76898
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to secure an even step coverage property by using a self-assembled monolayer. CONSTITUTION: A barrier layer (120) comprises a Mercapto Propyl Tri Methoxy Silane (MPTMS). The barrier layer comprises a monomolecular film. The MPTMS is formed on a substructure (110). A conductive layer (130) is formed on the barrier layer. The conductive layer comprises a copper.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件及其制造方法，以通过使用自组装单层来确保均匀阶梯覆盖性。 构成：阻挡层（120）包含巯基丙基三甲氧基硅烷（MPTMS）。 阻挡层包含单分子膜。 MPTMS形成在子结构（110）上。 导电层（130）形成在阻挡层上。 导电层包括铜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101244919B1
公开(公告)日：2013-03-18
申请号：KR1020120000478
申请日：2012-01-03
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L21/66
Abstract: PURPOSE: A device for evaluating the leakage current of a dielectric layer and a method for fabricating the same are provided to prevent thermo mechanical stress from being concentrated in a specific region. CONSTITUTION: A substrate includes silicon and a scalloped part. An insulating layer(120a) is formed on the substrate. A diffusion barrier layer(130a) is formed on the insulating layer. A conductive pad(140a) is formed on the diffusion barrier layer.
Abstract translation: 目的：提供一种用于评估介电层的漏电流的装置及其制造方法，以防止热机械应力集中在特定区域。 构成：衬底包括硅和扇形部分。 在基板上形成绝缘层（120a）。 在绝缘层上形成扩散阻挡层（130a）。 导电焊盘（140a）形成在扩散阻挡层上。
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公开(公告)号：KR101107559B1
公开(公告)日：2012-01-31
申请号：KR1020100031849
申请日：2010-04-07
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L21/324
Abstract: 이동식 급속 열처리를 이용한 인쇄 박막 형성방법 및 이를 이용하여 형성된 인쇄 박막이 개시된다. 본 발명의 이동식 급속 열처리를 이용한 인쇄 박막 형성방법은 금속 나노입자를 용매와 분산제를 포함하는 유기 첨가제와 혼합하여 금속 나노입자 잉크를 형성하는 단계; 상기 금속 나노입자 잉크를 기판에 도포하는 단계; 및 상기 금속 나노입자 잉크가 도포된 기판을 관형의 이동식 열원을 갖는 이동식 급속 열처리 장치를 사용하여 수평으로 이동하면서 급속 열처리하여, 상기 유기 첨가제를 신속하게 제거하면서 금속 나노입자를 조밀한 결정립으로 성장시키는 단계를 포함한다. 본 발명의 이동식 급속 열처리를 이용하여 형성한 인쇄 박막은 두께 방향으로 균일한 미세구조를 가지며, 낮은 비저항을 갖는다. 또한, 이동식 급속 열처리는 열처리 시간이 짧으며, 실온에서 진행하면서도 건조 공정이 별도로 필요하지 않아 공정이 간단하다.
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公开(公告)号：KR101097670B1
公开(公告)日：2011-12-22
申请号：KR1020100036452
申请日：2010-04-20
Applicant: 삼성전기주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H05K3/28
CPC classification number: H05K3/244 , H05K2201/0338 , H05K2201/0769 , Y10T29/49126 , Y10T29/49155
Abstract: 본발명은인쇄회로기판및 이의제조방법에관한것으로, 절연층; 및상기절연층에배치된회로패턴과상기회로패턴의적어도일면을덮도록배치되어상기회로패턴에서전기화학적마이그레이션(electrochemical migration)을억제하는베리어층을포함하는회로층;을포함하여, 신뢰성을확보할뿐만아니라고밀도화를실현할수 있는인쇄회로기판및 이의제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020110116819A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：KR1020100036452
申请日：2010-04-20
Applicant: 삼성전기주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H05K3/28
CPC classification number: H05K3/244 , H05K2201/0338 , H05K2201/0769 , Y10T29/49126 , Y10T29/49155
Abstract: 본 발명은 인쇄회로기판 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 절연층; 및 상기 절연층에 배치된 회로 패턴과 상기 회로패턴의 적어도 일면을 덮도록 배치되어 상기 회로패턴에서 전기화학적 마이그레이션(electrochemical migration)을 억제하는 베리어층을 포함하는 회로층;을 포함하여, 신뢰성을 확보할 뿐만 아니라 고밀도화를 실현할 수 있는 인쇄회로기판 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1020110093346A
公开(公告)日：2011-08-18
申请号：KR1020100013332
申请日：2010-02-12
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A method for forming a metal/carbon nanotube composite film and a metal/carbon nanotube film manufactured by the same are provided to secure excellent mechanical and electric characteristics against bending and tensile strain by arranging carbon nanotube in a specific direction. CONSTITUTION: A method for forming a metal/carbon nanotube composite film is as follows. Metal nanoparticles and carbon nanotube(10) are dispersed in the same solvent to make composite ink. The composite ink is spread on a substrate(1) and plasticized in a vacuum or inactive atmosphere to restrict the growth of grains and form a thin film. The thin film is plasticized by releasing the vacuum or inactive atmosphere in order to accelerate the growth.
Abstract translation: 目的：提供用于形成金属/碳纳米管复合膜的方法和由其制造的金属/碳纳米管膜，以通过沿特定方向布置碳纳米管来确保优异的抗弯曲和拉伸应变的机械和电特性。 构成：金属/碳纳米管复合膜的形成方法如下。 将金属纳米颗粒和碳纳米管（10）分散在相同的溶剂中以制备复合油墨。 将复合油墨铺展在基材（1）上并在真空或无活性气氛中增塑以限制晶粒的生长并形成薄膜。 通过释放真空或无活性气氛来增塑薄膜，以加速生长。
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