스틸바죠리늄-염 결정의 성장 방법
    21.
    发明授权
    스틸바죠리늄-염 결정의 성장 방법 有权
    生长芪唑盐晶体的方法

    公开(公告)号:KR101289851B1

    公开(公告)日:2013-07-26

    申请号:KR1020110076103

    申请日:2011-07-29

    Inventor: 권오필 김필주

    Abstract: 본 발명은 서로 다른 용매에서 순차적으로 성장하는 것을 특징으로 하는 스틸바죠리늄-염 결정의 성장 방법에 관한 것으로, 본 발명의 스틸바죠리늄-염 결정의 성장 방법은 스틸바죠리늄-염 결정을 서로 다른 용매에서 순차적으로 성장시킴으로써 선택적으로 결정의 두께 및 형태를 최적의 상태로 조절할 수 있고, 이는 광대역 THz 발생 및 검출원 등 결정의 특정 두께 및 형태가 요구되는 다양한 기술에 적용 가능하다.

    스틸바죠리늄-염 결정의 성장 방법
    22.
    发明公开
    스틸바죠리늄-염 결정의 성장 방법 有权
    硫酸钡晶体生长方法

    公开(公告)号:KR1020130014154A

    公开(公告)日:2013-02-07

    申请号:KR1020110076103

    申请日:2011-07-29

    Inventor: 권오필 김필주

    Abstract: PURPOSE: A method for growing stilbazolium-salt crystals in different solvents is provided to gradually grow the stilbazolium-salt crystals and to selectively and optimally control the thickness and form of the crystal. CONSTITUTION: A stilbazolium-salt crystal of chemical formula 1 gradually grows in different solvents. In chemical formula 1: R1, R2, and R3 are identical or different H, C1-C4 alkyl, substituted C1-C4 alkyl, a benzene ring, or a substituted benzene ring; and R4 is a benzene ring or a substituted benzene ring. The solvent is methanol, acetonitrile, acetone, methylethyl ketone, ethanol, or methylene chloride.

    Abstract translation: 目的:提供在不同溶剂中生长芪唑鎓晶体的方法,以逐渐生长芪唑盐晶体,并选择性地和最佳地控制晶体的厚度和形式。 构成:化学式1的芪唑鎓盐晶体在不同的溶剂中逐渐生长。 在化学式1中:R 1,R 2和R 3是相同或不同的H,C 1 -C 4烷基,取代的C 1 -C 4烷基,苯环或取代的苯环; R4是苯环或取代的苯环。 溶剂为甲醇,乙腈,丙酮,甲基乙基酮,乙醇或二氯甲烷。

    전자 주게 및 전자 받게를 포함하는 폴리엔 화합물을 포함하는 결정의 성장 특성 조절 방법
    24.
    发明授权
    전자 주게 및 전자 받게를 포함하는 폴리엔 화합물을 포함하는 결정의 성장 특성 조절 방법 失效
    用于控制含有具有电子供体和电子受体的多烯化合物的晶体的生长特性的方法

    公开(公告)号:KR101102457B1

    公开(公告)日:2012-01-05

    申请号:KR1020090074345

    申请日:2009-08-12

    Inventor: 권오필 최은영

    Abstract: 본 발명은 전자 주게 및 전자 받게를 포함하는 폴리엔 화합물을 포함하는 결정의 성장 방법에 관한 것으로서, 상기 결정의 성장 방법은, 금속염 첨가제의 존재 하에서 상기 폴리엔 화합물을 포함하는 결정을 성장시키는 것을 포함하며, 이러한 결정 성장 방법에 의하여 상기 전자 주게 및 전자 받게를 포함하는 폴리엔 화합물을 포함하는 결정의 두께, 모폴로지 등을 포함한 결정 특성을 조절할 수 있다.
    폴리엔, 결정 두께 조절, 첨가제, 금속염

    자기장을 이용한 폴리아닐린 필름 제조방법
    26.
    发明公开
    자기장을 이용한 폴리아닐린 필름 제조방법 无效
    聚酰亚胺薄膜过程的磁场

    公开(公告)号:KR1020100110599A

    公开(公告)日:2010-10-13

    申请号:KR1020090029021

    申请日:2009-04-03

    Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a polyaniline film is provided to form the polyaniline film using polyaniline including an aniline derivative with R and non-substituted aniline. CONSTITUTION: A manufacturing method of a polyaniline film using a magnetic field comprises the following steps: polymerizing an aniline derivative with R and unsubstituted aniline to form a polyaniline polymer; dissolving a dopant to the polyaniline polymer to form a polyaniline solution; locating a glass plate located on a heating plate in between magnetics with the S polarity and the N polarity; and spreading the polyaniline solution on the glass plate, and drying.

    Abstract translation: 目的:提供聚苯胺薄膜的制造方法,使用包含苯胺衍生物的聚苯胺与R和未取代的苯胺形成聚苯胺薄膜。 构成:使用磁场的聚苯胺膜的制造方法包括以下步骤:将苯胺衍生物与R和未取代的苯胺聚合以形成聚苯胺聚合物; 将掺杂剂溶解到聚苯胺聚合物以形成聚苯胺溶液; 将位于加热板上的玻璃板定位在具有S极性和N极性的磁体之间; 并将聚苯胺溶液铺展在玻璃板上并干燥。

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