반도체 소자 및 그 제조방법
    2.
    发明公开
    반도체 소자 및 그 제조방법 有权
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020130081749A

    公开(公告)日:2013-07-18

    申请号:KR1020120002726

    申请日:2012-01-10

    Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to secure an even step coverage property by using a self-assembled monolayer. CONSTITUTION: A barrier layer (120) comprises a Mercapto Propyl Tri Methoxy Silane (MPTMS). The barrier layer comprises a monomolecular film. The MPTMS is formed on a substructure (110). A conductive layer (130) is formed on the barrier layer. The conductive layer comprises a copper.

    Abstract translation: 目的:提供一种半导体器件及其制造方法,以通过使用自组装单层来确保均匀阶梯覆盖性。 构成:阻挡层(120)包含巯基丙基三甲氧基硅烷(MPTMS)。 阻挡层包含单分子膜。 MPTMS形成在子结构(110)上。 导电层(130)形成在阻挡层上。 导电层包括铜。

    반도체 소자 및 그 제조방법
    3.
    发明授权
    반도체 소자 및 그 제조방법 有权
    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR101326711B1

    公开(公告)日:2013-11-08

    申请号:KR1020120002726

    申请日:2012-01-10

    Abstract: 본 발명은 신뢰성이 향상된 반도체 소자 및 그 제조방법을 위하여, 하부 구조체, 하부 구조체 상에 형성된 MPTMS(mercaptopropyltrimethoxysilane)를 포함하는 장벽층, 장벽층 상에 형성된 도전층을 포함하는, 반도체 소자 및 그 제조방법이 제공된다.

    Abstract translation: 对于可靠性,本发明是改进的半导体器件及其制造方法,所述下部结构的方法,其包括形成在其下的结构,包括形成在所述阻挡层中,半导体器件及其制造的方法上的导电层的MPTMS(巯基丙基)的势垒层 等等。

    유연성 소자용 부재 및 그 제조방법
    5.
    发明申请
    유연성 소자용 부재 및 그 제조방법 审中-公开
    柔性元件会员及其制造方法

    公开(公告)号:WO2013081347A1

    公开(公告)日:2013-06-06

    申请号:PCT/KR2012/010055

    申请日:2012-11-26

    Abstract: 본 발명은 일반 금속 전극의 반복 굽힘 변형시 유연성 전극의 전기적 기계적 특성 저하를 유발하는 피로 파괴를 피하기 위해 나노홀 구조를 가지는 구리 전극을 나노기둥 형태의 폴리머 기판을 이용하여 제작하였다. 나노홀 구조는 전위의 소멸 때문에 파괴 시작을 억제하고 크랙 끝은 뭉툭하게 함으로써 손상의 전파를 늦추게 된다. 따라서 나노홀 전극은 굽힘 피로 시험 시 매우 낮은 전기 저항 변화를 나타냈다.

    Abstract translation: 本发明是利用纳米柱状聚合物基材制造具有纳米孔结构的铜电极,以避免疲劳断裂,当通常的金属电极通过重复弯曲而变形时,柔性电极的电气和机械特性降低。 纳米孔结构抑制由于电位的耗散引起的疲劳开始,并且通过平滑裂纹的结束来延迟损伤的传播。 因此,纳米孔电极在弯曲疲劳试验中显示出非常小的电阻变化。

    배선 형성 방법
    7.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2022250410A1

    公开(公告)日:2022-12-01

    申请号:PCT/KR2022/007338

    申请日:2022-05-24

    Abstract: 본 발명의 일 실시예에 의한 배선 형성 방법은 제 1 금속원소를 도펀트로 함유하는 코발트 금속 모상을 준비하는 제 1 단계; 및 상기 제 1 금속원소를 도펀트로 함유하는 코발트 금속 모상을 열처리하여 상기 제 1 금속원소가 상기 코발트 금속 모상의 표면으로 확산되어 확산방지막을 형성하는 제 2 단계;를 포함한다.

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