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公开(公告)号：KR20210032641A
公开(公告)日：2021-03-25
申请号：KR1020190113890A
申请日：2019-09-17
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , (주)킹고바이오 , 재단법인 바이오나노헬스가드연구단
IPC: C12M1/00 , C12N15/10 , C12Q1/6806
CPC classification number: C12M47/06 , C12N15/1013 , C12Q1/6806
Abstract: 본 발명은 핵산 추출장치 및 핵산 추출방법에 관한 것으로, 자성나노입자와 병원체를 포함한 시료가 저장되고, 병원체를 시료에서 분리하여 농축시키는 농축부와, 농축부가 회전 가능하도록 장착되고 농축부에서 배출되는 시료를 처리하는 수거부와, 수거부와 연결되고 하나 이상의 버퍼를 저장할 수 있는 저장부와, 저장부에 연결되고 농축부에서 공급되는 농축된 병원체를 전달받아 핵산으로 정제하여 정제된 핵산을 배출하는 정제부를 포함하여, 진단검사에 소요되는 비용과 시간을 절약할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2022030747A1
公开(公告)日：2022-02-10
申请号：PCT/KR2021/007344
申请日：2021-06-11
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명에 따른 스페로이드 제너레이터는: 바디부; 암세포 용액이 주입되도록 바디부에 형성되고, 암세포 용액이 배양액에 접촉되면 암세포 용액의 유동이 정지되게 하는 메인 주입부; 및 항암물질 또는 기질세포 용액이 주입되도록 바디부에 형성되고, 주입된 항암물질 또는 기질세포 용액이 메인 주입부로 유동되도록 메인 주입부에 연통되는 서브 주입부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：WO2016186398A1
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：PCT/KR2016/005108
申请日：2016-05-13
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 이화여자대학교 산학협력단
IPC: B01L3/00 , C12N5/09 , A61K31/704
CPC classification number: A61K31/704 , B01L3/00
Abstract: 본 발명은 항암제 내성세포 스크리닝용 미세유체 칩 및 이를 이용한 항암제 내성 유도 또는 스크리닝 방법에 관한 것이다. 본 발명의 미세유체 칩은 세포 배양 챔버간 연속적인 농도구배 유도 및 기존 판독 기술과 달리, 일주일 내 빠르게 유도 및 판독할 수 있는바, 암의 치료에 있어서, 보다 근본적으로 접근하여 타겟 치료를 할 수 있을 것으로 기대된다.
Abstract translation: 本发明涉及用于筛选抗癌药物抗性细胞的微流控芯片，以及使用该微流控芯片诱导或筛选抗癌耐药性的方法。 本发明的微流体芯片可以诱导细胞培养室之间的连续浓度梯度，并且可以在一个星期内实现快速感应和读出，这与现有的读出技术不同，因此预期能够 目标治疗通过更加基础的方法，治疗癌症。
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公开(公告)号：WO2022177326A1
公开(公告)日：2022-08-25
申请号：PCT/KR2022/002367
申请日：2022-02-17
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 주식회사 킹고바이오
IPC: G01N33/543 , G01N33/545 , G01N33/548
Abstract: 본 발명은 생물학적 표적의 분리를 위한 나노 입자 복합체, 이의 제조방법 등에 관한 것으로, 구체적으로 고분자로 코팅된 나노 입자에 수용체를 결합시킨 나노 입자 복합체, 이의 제조 방법, 이의 용도 등에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1020090081879A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：KR1020080008030
申请日：2008-01-25
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02513 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/02658
Abstract: A method for manufacturing a nitride semiconductor substrate is provided to obtain the nitride semiconductor substrate with a large diameter with a low cost. A hexagonal buffer layer(20) is formed on a surface(100) of a Si substrate(10). An epitaxial growth of a nitride semiconductor layer(30) is performed on the buffer layer. The buffer layer includes at least one of AlN, TiN, HfN, GaN, InN or ZrN. The formation step of the buffer layer includes a crystallization step by a thermal process of an amorphous layer formation step.
Abstract translation: 提供一种用于制造氮化物半导体衬底的方法以便以低成本获得具有大直径的氮化物半导体衬底。 在Si衬底（10）的表面（100）上形成六边形缓冲层（20）。 在缓冲层上进行氮化物半导体层（30）的外延生长。 缓冲层包括AlN，TiN，HfN，GaN，InN或ZrN中的至少一种。 缓冲层的形成步骤包括通过非晶层形成步骤的热处理的结晶步骤。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR101890751B1
公开(公告)日：2018-08-22
申请号：KR1020120098485
申请日：2012-09-05
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L29/0684 , B82Y10/00 , H01L21/02458 , H01L21/02472 , H01L21/02483 , H01L21/02488 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02658 , H01L29/0665 , H01L29/122 , H01L29/127 , H01L29/2003 , H01L33/007 , H01L33/12
Abstract: 질화물반도체디바이스및 그제조방법이개시된다. 개시된질화물반도체디바이스는, 기판과, 기판상의서로다른재질의제1나노입자와제2나노입자의나노복합체를포함하는전위제어층, 전위제어층상에형성되는질화물반도체층을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020150051819A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：KR1020130133821
申请日：2013-11-05
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/007 , C30B25/183 , C30B29/406 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02472 , H01L21/02502 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/02642 , H01L21/02647 , H01L33/12
Abstract: 본발명에따른질화물반도체디바이스는, 기판; 상기기판상에형성되며, 질화물(Nitride)을포함하는복수의중공(hollow) 구조물을포함하는전위제어층; 및상기전위제어층상에형성된질화물반도체층;을포함할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的制造氮化物半导体器件的方法可以包括：衬底; 位错控制层，其形成在所述基板上，并且包括包括氮化物的中空结构; 以及形成在位错控制层上的氮化物半导体层。
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公开(公告)号：KR1020120130938A
公开(公告)日：2012-12-04
申请号：KR1020110049016
申请日：2011-05-24
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/38 , H01L33/483
Abstract: PURPOSE: A light emitting device including a graphene pattern layer and a manufacturing method thereof are provided to improve the external quantum efficiency and to prevent total internal reflection of the light emitting device by using graphene as an electrode. CONSTITUTION: A first semiconductor layer(30) is formed on a substrate. An active layer is formed on the first semiconductor layer. A second semiconductor layer(50) is arranged on the active layer. A graphene pattern layer(60) is arranged on the second semiconductor layer. A polymer pattern layer is formed on the graphene pattern layer.
Abstract translation: 目的：提供一种包括石墨烯图案层的发光器件及其制造方法，以提高外部量子效率并通过使用石墨烯作为电极来防止发光器件的全内反射。 构成：在基板上形成第一半导体层（30）。 在第一半导体层上形成有源层。 第二半导体层（50）布置在有源层上。 石墨烯图案层（60）布置在第二半导体层上。 在石墨烯图案层上形成聚合物图案层。
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公开(公告)号：KR1020100089338A
公开(公告)日：2010-08-12
申请号：KR1020090008540
申请日：2009-02-03
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L33/10
Abstract: PURPOSE: A light emitting device comprising a micro-rod and manufacturing method of the same are provided to increase emission area of the emitting device and to improve luminous efficiency by controlling a lattice constant difference and a deformity of thermal expansion coefficient difference. CONSTITUTION: A reflecting layer(11) is formed on a conductive substrate(10). A micro-rod is projected from a hole inside of the reflecting layer. The micro-load comprises a reflection conductive layer(13a), an n-GaN layer(13b), an active layer(13c), and a p-GaN layer(13d). A filling layer(14) is formed in the reflecting layer top and the micro-load side. A transparent electrode(15) is formed on the micro-load and the filling layer.
Abstract translation: 目的：提供包括微型棒及其制造方法的发光器件，以增加发光器件的发射面积，并通过控制晶格常数差和热膨胀系数差的变形来提高发光效率。 构成：在导电性基板（10）上形成有反射层（11）。 从反射层内的孔突出微杆。 微负载包括反射导电层（13a），n-GaN层（13b），有源层（13c）和p-GaN层（13d）。 在反射层顶部和微负载侧形成填充层（14）。 在微负载和填充层上形成透明电极（15）。
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