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公开(公告)号：KR1020170127088A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：KR1020160056907
申请日：2016-05-10
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원 , 광주과학기술원
CPC classification number: H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2924/12041 , H01L2933/0016
Abstract: 본발명의목적은반사도가우수하면서도반도체층과의오믹컨택을유지할수 있는발광다이오드용반사전극및 이의제조방법을제공하는데있다. 상기목적을달성하기위하여본 발명은반도체층 상에형성되는전도체홀 어레이층; 상기전도체홀 어레이층 상에형성되는도전성층; 및상기도전성층상부에형성되는알루미늄금속층;을포함하는것을특징으로하는발광다이오드용반사전극및 반도체층을형성하는단계; 상기반도체층 상부로전도체홀 어레이층을형성하는단계; 상기전도체홀 어레이층상부로도전성층을형성하는단계; 상기도전성층상부로알루미늄금속층을형성하는단계;를포함하는것을특징으로하는발광다이오드용반사전극의제조방법을제공한다. 본발명에따르면, 반사전극으로본 발명에서제시한구조를사용함으로써가시광영역뿐만아니라자외선영역에서도반사도가우수하여광추출효율이향상되며, 나아가반도체층과의오믹컨택을유지할수 있는효과가있다.
Abstract translation: 发明内容本发明的目的是提供一种用于发光二极管的反射电极及其制造方法，该反射电极能够保持与半导体层的欧姆接触，同时具有优异的反射率。 根据本发明的一个方面，提供了一种半导体器件，包括：形成在半导体层上的导电孔阵列层; 形成在导电孔阵列层上的导电层; 以及形成在所述导电层上的铝金属层，所述方法包括：形成用于发光二极管的反射电极和半导体层; 在半导体层上形成导体孔阵列层; 用导体孔阵列分层部分形成导电层; 7.根据权利要求1所述的制造用于发光二极管的反射电极的方法，其中， 根据本发明，通过使用在本发明中用作反射电极提出的结构，且反射率优于以提高光提取效率，以及在可见光区域，紫外光区域，还有一个进一步的效果，可以维持与半导体层的欧姆接触。
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公开(公告)号：KR101359486B1
公开(公告)日：2014-02-06
申请号：KR1020120046834
申请日：2012-05-03
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01L33/04
Abstract: 발광 동작을 수행하는 다중양자우물층과 접하는 부위에 형성된 밴드 경사층을 가지는 발광 다이오드가 개시된다. 밴드 경사층은 다중양자우물층의 상하부에 형성된다. 밴드 경사층은 다중양자우물층을 이루는 장벽층보다 낮은 밴드갭을 가지며, 우물층의 밴드갭 이상의 값을 가진다. 정방향 바이어스가 인가되면, 여기된 전자와 정공은 장벽층을 터널링하여 우물층으로 구속된다. 이를 통해 고전류가 인가되더라도 내부양자효율은 지속적으로 증가될 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020080068241A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：KR1020070005714
申请日：2007-01-18
Applicant: 광주과학기술원
Abstract: A silicon quantum dot light emitting device and a method for manufacturing the same are provided to increase light emission efficiency by discharging light to THE outside of the silicon quantum dot light emitting device. A silicon quantum dot light emitting device includes a silicon substrate(100), a surface plasmon layer(110), a silicon emission layer(120), a first metal layer(140), and a second metal layer(160). The surface plasmon layer is formed on the silicon substrate. The silicon emission layer is formed on the surface plasmon layer. The first metal layer is formed on the silicon emission layer, and injects an electron to the silicon emission layer. The second metal layer is formed on a rear surface of the surface plasmon layer, and injects a hole to the silicon emission layer. The surface plasmon layer is coupled with the silicon emission layer by surface plasmon. The surface plasmon layer reflects light generated by the silicon emission layer.
Abstract translation: 提供硅量子点发光器件及其制造方法，以通过将光放电到硅量子点发光器件的外部来提高发光效率。 硅量子点发光器件包括硅衬底（100），表面等离子体激元层（110），硅发射层（120），第一金属层（140）和第二金属层（160）。 表面等离子体膜层形成在硅衬底上。 在表面等离子体层上形成硅发射层。 在硅发射层上形成第一金属层，并向硅发射层注入电子。 第二金属层形成在表面等离子体激元层的后表面上，并向硅发射层注入空穴。 表面等离子体层通过表面等离子体激元与硅发射层耦合。 表面等离子体层反射由硅发射层产生的光。
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公开(公告)号：KR100899940B1
公开(公告)日：2009-05-28
申请号：KR1020070005714
申请日：2007-01-18
Applicant: 광주과학기술원
Abstract: 표면 플라즈몬을 이용하는 실리콘 양자점 발광소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 실리콘 기판 상에 표면 플라즈몬층이 형성되고 표면 플라즈몬층 상에 양자점을 가진 실리콘 발광층이 구비된다. 표면 플라즈몬층은 실리콘 발광층과 커플링되고, 소정의 반사율을 가진 Ag, Au, Al, Cu, Pt 및 Pb로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나로 형성된다. 표면 플라즈몬층은 1차원 또는 2차원 배열의 불규칙적이거나 규칙적인 배열을 가지고, 실리콘 발광층과 커플링되어 광효율을 향상시킨다.
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公开(公告)号：KR1020080104935A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：KR1020070112815
申请日：2007-11-06
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L21/28273 , H01L29/517
Abstract: A nonvolatile optoelectronic memory device is provided to minimize the power consumption by using only optical signal. A nonvolatile memory device comprises the substrate(100), the source/drain region(120), and the gate electrode(140). The source/drain region is formed on the top of the substrate. The gate electrode is formed on the upper part of channel region between the source/drain areas. The gate electrode varies the threshold voltage according to the optical signal irradiated. The gate electrode comprises the dielectric layer(142), and the transparent electrode layer(144). The dielectric layer is formed on the upper part of the channel region and has the semiconductor quantum dot(143). The transparent electrode layer is formed on the dielectric layer upper part and the optical signal is transmitted.
Abstract translation: 提供非易失性光电存储器件以通过仅使用光信号来最小化功耗。 非易失性存储器件包括衬底（100），源/漏区（120）和栅电极（140）。 源极/漏极区域形成在衬底的顶部上。 栅极电极形成在源极/漏极区域之间的沟道区域的上部。 栅电极根据照射的光信号改变阈值电压。 栅电极包括电介质层（142）和透明电极层（144）。 电介质层形成在沟道区的上部并具有半导体量子点（143）。 在电介质层上部形成透明电极层，透过光信号。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020160110837A
公开(公告)日：2016-09-22
申请号：KR1020150035096
申请日：2015-03-13
Applicant: 광주과학기술원 , 재단법인대구경북과학기술원
CPC classification number: H01L33/42 , H01L31/0224 , H01L51/5215 , H01B13/0026 , H01B1/02 , H01B1/08
Abstract: 금속나노홀패턴층을구비한다층투명전극이제공된다. 구체적으로, 상기다층투명전극은, 하부산화물층, 상기하부산화물층상에배치된금속나노홀패턴층및 상기금속나노홀패턴층상에배치된상부산화물층을포함할수 있다. 이에, 본발명은금속나노홀패턴층의패턴주기및 나노홀크기를조절함으로써, 상기금속나노홀패턴층에의해발생되는표면플라즈몬현상을통해특정파장영역에서의다층투명전극의투과도를향상시킬수 있다. 또한, 본발명의금속나노홀패턴층을구비한다층투명전극은홀 크기를조절하여최적화된면저항을구현할수 있어, 이를적용한소자의전기적특성을향상시킬수 있다.
Abstract translation: 提供了包括金属纳米孔图案层的多层透明电极。 具体地，多层透明电极包括：低氧化物层; 安装在低氧化物层上的金属纳米孔图案层; 以及安装在金属纳米孔图案层上的上氧化层。 因此，多层透明电极可以通过由金属纳米孔图案层产生的表面等离子体现象来改善预定波长区域的透射率。 此外，包括金属纳米孔图案层的多层透明电极可以通过控制孔的尺寸来实现优化的表面电阻，从而提高施加多层透明电极的元件的电特性。
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公开(公告)号：KR101803545B1
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：KR1020160056907
申请日：2016-05-10
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원 , 광주과학기술원
Abstract: 본발명의목적은반사도가우수하면서도반도체층과의오믹컨택을유지할수 있는발광다이오드용반사전극및 이의제조방법을제공하는데있다. 상기목적을달성하기위하여본 발명은반도체층 상에형성되는전도체홀 어레이층; 상기전도체홀 어레이층 상에형성되는도전성층; 및상기도전성층상부에형성되는알루미늄금속층;을포함하는것을특징으로하는발광다이오드용반사전극및 반도체층을형성하는단계; 상기반도체층 상부로전도체홀 어레이층을형성하는단계; 상기전도체홀 어레이층상부로도전성층을형성하는단계; 상기도전성층상부로알루미늄금속층을형성하는단계;를포함하는것을특징으로하는발광다이오드용반사전극의제조방법을제공한다. 본발명에따르면, 반사전극으로본 발명에서제시한구조를사용함으로써가시광영역뿐만아니라자외선영역에서도반사도가우수하여광추출효율이향상되며, 나아가반도체층과의오믹컨택을유지할수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR1020130123592A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：KR1020120046834
申请日：2012-05-03
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01L33/04
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0008 , H01L33/14 , H01L2924/12041
Abstract: Disclosed is a light emitting diode having a band slope layer formed on an area in contact with a multi-quantum well layer which emits light. The band slope layer is formed on the upper and lower parts of the multi-quantum well layer. The band slope layer has a lower band gap than that of a barrier layer composing the multi-quantum well layer and has a value greater than the band gap of the well layer. When a forward bias is applied, excited electrons and holes are bounded in the well layer by tunneling the barrier layer. As a result, internal quantum efficiency can be increased continuously even when a high current is applied.
Abstract translation: 公开了一种发光二极管，其具有形成在与发射光的多量子阱层接触的区域上的带斜率层。 带状斜率层形成在多量子阱层的上部和下部。 带斜层具有比构成多量子阱层的势垒层的带隙低的带隙，并且具有大于阱层的带隙的值。 当施加正向偏压时，激发的电子和空穴通过隧穿阻挡层在阱层中被界定。 结果，即使施加高电流，也可以连续地提高内部量子效率。
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公开(公告)号：KR100884887B1
公开(公告)日：2009-02-23
申请号：KR1020070112815
申请日：2007-11-06
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 광신호를 이용하여 쓰기 동작 및 소거 동작을 수행할 수 있는 비휘발성 메모리 소자가 개시된다. 비휘발성 메모리 소자는 채널 영역 상부에 유전층, 반도체 양자점 및 투명 전극층으로 구성된 게이트 전극을 가진다. 반도체 양자점은 유전층 내부에 존재하며, 투명 전극층을 투과하는 광신호에 의해 트랜지스터의 문턱전압을 변경시킨다. 광신호의 조사에 따른 문턱 전압의 변경에 의해 비휘발성 메모리 소자의 쓰기 및 소거 동작은 이루어진다. 또한, 비휘발성 메모리 소자는 이미지 센서로서도 사용된다. 즉, 노출되는 광에 의해 메모리 소자의 문턱 전압은 변경되므로 이를 이용하여 이미지 센서로서 사용될 수 있다.
비휘발성 메모리, 양자점, 이미지 센서
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