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公开(公告)号：KR1020090078281A
公开(公告)日：2009-07-17
申请号：KR1020080004141
申请日：2008-01-14
Applicant: 전북대학교산학협력단
Abstract: A chemical sensor for the hydrazine detection based on the zinc oxide nanostructures is provided to synthesize the ZnO nanostructures according to the thermal evaporation process of being simple without catalyst. A chemical sensor for the hydrazine detection based on the zinc oxide nanostructures comprises Nafion / ZnO structure/ electrode structure and detects the hydrazine by electro-chemical analyzing tri-electrode consisting of working electrode, counter-electrode and reference electrode. The Nafion / ZnO structure/ electrode structure uses the electrode modified using the ZnO nanostructures. The ZnO nanostructures comprises the nano structure like the nanorods of the nano nail or hexagonal.
Abstract translation: 提供了一种基于氧化锌纳米结构的肼检测化学传感器，根据热蒸发过程合成ZnO纳米结构，简单无催化剂。 用于基于氧化锌纳米结构的肼检测的化学传感器包括Nafion / ZnO结构/电极结构，并通过电化学分析工作电极，对电极和参比电极组成的三电极来检测肼。 Nafion / ZnO结构/电极结构使用使用ZnO纳米结构改性的电极。 ZnO纳米结构包括像纳米钉或六角形的纳米棒那样的纳米结构。
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公开(公告)号：KR1020020023244A
公开(公告)日：2002-03-28
申请号：KR1020020000140
申请日：2002-01-02
Applicant: 전북대학교산학협력단
IPC: H01L21/205
Abstract: PURPOSE: A low dielectric SiCFO thin film growth using a plasma-enhanced chemical vapor deposition(PECVD) method is provided to be used as an interlayer dielectric of a metal interconnection, by growing the SiCFO thin film at a low temperature such that the SiCFO thin film has a low dielectric constant and thermal stability. CONSTITUTION: A Si-C-F-O based dielectric thin film having a low dielectric constant(k is from 1.2 to 2.2) is fabricated by a PECVD method. Gas or liquid containing SiCH4, (CH3)3SiC-CSi(CH3)3, £(CH3)3Si|sCH2, £(CH3)3Si|2S, (CH3)3CSi(CH3)2Cl, (CH3)2SiCl2, (CH3)2Si(OC2H5)2, £(CH3)2Si-|n, C2H5SiCl3, (CH3)3SiSi(CH3)3, (CH3)3SiCl, (CH3)3SiOC2H5, (CH3)3SiH, (CH3)3SiCCH, (C5H5)Si(CH3)3, SiF4, COF2, ClF3, C(CF3)2C, CH3F, (CF3)2CO, C2F3N, CF4, NF3, NH3, O2 and O3 is used as a raw material.
Abstract translation: 目的：通过在低温下生长SiCFO薄膜，使用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法提供了用于金属互连的层间电介质的低介电SiCFO薄膜生长，使得SiCFO薄 膜具有低介电常数和热稳定性。 构成：通过PECVD法制造具有低介电常数（k为1.2至2.2）的Si-C-F-O系介电薄膜。 含有SiCH4，（CH3）3SiC-CSi（CH3）3，£（CH3）3Si | sCH2，£（CH3）3Si | 2S，（CH3）3CSi（CH3）2Cl，（CH3）2SiCl2，（CH3） （CH 3）3 SiCl 2 H 5，（CH 3）3 SiH 2，（CH 3）3 SiH 2，（CH 3）3 SiH 3，Si（CH 3）3 SiH 3，Si（CH 3）3 SiH 3， （CH3）3，SiF4，COF2，ClF3，C（CF3）2C，CH3F，（CF3）2CO，C2F3N，CF4，NF3，NH3，O2和O3用作原料。
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公开(公告)号：KR101410034B1
公开(公告)日：2014-06-24
申请号：KR1020120059183
申请日：2012-06-01
Applicant: 전북대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 P-타입의 ZnO 나노입자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 P-타입 ZnO 나노입자를 이용하여 전자잉크를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 1족 원소(Li, Na, K, Rb, Cs, Fr) 또는 5족 원소(P, As, Sb, Bi)들을 도펀트(Dopant)로 이용하여 공정이 단순하고, 신뢰도가 높고, 비용이 저렴한 용액법 기반의 P-타입 ZnO 나노입자 및 그 제조방법을 제공하는 데에 그 목적이 있다. 상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 상기 원소들로 도핑(Doping)된 P-타입 ZnO 구형 또는 다각형의 나노입자를 제공한다. 본 발명은 아세트산 아연(Zinc Acetate) 수용액에 아세트산(Acetic Acid)을 혼합하는 1단계, 상기 1단계의 결과물을 80℃로 가열하고 환류(Reflux)하는 2단계 및 상기 2단계의 결과물을 80℃로 가열하고 0.1 M 수산화 나트륨(NaOH) 용액을 첨가하는 3단계;를 포함하는 P-타입 ZnO 나노입자 제조방법을 제공한다. 또한, 본 발명은 상기 P-타입 ZnO 나노입자를 소정의 잉크용매와 혼합하여 제조한 전자잉크 및 그 제조방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020120125047A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：KR1020110043092
申请日：2011-05-06
Applicant: 전북대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A selective alignment growth method of a zinc oxide nano pillar array is provided to produce a soft device by utilizing a one-dimension nanostructure and to improve interface adhesive force of a zinc oxide nano pillar. CONSTITUTION: The surface of a substrate(1) is processed with plasma(2). An electrode layer(3) is formed on the substrate. A photoresist layer is formed on the substrate. A negative pattern is formed on the photoresist layer. A seed layer(4) is formed on the electrode layer. A nano pillar is formed on the seed layer.
Abstract translation: 目的：提供氧化锌纳米柱阵列的选择性取向生长方法，通过利用一维纳米结构并提高氧化锌纳米柱的界面粘附力来生产软装置。 构成：用等离子体（2）处理衬底（1）的表面。 在基板上形成电极层（3）。 在基板上形成光致抗蚀剂层。 在光致抗蚀剂层上形成负图形。 种子层（4）形成在电极层上。 在种子层上形成纳米柱。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101082230B1
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：KR1020110092762
申请日：2011-09-15
Applicant: 전북대학교산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , B82Y40/00
Abstract: 본발명은나노와이어를포함하는다양한구조를갖는박막트랜지스터및 그제조방법에관한것이다. 본발명에의한박막트랜지스터제조방법은기판에절연층을형성하는단계와, 절연층위에시드층을형성하는단계와, 시드층을부분식각하기위한식각방지층을시드층에도포하는단계와, 시드층을부분식각하는단계와, 식각된시드층의수평방향으로나노와이어를측면성장시키는단계와, 식각방지층을제거하고시드층위에소스/드레인중 어느하나의전극을형성하는단계를포함한다. 본발명에의하면, 크로스링크의우려가없는나노와이어를반도체채널층으로성장시켜높은전자이동도를갖는다양한구조의박막트랜지스터를용이하게제조할수 있다. 또한촉매없이저온, 대면적공정에서나노와이어를포함하는다양한구조의박막트랜지스터를대량으로제조할수 있다.
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公开(公告)号：KR101076544B1
公开(公告)日：2011-10-24
申请号：KR1020100037826
申请日：2010-04-23
Applicant: 전북대학교산학협력단
IPC: H01L29/786 , B82B3/00
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/0673 , H01L29/41733
Abstract: 본 발명은 나노와이어를 포함하는 다양한 구조를 갖는 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 박막 트랜지스터 제조방법은 기판에 절연층을 형성하는 단계와, 절연층 위에 시드층을 형성하는 단계와, 시드층을 부분 식각하기 위한 식각 방지층을 시드층에 도포하는 단계와, 시드층을 부분 식각하는 단계와, 식각된 시드층의 수평 방향으로 나노와이어를 측면 성장시키는 단계와, 식각 방지층을 제거하고 시드층 위에 소스/드레인 중 어느 하나의 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 크로스링크의 우려가 없는 나노와이어를 반도체 채널층으로 성장시켜 높은 전자이동도를 갖는 다양한 구조의 박막 트랜지스터를 용이하게 제조할 수 있다. 또한 촉매 없이 저온, 대면적 공정에서 나노와이어를 포함하는 다양한 구조의 박막 트랜지스터를 대량으로 제조할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020030046859A
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：KR1020010077142
申请日：2001-12-06
Applicant: 전북대학교산학협력단
IPC: H01L39/24
Abstract: PURPOSE: A micro patterning and device manufacturing method of an Y-Ba-Cu-O superconductor using plasma are provided to improve the characteristics of a transistor by manufacturing an SFFT(Superconducting Flux Flow Transistor). CONSTITUTION: After coating photoresist on the Y-Ba-Cu-O superconducting thin film, the photoresist is exposed and etched by using the first mask. A control current line and a bias current line are patterned by a dry etching process using plasma. An exposing and etching process are carried out for forming a link pattern on the bias current line of the Y-Ba-Cu-O superconducting thin film. Then, the link pattern is formed by a dry etching process using plasma. An SFFT device is completed by forming a metal electrode on the resultant structure.
Abstract translation: 目的：提供使用等离子体的Y-Ba-Cu-O超导体的微图案化和器件制造方法，以通过制造SFFT（超导磁通流量晶体管）来改善晶体管的特性。 构成：在Y-Ba-Cu-O超导薄膜上涂覆光致抗蚀剂后，通过使用第一掩模曝光和蚀刻光致抗蚀剂。 通过使用等离子体的干蚀刻工艺对控制电流线和偏置电流线进行构图。 进行曝光和蚀刻处理以在Y-Ba-Cu-O超导薄膜的偏置电流线上形成连接图案。 然后，通过使用等离子体的干蚀刻工艺形成连接图案。 通过在所得结构上形成金属电极来完成SFFT装置。
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公开(公告)号：KR101339851B1
公开(公告)日：2013-12-23
申请号：KR1020110131603
申请日：2011-12-09
Applicant: 전북대학교산학협력단 , 동우 화인켐 주식회사
Abstract: 본발명은인쇄전자(printed electronics) 기술에이용되는고 결정성산화아연(ZnO) 양자점(Quantum Dots) 제조방법및 그의잉크화방법에관한것이다. 본발명은분산성이양호하고, 저온공정으로제조가가능하며, 대량생산이용이한전자인쇄용잉크를제공하는데그 목적이있다. 본발명은고 결정성산화아연양자점을제조하고이를잉크화하는전자인쇄용잉크및 그의제조방법을제공하는데그 목적이있다. 상기목적을달성하기위한본 발명은아연아세테이트이수화물(Zinc acetate dihydrate)을메탄올(Methanol)에용해하는 1단계, 수산화칼륨(KOH)을메탄(Methanol)올에용해하는 2단계, 상기 1단계의결과물을 55℃내지 64.7℃로가열하는 3단계, 상기 3단계의결과물에상기 2단계의결과물을 pH가 9가될 때까지첨가하는 4단계, 상기 4단계의결과물을반응시키는 5단계, 상기 5단계의결과물을 25℃내지 64.7℃로가열하는 6단계, 3차증류수(Deionized Water)를 25℃로내지 100℃로가열하는 7단계및 상기 6단계의결과물과상기 3차증류수(Deionized Water)가반응되도록혼합하여산화아연양자점(ZnO Quantum Dots)을제조하는제8단계를포함하는산화아연양자점의제조방법을제공한다. 본발명에의하면분산성이양호하고, 저온공정으로제조가가능하며, 대량생산이용이한산화아연양자점및 이를잉크화하는방법을제공하는효과가있다.
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公开(公告)号：KR1020130092318A
公开(公告)日：2013-08-20
申请号：KR1020120013980
申请日：2012-02-10
Applicant: 한국기계연구원 , 서울대학교산학협력단 , 전북대학교산학협력단
CPC classification number: A61N1/36032 , A61N1/0541 , A61N1/36036 , H04R1/083 , H04R17/02 , H04R31/006 , H04R2430/03
Abstract: PURPOSE: An artificial cochlea device for the active feedback controlling and a method thereof are provided to copy the mechanism of an outer hair cell of the cochlea through an actuator which is driven by the sound pressure, thereby classifying and recognizing various sizes of sound by the pressure deviation. CONSTITUTION: A sensor unit senses the vibration by sound, and generates an electric signal corresponding to the size of the vibration. The sensor unit comprises a plurality of operator (230) which moves a frequency dividing unit in response to the electric signal. The operator operates the sensitivity by the size of sound or the selectivity of sound which is sensed by each frequency band. A plurality of operator is arranged separately to a plurality of base unit (216). The plurality of operator is consecutively connected along a first substrate (210) or a second substrate (212). The operator moves up and down by the electric signal which is generated in the base unit and a nanopillar (214).
Abstract translation: 目的：提供一种用于主动反馈控制的人造耳蜗装置及其方法，用于通过由声压驱动的致动器来复制耳蜗外毛细胞的机构，由此分类并识别各种尺寸的声音 压力偏差。 构成：传感器单元通过声音感知振动，并产生与振动大小相对应的电信号。 传感器单元包括响应于电信号移动分频单元的多个操作器（230）。 操作员通过声音的大小或由每个频带感测到的声音的选择性来操作灵敏度。 多个操作者分离地布置到多个基座单元（216）。 多个操作者沿着第一基板（210）或第二基板（212）连续地连接。 操作者通过在基本单元中产生的电信号和纳米柱（214）来上下移动。
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