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公开(公告)号：KR20210028989A
公开(公告)日：2021-03-15
申请号：KR1020190110221A
申请日：2019-09-05
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: C01G51/00 , B01J27/043 , B01J35/10 , C25B1/04
CPC classification number: C01G51/30 , B01J27/043 , B01J35/1057 , B01J35/1061 , C25B1/04 , C01P2006/16
Abstract: 본 발명의 일 관점에 따르면, 진공 분위기를 가지는 반응로 내에서 전이금속을 포함하는 금속유기골격체와, 고체 상태의 황이 기화된 기체 상태의 황을 반응시켜 전이금속 황화물을 제조하는 단계를 포함하는, 다공성 전이금속 황화물의 제조방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 전이금속 황화물을 제조하는 단계는, 상기 금속유기골격체와 상기 고체 상태의 황을 동일한 반응로 내에 배치시키는 단계; 상기 반응로를 적어도 상기 고체 상태의 황의 기화점보다 높은 온도로 가열하여 상기 고체 상태의 황을 기화시키는 단계; 및 상기 기화된 기체 상태의 황 및 상기 금속유기골격체를 상기 반응로에서 반응시키는 단계를 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020130081749A
公开(公告)日：2013-07-18
申请号：KR1020120002726
申请日：2012-01-10
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 국민대학교산학협력단
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/76843 , H01L21/28556 , H01L21/288 , H01L21/76877 , H01L21/76898
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to secure an even step coverage property by using a self-assembled monolayer. CONSTITUTION: A barrier layer (120) comprises a Mercapto Propyl Tri Methoxy Silane (MPTMS). The barrier layer comprises a monomolecular film. The MPTMS is formed on a substructure (110). A conductive layer (130) is formed on the barrier layer. The conductive layer comprises a copper.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件及其制造方法，以通过使用自组装单层来确保均匀阶梯覆盖性。 构成：阻挡层（120）包含巯基丙基三甲氧基硅烷（MPTMS）。 阻挡层包含单分子膜。 MPTMS形成在子结构（110）上。 导电层（130）形成在阻挡层上。 导电层包括铜。
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公开(公告)号：KR101326711B1
公开(公告)日：2013-11-08
申请号：KR1020120002726
申请日：2012-01-10
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 국민대학교산학협력단
IPC: H01L21/31
Abstract: 본 발명은 신뢰성이 향상된 반도체 소자 및 그 제조방법을 위하여, 하부 구조체, 하부 구조체 상에 형성된 MPTMS(mercaptopropyltrimethoxysilane)를 포함하는 장벽층, 장벽층 상에 형성된 도전층을 포함하는, 반도체 소자 및 그 제조방법이 제공된다.
Abstract translation: 对于可靠性，本发明是改进的半导体器件及其制造方法，所述下部结构的方法，其包括形成在其下的结构，包括形成在所述阻挡层中，半导体器件及其制造的方法上的导电层的MPTMS（巯基丙基）的势垒层 等等。
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公开(公告)号：WO2021075638A1
公开(公告)日：2021-04-22
申请号：PCT/KR2019/018039
申请日：2019-12-18
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명의 일 관점에 따르면, 전기화학적 CO 2 환원용 촉매 구조체가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 전기화학적 CO 2 환원용 촉매 구조체는, 질소가 도핑된 탄소나노섬유; 및 상기 탄소나노섬유 상에 분포하는 Cu 입자를 포함한다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 Cu 입자와 계면을 이루는 영역의 탄소나노섬유의 적어도 일부는 피리딘 유사배열 구조를 가질 수 있다.
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公开(公告)号：WO2013081347A1
公开(公告)日：2013-06-06
申请号：PCT/KR2012/010055
申请日：2012-11-26
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01M4/0492 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01M4/0402 , H01M4/38 , H01M4/66
Abstract: 본 발명은 일반 금속 전극의 반복 굽힘 변형시 유연성 전극의 전기적 기계적 특성 저하를 유발하는 피로 파괴를 피하기 위해 나노홀 구조를 가지는 구리 전극을 나노기둥 형태의 폴리머 기판을 이용하여 제작하였다. 나노홀 구조는 전위의 소멸 때문에 파괴 시작을 억제하고 크랙 끝은 뭉툭하게 함으로써 손상의 전파를 늦추게 된다. 따라서 나노홀 전극은 굽힘 피로 시험 시 매우 낮은 전기 저항 변화를 나타냈다.
Abstract translation: 本发明是利用纳米柱状聚合物基材制造具有纳米孔结构的铜电极，以避免疲劳断裂，当通常的金属电极通过重复弯曲而变形时，柔性电极的电气和机械特性降低。 纳米孔结构抑制由于电位的耗散引起的疲劳开始，并且通过平滑裂纹的结束来延迟损伤的传播。 因此，纳米孔电极在弯曲疲劳试验中显示出非常小的电阻变化。
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公开(公告)号：WO2010005157A1
公开(公告)日：2010-01-14
申请号：PCT/KR2009/000980
申请日：2009-02-27
CPC classification number: C22F1/06 , B23K26/0084 , C21D1/09
Abstract: 마그네슘 합금의 성형성 증가 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 마그네슘 합금의 성형성 증가 방법은 마그네슘 합금의 표면에 레이저를 조사(照射)하는 방식으로 고(高) 에너지를 공급함으로써 마그네슘 합금의 집합조직(texture)을 제어하는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 公开了一种提高镁合金成型性的方法。 根据本发明，镁合金的成形性的提高方法通过在其上照射激光而向镁合金的表面提供高能量，从而可以控制镁合金的织构。
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公开(公告)号：WO2022250410A1
公开(公告)日：2022-12-01
申请号：PCT/KR2022/007338
申请日：2022-05-24
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L21/768 , H01L21/285
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 의한 배선 형성 방법은 제 1 금속원소를 도펀트로 함유하는 코발트 금속 모상을 준비하는 제 1 단계; 및 상기 제 1 금속원소를 도펀트로 함유하는 코발트 금속 모상을 열처리하여 상기 제 1 금속원소가 상기 코발트 금속 모상의 표면으로 확산되어 확산방지막을 형성하는 제 2 단계;를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2018101724A1
公开(公告)日：2018-06-07
申请号：PCT/KR2017/013767
申请日：2017-11-29
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H05K1/03
CPC classification number: H05K1/03
Abstract: 본 발명은 전도성 유연 소자에 관한 것이다. 본 발명의 전도성 유연 소자(1)는 기판부(10) 및 기판부(10)의 적어도 일면 상에 배치되는 전극부(20)를 포함하고, 기판부(10)에는 옥세틱(auxetic) 구조체(30)가 삽입되는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR102241128B1
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：KR1020190169043
申请日：2019-12-17
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본발명의일 관점에따르면, 전기화학적 CO2 환원용촉매구조체의제조방법이제공된다. 본발명의일 실시예에의하면, 상기제조방법은, Cu 전구체및 질소가함유된탄소나노섬유전구체를포함하는방사용액을전기방사하여탄소나노섬유전구체를제조하는단계: 상기탄소나노섬유전구체를열처리하여 Cu 나노입자를함유하는질소도핑된탄소나노섬유를제조하는단계; 및상기 Cu 나노입자를함유하는질소도핑된탄소나노섬유에이종원소화합물을혼합하여급속열처리하는단계;를포함하고, 상기급속열처리를통해 Cu 나노입자표면에이종원소가기체상태로도핑된다.
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公开(公告)号：KR102143185B1
公开(公告)日：2020-08-10
申请号：KR1020190064011
申请日：2019-05-30
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/868 , H01L21/265 , H01L29/66
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