公开(公告)号：KR1020100089338A

公开(公告)日：2010-08-12

申请号：KR1020090008540

申请日：2009-02-03

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 이문상 ,  윤대호 ,  박성수

IPC: H01L33/10

Abstract: PURPOSE: A light emitting device comprising a micro-rod and manufacturing method of the same are provided to increase emission area of the emitting device and to improve luminous efficiency by controlling a lattice constant difference and a deformity of thermal expansion coefficient difference. CONSTITUTION: A reflecting layer(11) is formed on a conductive substrate(10). A micro-rod is projected from a hole inside of the reflecting layer. The micro-load comprises a reflection conductive layer(13a), an n-GaN layer(13b), an active layer(13c), and a p-GaN layer(13d). A filling layer(14) is formed in the reflecting layer top and the micro-load side. A transparent electrode(15) is formed on the micro-load and the filling layer.

Abstract translation: 目的：提供包括微型棒及其制造方法的发光器件，以增加发光器件的发射面积，并通过控制晶格常数差和热膨胀系数差的变形来提高发光效率。 构成：在导电性基板（10）上形成有反射层（11）。 从反射层内的孔突出微杆。 微负载包括反射导电层（13a），n-GaN层（13b），有源层（13c）和p-GaN层（13d）。 在反射层顶部和微负载侧形成填充层（14）。 在微负载和填充层上形成透明电极（15）。

公开(公告)号：KR102027101B1

公开(公告)日：2019-10-02

申请号：KR1020180001512

申请日：2018-01-05

Applicant: 성균관대학교산학협력단 ,  한국과학기술원

Inventor： 박성수 ,  이진엽 ,  이태재 ,  이문근 ,  이석재

IPC: B01L3/00 ,  G01N35/00 ,  G01N35/08 ,  C12N15/10 ,  G01N1/40 ,  G01N1/34

公开(公告)号：KR101916991B1

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：KR1020150123734

申请日：2015-09-01

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이진기 ,  박성수 ,  오나은 ,  이천지

IPC: G01N35/08 ,  B01L3/00 ,  G01N35/10

公开(公告)号：KR1020110094976A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：KR1020100014738

申请日：2010-02-18

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 박성수 ,  윤대호 ,  강삼묵 ,  강봉균

IPC: H01L33/46

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01L2933/0025

Abstract: PURPOSE: A light emitting device and a method of manufacturing thereof are provided to increase external quantum efficiency by forming a self assembly polymer pattern in the laminated structure of a light emitting device using the mixed solution of a polymer solute and a solvent. CONSTITUTION: In a light emitting device and a method of manufacturing thereof, a first semiconductor material layer(30) is formed on a substrate(10). An active layer(40) is formed on the first semiconductor material layer. A second semiconductor material layer(50) is formed on the active layer. A transparent electrode layer(60) is formed on the second semiconductor material layer. A self-assembly polymer pattern(70) is formed on the transparent electrode layer.

Abstract translation: 目的：提供一种发光器件及其制造方法，以通过使用聚合物溶质和溶剂的混合溶液在发光器件的层叠结构中形成自组装聚合物图案来提高外部量子效率。 构成：在发光器件及其制造方法中，在衬底（10）上形成第一半导体材料层（30）。 在第一半导体材料层上形成有源层（40）。 在有源层上形成第二半导体材料层（50）。 在第二半导体材料层上形成透明电极层（60）。 在透明电极层上形成自组装聚合物图案（70）。

公开(公告)号：KR102170933B1

公开(公告)日：2020-10-28

申请号：KR1020180171911

申请日：2018-12-28

Applicant: 성균관대학교산학협력단 ,  재단법인 바이오나노헬스가드연구단

Inventor： 박성수 ,  이진엽 ,  압두라만

IPC: G01N35/00 ,  G01N1/40 ,  G01N1/34 ,  C12Q1/6806 ,  C12N15/10

公开(公告)号：KR102130016B1

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：KR1020190108918

申请日：2019-09-03

Applicant: 성균관대학교산학협력단 ,  재단법인 초고성능 컴퓨팅 연구단

Inventor： 한환수 ,  박성수

IPC: G06F8/41

公开(公告)号：KR102053404B1

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：KR1020180001511

申请日：2018-01-05

Applicant: 성균관대학교산학협력단 ,  한국과학기술원

Inventor： 박성수 ,  이진엽 ,  이태재 ,  이문근 ,  이석재

IPC: G01N1/40 ,  G01N1/34

公开(公告)号：KR101835004B1

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：KR1020110049016

申请日：2011-05-24

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 박성수 ,  윤대호 ,  이문상 ,  강봉균

IPC: H01L33/36

Abstract: 개시된발광소자는제1반도체층, 활성층, 제2반도체층과제2반도체층상에마련된그래핀패턴층을을포함할수 있다. 개시된발광소자는그래핀패턴층상에마련된폴리머패턴층을더 포함할수 있다. 그리고, 개시된발광소자의제조방법은제1반도체층, 활성층, 제2반도체층을형성하는단계와제2반도체층상에그래핀패턴층을형성하는단계를포함할수 있다. 개시된발광소자의제조방법은그래핀패턴층상에폴리머패턴층을형성하는단계를더 포함할수 있다.

Abstract translation: 所公开的发光器件可以包括第一半导体层，有源层，第二半导体层以及设置在第二半导体层上的石墨烯图案层。 所公开的发光器件可以进一步包括设置在石墨烯图案层上的聚合物图案层。 所公开的制造发光器件的方法可以包括形成第一半导体层，有源层和第二半导体层，以及在第二半导体层上形成石墨烯图案层。 所公开的制造发光器件的方法可以进一步包括在石墨烯图案层上形成聚合物图案层。

公开(公告)号：KR101701607B1

公开(公告)日：2017-02-13

申请号：KR1020150068217

申请日：2015-05-15

Applicant: 성균관대학교산학협력단 ,  이화여자대학교 산학협력단

Inventor： 박성수 ,  이상혁

IPC: B01L3/00

CPC classification number: A61K31/704 ,  B01L3/00

Abstract: 본발명은항암제내성세포스크리닝용미세유체칩 및이를이용한항암제내성유도또는스크리닝방법에관한것이다. 본발명의미세유체칩은세포배양챔버간연속적인농도구배유도및 기존판독기술과달리, 일주일내 빠르게유도및 판독할수 있는바, 암의치료에있어서, 보다근본적으로접근하여타겟치료를할 수있을것으로기대된다.

Abstract translation: 本发明涉及用于筛选抗癌药物抗性细胞的微流控芯片，以及使用该微流控芯片诱导或筛选抗癌药物耐药性的方法。 本发明的微流体芯片可以诱导细胞培养室之间的连续浓度梯度，并且可以在一个星期内实现快速感应和读出，这与现有的读出技术不同，因此预期能够 目标治疗通过更加基础的方法，治疗癌症。

公开(公告)号：KR101281684B1

公开(公告)日：2013-07-05

申请号：KR1020080008030

申请日：2008-01-25

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 박성수 ,  윤대호

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/16

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02658

Abstract: 질화물반도체 기판의 제조방법에 관해 기술된다. 기판 제조방법은 Si 기판을 이용하며 질화물반도체은 AlN의 면, 즉 결정면(crystallographic plane)에 대해 이루어진다. AlN은 Si 기판의 (100) 면에 형성되며, 열처리에 의해 면을 을 가진다. 본 발명의 제조방법은 저렴한 (100) Si 기판을 이용하므로 제품 단가를 낮출 수 있고, 대구경의 질화물반도체 기판을 용이하게 얻을 수 있다.
질화물, 반도체, 성장