公开(公告)号：KR20210031105A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：KR1020190112630A

申请日：2019-09-11

Applicant: 세메스 주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 최해원 ,  연예림 ,  커랴킨 ,  최기훈 ,  고영란 ,  조정호 ,  강형석 ,  민홍기

IPC: G03F7/30 ,  C11D1/66 ,  C11D11/00 ,  G03F7/039 ,  G03F7/32 ,  G03F7/42 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/6715 ,  G03F7/162 ,  G03F7/30 ,  C11D1/667 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/168 ,  G03F7/32 ,  G03F7/325 ,  G03F7/40 ,  G03F7/422 ,  G03F7/423 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67225 ,  G03F7/039 ,  G03F7/322

Abstract: 본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 현상액이 도포된 상태로 반입된 기판으로 유기 용매를 도포하는 제1공정 챔버; 상기 유기 용매가 도포된 상태로 반입된 상기 기판을 초임계 유체를 통해 처리 하는 제2공정 챔버를 포함한다.

公开(公告)号：KR101711391B1

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：KR1020150040635

申请日：2015-03-24

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 조정호 ,  김범준 ,  이영빈 ,  최용석 ,  황의헌

IPC: C01B31/04 ,  H01L29/786 ,  H01L29/66

Abstract: 그래핀의도핑방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR101556644B1

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：KR1020140154687

申请日：2014-11-07

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 조정호 ,  최용석 ,  김영훈 ,  박원영 ,  강문성

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 금속산화물트랜지스터및 상기금속산화물트랜지스터의제조방법에관한것이다.

Abstract translation: 金属氧化物晶体管及其制造方法技术领域本发明涉及金属氧化物晶体管及其制造方法。 金属氧化物晶体管包括基板（110），源极和漏极（120），栅电极（130），半导体层（140）和离子凝胶层（150）。

公开(公告)号：KR101802775B1

公开(公告)日：2017-11-29

申请号：KR1020160033647

申请日：2016-03-21

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 박진홍 ,  심재우 ,  이성주 ,  조정호 ,  우한영

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/423 ,  H01L29/73 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66

Abstract: 본발명의일 실시예에따른공명터널소자(resonant tunneling device)는축퇴된반도체층; 축퇴된반도체층상에형성되는제 1 무기물층; 제 1무기물층상에형성되는유기물층; 및유기물층상에형성되는전극층을포함하되, 유기물층은불연속적인복수의에너지준위를갖도록형성된다.

公开(公告)号：KR101546500B1

公开(公告)日：2015-08-24

申请号：KR1020140128468

申请日：2014-09-25

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 조정호 ,  이영빈

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/1136 ,  C01B32/182 ,  H01L31/10 ,  H01L31/101

Abstract: 광 검출 소자 및 광 검출 소자의 제작 방법에 관한 것으로, 광 검출 소자는 게이트 전극을 포함하고, 유전체층 및 자가결합계면층이 형성된 기판, 자가결합계면층의 상부에 서로 이격 되어 형성된 소스 전극 및 드레인 전극, 소스 전극과 드레인 전극을 연결하는 그래핀 채널층 및, 그래핀 채널층 상부에 형성된 페로브스카이트 박막을 포함한다.

Abstract translation: 本发明涉及光电检测器及其制造方法。 光检测器包括：基板，其包括栅电极，并且具有在自组合界面层的上部彼此分离的介电层和自组合界面层，源电极和漏电极，石墨烯 沟道层，其连接源电极和漏电极，以及形成在石墨烯通道层的上部的钙钛矿薄膜。

公开(公告)号：KR101744231B1

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：KR1020150113682

申请日：2015-08-12

Applicant: 성균관대학교산학협력단 ,  숭실대학교산학협력단

Inventor： 조정호 ,  김범준 ,  강문성

IPC: H01L51/05 ,  H01L29/16

Abstract: 그래핀-유기반도체수직형트랜지스터, 및상기그래핀-유기반도체수직형트랜지스터의제조방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020170019626A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：KR1020150113682

申请日：2015-08-12

Applicant: 성균관대학교산학협력단 ,  숭실대학교산학협력단

Inventor： 조정호 ,  김범준 ,  강문성

IPC: H01L51/05 ,  H01L29/16

Abstract: 그래핀-유기반도체수직형트랜지스터, 및상기그래핀-유기반도체수직형트랜지스터의제조방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020160114320A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：KR1020150040635

申请日：2015-03-24

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 조정호 ,  김범준 ,  이영빈 ,  최용석 ,  황의헌

IPC: C01B31/04 ,  H01L29/786 ,  H01L29/66

CPC classification number: C01B32/194 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/786

Abstract: 그래핀의도핑방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020140044763A

公开(公告)日：2014-04-15

申请号：KR1020130119462

申请日：2013-10-07

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 안종현 ,  조정호 ,  이승기

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78603

Abstract: The present invention relates to a graphene field effect transistor with dielectrics and gate electrodes having stable behaviors despite high strains and a method for manufacturing the same. According to an embodiment of the present invention, the method of manufacturing a graphene field effect transistor with dielectrics and gate electrodes having stable behaviors despite high strains includes a step of preparing a monolithically patterned graphene layer; a step of forming an insulating layer; and a step of forming a gate electrode. [Reference numerals] (AA) Patterned graphene; (BB) Rubber; (CC) Aerosol jet printing; (DD) Nozzle; (EE) Ion gel printing; (FF) Ethanol; (GG,HH) Stretch(transformation); (II) PEDOT:PSS printing; (JJ) Hexane evaporation

Abstract translation: 石墨烯场效应晶体管及其制造方法技术领域本发明涉及具有电导率和栅电极的石墨烯场效应晶体管，其具有稳定的行为，并且具有高应变性及其制造方法。 根据本发明的实施例，制造具有稳定行为的电介质和栅电极的石墨烯场效应晶体管的方法，尽管高应变包括制备单片图案化石墨烯层的步骤; 形成绝缘层的步骤; 以及形成栅电极的步骤。 （标号）（AA）图案化石墨烯; （BB）橡胶; （CC）气溶胶喷墨印刷; （DD）喷嘴; （EE）离子凝胶印刷; （FF）乙醇; （GG，HH）拉伸（转化）; （二）PEDOT：PSS印刷; （JJ）己烷蒸发

公开(公告)号：KR1020120034349A

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：KR1020100095834

申请日：2010-10-01

Applicant: 성균관대학교산학협력단 ,  숭실대학교산학협력단

Inventor： 안종현 ,  조정호 ,  홍병희 ,  장호욱 ,  이승기 ,  김범준

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0669 ,  H01L29/16 ,  H01L29/4908 ,  H01L51/0045

Abstract: PURPOSE: A flexible field effect transistor and a manufacturing method thereof are provided to manufacture low voltage operation graphene FET(Field Effect Transistor) array on a plastic substrate by using ionic gel for a gate insulator. CONSTITUTION: A semiconductor layer includes a carbon nano-structure which is arranged to form a channel region between a source electrode and a drain electrode. The carbon nano structure includes graphene. The graphene is formed on a metal catalytic layer by chemical vapor deposition. An ionic gel layer is formed between the semiconductor layer and the gate electrode including the carbon nano-structure. The ionic gel layer forms an insulator layer between the channel region and the gate electrode.

Abstract translation: 目的：提供一种灵活的场效应晶体管及其制造方法，通过使用离子凝胶作为栅极绝缘体，在塑料基板上制造低压操作石墨烯FET（场效应晶体管）阵列。 构成：半导体层包括碳纳米结构，其被布置成在源极和漏极之间形成沟道区。 碳纳米结构包括石墨烯。 通过化学气相沉积在金属催化剂层上形成石墨烯。 在半导体层和包括碳纳米结构的栅电极之间形成离子凝胶层。 离子凝胶层在沟道区和栅电极之间形成绝缘体层。