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公开(公告)号：WO2012118310A2
公开(公告)日：2012-09-07
申请号：PCT/KR2012/001459
申请日：2012-02-27
CPC classification number: C09K11/77
Abstract: 제 1 금속 할로겐화물, 제 2 금속 할로겐화물, 및 Al, Si, P, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 3 주기 원소의 산화물 전구체를 포함하는 용액을 수득하는 단계, 및 상기 용액에 환원제를 첨가한 후 열처리하는 단계를 포함하는, 옥시할로겐화물계 형광체의 제조 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 包含选自由第一金属卤化物，第二金属卤化物和Al，Si，P，和P组成的组的三循环元素的氧化物前体的溶液。 本发明涉及卤氧化物系荧光体的制造方法，其特征在于，包括以下工序：
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公开(公告)号：KR101652792B1
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：KR1020100014738
申请日：2010-02-18
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L33/46
Abstract: 발광소자및 그제조방법이개시된다. 발광소자는, 기판상에서로다른전도성타입의제1 및제2반도체물질층, 제1 및제2반도체물질층사이에위치되며광이발생되는활성층을포함하는적층구조물및 적층구조물에대해비 평행면을가져난반사를유도하고내부전반사를줄이도록된 자기조립폴리머패턴을구비한다.
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公开(公告)号：KR1020140031759A
公开(公告)日：2014-03-13
申请号：KR1020120098485
申请日：2012-09-05
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L29/0684 , B82Y10/00 , H01L21/02458 , H01L21/02472 , H01L21/02483 , H01L21/02488 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02658 , H01L29/0665 , H01L29/122 , H01L29/127 , H01L29/2003 , H01L33/007 , H01L33/12
Abstract: Disclosed are a nitride semiconductor device and a manufacturing method thereof. The nitride semiconductor device includes: a substrate; a potential control layer including, on the substrate, a nanocomposite of first and second nanoparticles made of different materials; and a nitride semiconductor layer formed on the potential control layer.
Abstract translation: 公开了一种氮化物半导体器件及其制造方法。 氮化物半导体器件包括：衬底; 在所述基板上包括由不同材料制成的第一和第二纳米颗粒的纳米复合材料的电位控制层; 以及形成在电位控制层上的氮化物半导体层。
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公开(公告)号：KR101835004B1
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：KR1020110049016
申请日：2011-05-24
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L33/36
Abstract: 개시된발광소자는제1반도체층, 활성층, 제2반도체층과제2반도체층상에마련된그래핀패턴층을을포함할수 있다. 개시된발광소자는그래핀패턴층상에마련된폴리머패턴층을더 포함할수 있다. 그리고, 개시된발광소자의제조방법은제1반도체층, 활성층, 제2반도체층을형성하는단계와제2반도체층상에그래핀패턴층을형성하는단계를포함할수 있다. 개시된발광소자의제조방법은그래핀패턴층상에폴리머패턴층을형성하는단계를더 포함할수 있다.
Abstract translation: 所公开的发光器件可以包括第一半导体层，有源层，第二半导体层以及设置在第二半导体层上的石墨烯图案层。 所公开的发光器件可以进一步包括设置在石墨烯图案层上的聚合物图案层。 所公开的制造发光器件的方法可以包括形成第一半导体层，有源层和第二半导体层，以及在第二半导体层上形成石墨烯图案层。 所公开的制造发光器件的方法可以进一步包括在石墨烯图案层上形成聚合物图案层。
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公开(公告)号：KR1020110094976A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：KR1020100014738
申请日：2010-02-18
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L33/46
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/0075 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L2933/0025
Abstract: PURPOSE: A light emitting device and a method of manufacturing thereof are provided to increase external quantum efficiency by forming a self assembly polymer pattern in the laminated structure of a light emitting device using the mixed solution of a polymer solute and a solvent. CONSTITUTION: In a light emitting device and a method of manufacturing thereof, a first semiconductor material layer(30) is formed on a substrate(10). An active layer(40) is formed on the first semiconductor material layer. A second semiconductor material layer(50) is formed on the active layer. A transparent electrode layer(60) is formed on the second semiconductor material layer. A self-assembly polymer pattern(70) is formed on the transparent electrode layer.
Abstract translation: 目的：提供一种发光器件及其制造方法，以通过使用聚合物溶质和溶剂的混合溶液在发光器件的层叠结构中形成自组装聚合物图案来提高外部量子效率。 构成：在发光器件及其制造方法中，在衬底（10）上形成第一半导体材料层（30）。 在第一半导体材料层上形成有源层（40）。 在有源层上形成第二半导体材料层（50）。 在第二半导体材料层上形成透明电极层（60）。 在透明电极层上形成自组装聚合物图案（70）。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR101890751B1
公开(公告)日：2018-08-22
申请号：KR1020120098485
申请日：2012-09-05
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L29/0684 , B82Y10/00 , H01L21/02458 , H01L21/02472 , H01L21/02483 , H01L21/02488 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02658 , H01L29/0665 , H01L29/122 , H01L29/127 , H01L29/2003 , H01L33/007 , H01L33/12
Abstract: 질화물반도체디바이스및 그제조방법이개시된다. 개시된질화물반도체디바이스는, 기판과, 기판상의서로다른재질의제1나노입자와제2나노입자의나노복합체를포함하는전위제어층, 전위제어층상에형성되는질화물반도체층을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020150051819A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：KR1020130133821
申请日：2013-11-05
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/007 , C30B25/183 , C30B29/406 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02472 , H01L21/02502 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/02642 , H01L21/02647 , H01L33/12
Abstract: 본발명에따른질화물반도체디바이스는, 기판; 상기기판상에형성되며, 질화물(Nitride)을포함하는복수의중공(hollow) 구조물을포함하는전위제어층; 및상기전위제어층상에형성된질화물반도체층;을포함할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的制造氮化物半导体器件的方法可以包括：衬底; 位错控制层，其形成在所述基板上，并且包括包括氮化物的中空结构; 以及形成在位错控制层上的氮化物半导体层。
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公开(公告)号：KR1020120130938A
公开(公告)日：2012-12-04
申请号：KR1020110049016
申请日：2011-05-24
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/38 , H01L33/483
Abstract: PURPOSE: A light emitting device including a graphene pattern layer and a manufacturing method thereof are provided to improve the external quantum efficiency and to prevent total internal reflection of the light emitting device by using graphene as an electrode. CONSTITUTION: A first semiconductor layer(30) is formed on a substrate. An active layer is formed on the first semiconductor layer. A second semiconductor layer(50) is arranged on the active layer. A graphene pattern layer(60) is arranged on the second semiconductor layer. A polymer pattern layer is formed on the graphene pattern layer.
Abstract translation: 目的：提供一种包括石墨烯图案层的发光器件及其制造方法，以提高外部量子效率并通过使用石墨烯作为电极来防止发光器件的全内反射。 构成：在基板上形成第一半导体层（30）。 在第一半导体层上形成有源层。 第二半导体层（50）布置在有源层上。 石墨烯图案层（60）布置在第二半导体层上。 在石墨烯图案层上形成聚合物图案层。
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公开(公告)号：KR101503797B1
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：KR1020120020630
申请日：2012-02-28
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본원은 염화물을 포함한 실리케이트계 형광체를 알칼리성 물질로 처리하는 것을 포함하는, 염화물계 또는 산화물계 형광체 분말의 제조 방법 및 이에 의하여 제조된 염화물계 또는 산화물계 형광체 분말에 관한 것으로서, 염화물을 이용한 강력한 산화 또는 환원시키는 것을 통해 희토류 금속이 첨가된 형광체의 발광강도를 증가시키고 상대적으로 낮은 온도에서 보다 안정하게 환원된 형광체 및 이의 제조방법을 제공할 수 있다.
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