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公开(公告)号：KR1020100092811A
公开(公告)日：2010-08-23
申请号：KR1020090012117
申请日：2009-02-13
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/302 , H01L21/20
Abstract: PURPOSE: A structure, a device including the same, and a method for manufacturing the same are provided to implement the planarization of a substrate with a concavo-convex part by using self-diffusive polymers. CONSTITUTION: A concavo-convex part is formed on the surface of a substrate. The polymer thin film is coated on the substrate. The polymer thin film includes a double layer comprised of a pair of a positively charged polyelectrolyte and a negatively charged polyelectrolyte. The part of the positively charged reactor included in the positively charged polyelectrolyte and the part of the negatively charged reactor included in the negatively charge polyelectrolyte are electrically neutral.
Abstract translation: 目的：提供一种结构体，包括该结构体的装置及其制造方法，以通过使用自扩散聚合物实现具有凹凸部分的基板的平面化。 构成：在基板的表面上形成凹凸部。 将聚合物薄膜涂覆在基材上。 聚合物薄膜包括由一对带正电的聚电解质和带负电荷的聚电解质组成的双层。 包含在带正电荷的聚电解质中的带正电荷的反应器的部分和包含在负电聚合电解质中的带负电荷的反应器的部分是电中性的。
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公开(公告)号：KR102199223B1
公开(公告)日：2021-01-06
申请号：KR1020190072972
申请日：2019-06-19
Applicant: 광운대학교 산학협력단 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L21/02
Abstract: 본실시예들은용액공정을이용하여절연층을형성하고, 용액공정을이용하여제1 채널층을형성하고, 용액공정및 자외선처리방식을이용하여제2 채널층을형성하여이종접합구조로전도층을형성함으로써, p형반도체와 n형반도체로동작하는양극성트랜지스터및 그제조방법을제공한다.
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公开(公告)号：KR101966284B1
公开(公告)日：2019-04-08
申请号：KR1020170076395
申请日：2017-06-16
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H04L12/801 , H04L12/707 , H04L12/851 , H04L12/815
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公开(公告)号：KR101852925B1
公开(公告)日：2018-04-30
申请号：KR1020110126087
申请日：2011-11-29
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: B32B5/18 , B01D61/002 , B01D67/003 , B01D69/10 , B01D69/105 , B01D2323/24 , B01D2323/26 , B01D2325/02 , B01D2325/14 , B01D2325/16 , Y10T428/249955 , Y10T428/249956 , Y10T428/249958
Abstract: 복수의가상의구형체형상이 3차원방향으로서로접하도록쌓인가상의적층체에서상기가상의구형체간의간극을메우는형상의비다공성템플레이트(template); 및상기가상의적층체형상내부에존재하도록상기비다공성템플레이트내부에적층된이온성고분자코팅층을포함하는혼성다공성구조체가제공된다. 상기가상의구형체내부의중심부에기공이형성될수 있다. 상기혼성다공성구조체는두 개의상기가상의구형체형상이접하는영역에형성된기공인네크(neck)를복수개 포함할수 있다. 상기네크는상기구형체내부의중심부에존재하는기공과연결(interconnected)될수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101852924B1
公开(公告)日：2018-04-30
申请号：KR1020110114745
申请日：2011-11-04
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: B01D69/02 , B01D67/003 , B01D67/0079 , B01D69/10 , B01D69/148 , B01D71/021 , B01D71/024 , B01D71/028 , B01D71/80 , B01D2325/24 , B29C67/202
Abstract: 나노기공구조를형성하는다공성영역과비다공성(non-porous) 영역을포함하는혼성다공성구조체가제공된다. 상기다공성영역은구형체가 3차원방향으로서로접하도록쌓인구조를형성하고, 상기비다공성영역은상기다공성영역의구형체간의간극을메워형성된구조를형성한다.
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公开(公告)号：KR101705464B1
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：KR1020150145300
申请日：2015-10-19
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H04L12/823 , H04L12/801 , H04L12/721 , H04L12/703
Abstract: 본발명은전송완료시간향상을위한능동적인인터레스트패킷관리방법및 그시스템에관한것으로, 콘텐츠중심네트워크기반의패킷관리방법에있어서, (a) 라우터가인터레스트패킷을드롭시켜링크의혼잡을제어하는단계; 및 (b) 라우터가상기패킷을드롭할때, NACK(Negative-ACKnowldegment) 부호를콘텐츠요청자에게전송하는단계를포함한다. 이와같은본 발명은, 콘텐츠중심네트워크에서링크혼잡으로인한데이터패킷의손실을막아데이터패킷의손실에대한복구의지연을예방하고, 링크혼잡으로인해데이터패킷의손실이발생했을때 손실복구의지연으로인한콘텐츠전송완료시간의증가를막기위한패킷관리방법및 그시스템을제공한다.
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公开(公告)号：KR101556644B1
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：KR1020140154687
申请日：2014-11-07
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 금속산화물트랜지스터및 상기금속산화물트랜지스터의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 金属氧化物晶体管及其制造方法技术领域本发明涉及金属氧化物晶体管及其制造方法。 金属氧化物晶体管包括基板（110），源极和漏极（120），栅电极（130），半导体层（140）和离子凝胶层（150）。
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公开(公告)号：KR1020200144838A
公开(公告)日：2020-12-30
申请号：KR1020190072972
申请日：2019-06-19
Applicant: 광운대학교 산학협력단 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L21/02
Abstract: 본실시예들은용액공정을이용하여절연층을형성하고, 용액공정을이용하여제1 채널층을형성하고, 용액공정및 자외선처리방식을이용하여제2 채널층을형성하여이종접합구조로전도층을형성함으로써, p형반도체와 n형반도체로동작하는양극성트랜지스터및 그제조방법을제공한다.
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