公开(公告)号：KR1020130123592A

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：KR1020120046834

申请日：2012-05-03

Applicant: 광주과학기술원

Inventor： 박성주 ,  조창희 ,  강장원

IPC: H01L33/04

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/0008 ,  H01L33/14 ,  H01L2924/12041

Abstract: Disclosed is a light emitting diode having a band slope layer formed on an area in contact with a multi-quantum well layer which emits light. The band slope layer is formed on the upper and lower parts of the multi-quantum well layer. The band slope layer has a lower band gap than that of a barrier layer composing the multi-quantum well layer and has a value greater than the band gap of the well layer. When a forward bias is applied, excited electrons and holes are bounded in the well layer by tunneling the barrier layer. As a result, internal quantum efficiency can be increased continuously even when a high current is applied.

Abstract translation: 公开了一种发光二极管，其具有形成在与发射光的多量子阱层接触的区域上的带斜率层。 带状斜率层形成在多量子阱层的上部和下部。 带斜层具有比构成多量子阱层的势垒层的带隙低的带隙，并且具有大于阱层的带隙的值。 当施加正向偏压时，激发的电子和空穴通过隧穿阻挡层在阱层中被界定。 结果，即使施加高电流，也可以连续地提高内部量子效率。

公开(公告)号：KR100884887B1

公开(公告)日：2009-02-23

申请号：KR1020070112815

申请日：2007-11-06

Applicant: 광주과학기술원

Inventor： 박성주 ,  조창희 ,  문진수 ,  김백현 ,  김상균

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

Abstract: 광신호를 이용하여 쓰기 동작 및 소거 동작을 수행할 수 있는 비휘발성 메모리 소자가 개시된다. 비휘발성 메모리 소자는 채널 영역 상부에 유전층, 반도체 양자점 및 투명 전극층으로 구성된 게이트 전극을 가진다. 반도체 양자점은 유전층 내부에 존재하며, 투명 전극층을 투과하는 광신호에 의해 트랜지스터의 문턱전압을 변경시킨다. 광신호의 조사에 따른 문턱 전압의 변경에 의해 비휘발성 메모리 소자의 쓰기 및 소거 동작은 이루어진다. 또한, 비휘발성 메모리 소자는 이미지 센서로서도 사용된다. 즉, 노출되는 광에 의해 메모리 소자의 문턱 전압은 변경되므로 이를 이용하여 이미지 센서로서 사용될 수 있다.
비휘발성 메모리, 양자점, 이미지 센서