公开(公告)号：KR101556644B1

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：KR1020140154687

申请日：2014-11-07

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 조정호 ,  최용석 ,  김영훈 ,  박원영 ,  강문성

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 금속산화물트랜지스터및 상기금속산화물트랜지스터의제조방법에관한것이다.

Abstract translation: 金属氧化物晶体管及其制造方法技术领域本发明涉及金属氧化物晶体管及其制造方法。 金属氧化物晶体管包括基板（110），源极和漏极（120），栅电极（130），半导体层（140）和离子凝胶层（150）。

公开(公告)号：KR101744231B1

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：KR1020150113682

申请日：2015-08-12

Applicant: 성균관대학교산학협력단 ,  숭실대학교산학협력단

Inventor： 조정호 ,  김범준 ,  강문성

IPC: H01L51/05 ,  H01L29/16

Abstract: 그래핀-유기반도체수직형트랜지스터, 및상기그래핀-유기반도체수직형트랜지스터의제조방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020170019626A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：KR1020150113682

申请日：2015-08-12

Applicant: 성균관대학교산학협력단 ,  숭실대학교산학협력단

Inventor： 조정호 ,  김범준 ,  강문성

IPC: H01L51/05 ,  H01L29/16

Abstract: 그래핀-유기반도체수직형트랜지스터, 및상기그래핀-유기반도체수직형트랜지스터의제조방법에관한것이다.