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公开(公告)号：WO2013162102A1
公开(公告)日：2013-10-31
申请号：PCT/KR2012/003247
申请日：2012-04-26
Applicant: 전북대학교산학협력단 , 임연호 , 라현욱 , 김진태
IPC: G01N33/53 , G01N33/487 , B82B3/00
CPC classification number: G01N33/54346 , G01N27/4146 , G01N33/54393
Abstract: 본 발명은 산, 염기성용액, 혈액 등에서 나노와이어가 용해되지 않는 등 안정성이 확보된 바이오센서 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 나노와이어 표면에 플라즈마 중합법을 이용하여 탄화수소 또는 불화탄소로 보호층을 형성하는 단계와, 상기 보호층에 항체를 고정화시키는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有稳定性的生物传感器及其制造方法，其中纳米线不被酸性和碱性溶液或血液溶解。 生物传感器的制造方法包括通过使用烃或氟化碳通过等离子体聚合在纳米线的表面上形成保护层的步骤和将抗体固定在保护层上的步骤。
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公开(公告)号：KR101143779B1
公开(公告)日：2012-05-11
申请号：KR1020100005846
申请日：2010-01-22
Applicant: 전북대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 고압용 열전도도 측정장치에 관한 것으로써, 기존의 방식보다 고압에서 보다 간편하고 정확하게 시료의 열전도도를 측정할 수 있음은 물론 종래처럼 부피가 크고 무게가 무거운 고가의 열전도도 측정장비를 사용하여 많은 양의 시료를 이용한 열전도도를 측정할 필요가 없어지게 되고, 또한 소형으로 주물성형제작된 측정부재의 안전성을 확보할 수 있어 물질 개발단계에 연구용 장비로 활용할 수 있고, 나아가 상기 측정부재의 구조가 간단하기 때문에 상기 측정부재의 제조비용이 크게 절감될 수 있음은 물론 이로 인해 시중에 저가로 유통될 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR101729937B1
公开(公告)日：2017-05-04
申请号：KR1020160026418
申请日：2016-03-04
Applicant: 에프에스엠테크(주) , 전북대학교산학협력단
IPC: G01N27/414 , H01L21/02 , H01L29/06
Abstract: 본발명은반도체식염화수소가스센서에관한것으로, 반도체박막이형성된기판; 상기기판상에형성되는나노선패턴; 상기반도체박막및 나노선패턴상에형성되는보호층으로이루어지되, 상기보호층이형성된나노선패턴상에가스반응성물질이도포되는것을특징으로한다. 또한, 본발명에따른반도체식염화수소가스센서의제조방법은 a) 반도체박막및 상기반도체박막상에형성된나노선패턴의표면에염화수소가스에의한부식을방지하기위한보호층을형성하는단계; b) 염화수소가스에반응하는가스반응성물질을상기보호층위에도포하는기능화단계;를포함하는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR1020120097582A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：KR1020110016868
申请日：2011-02-25
Applicant: 전북대학교산학협력단
IPC: G01N33/543 , G01N33/553 , B29C59/14
Abstract: PURPOSE: A biosensor with stability and a method for manufacturing the same are provided to prevent dissolution of a nanowire in acid and basic solutions and blood. CONSTITUTION: A method for manufacturing a biosensor comprises: a step of forming a protection layer on the surface of a nanowire by plasma polymerization; and a step of immobilizing an antibody to the protection layer. The nanowire is ZnO, SnO_2, Si, or GaN. The biosensor comprises: the nanowire; the protection layer formed by plasma polymerization; and an antibody immobilized on the protection layer.
Abstract translation: 目的：提供具有稳定性的生物传感器及其制造方法，以防止纳米线在酸和碱性溶液和血液中的溶解。 构成：生物传感器的制造方法，包括：通过等离子体聚合在纳米线表面形成保护层的工序; 以及将抗体固定在保护层上的步骤。 纳米线是ZnO，SnO_2，Si或GaN。 生物传感器包括：纳米线; 通过等离子体聚合形成的保护层; 和固定在保护层上的抗体。
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公开(公告)号：KR100971587B1
公开(公告)日：2010-07-20
申请号：KR1020080018410
申请日：2008-02-28
Applicant: 전북대학교산학협력단
IPC: B82B3/00 , H01L21/027
Abstract: 본 발명은 수율이 높은 웨이퍼 단위의 정렬된 나노와이어를 제조 할 수 있고, 나노와이어의 크기를 나노미터 수준에서 조절할 수 있어 나노와이어 소자의 고집적화 및 대량생산화 할 수 있는 나노와이어 및 그 응용 소자들의 제조방법에 관한 것이다. 상세하게는 기판 상에 절연층을 증착하는 단계, 상기 절연층상에 식각 방지층을 증착하는 단계, 상기 식각 방지층 상에 희생층을 증착하는 단계, 상기 희생층을 일정폭 식각하여 나노와이어의 형성을 위한 패턴들을 만드는 단계, 상기 희생층 상에 원자층 증착법 (Atomic layer deposition) 을 이용하여 반도체 박막 또는 금속 박막을 증착하는 단계, 상기 박막을 선택적으로 제거하는 단계 및 잔존하는 상기 희생층을 제거하여 나노와이어를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 정렬된 나노와이어 및 그 응용 소자 제조방법에 관한 것이다.
나노와이어, 대량생산, 나노와이어 소자, 나노와이어 센서-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090093098A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：KR1020080018436
申请日：2008-02-28
Applicant: 전북대학교산학협력단
CPC classification number: B82B3/0038 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , C25D13/16 , C25D15/00
Abstract: A method for manufacturing nanowire and a nanowire hydrogen sensor is provided to produce a high-sensitivity hydrogen sensor to respond to the wide range of hydrogen concentration when palladium is used as a metal material. A method for manufacturing nanowire and a nanowire hydrogen sensor comprises: a first step of depositing an insulating layer(2) on a substrate(1); a second step of forming metal electrodes(3) on the insulating layer; a third step of forming a raw material layer(5) for nanowire on the metal electrodes; and a fourth step of applying high frequency alternating current power to the metal electrodes so as to form nanowire(6). In the third step, a raw material-containing solution is supplied between the metal electrodes and then the DC power is applied to it.
Abstract translation: 提供了制造纳米线和纳米线氢传感器的方法，以产生高灵敏度的氢传感器，以便在钯用作金属材料时响应宽范围的氢浓度。 一种制造纳米线和纳米线氢传感器的方法，包括：在衬底（1）上沉积绝缘层（2）的第一步骤; 在绝缘层上形成金属电极（3）的第二步骤; 在金属电极上形成用于纳米线的原料层（5）的第三步骤; 以及向金属电极施加高频交流电力以形成纳米线（6）的第四步骤。 在第三步骤中，在金属电极之间提供含原料的溶液，然后施加直流电力。
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公开(公告)号：KR1020090093081A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：KR1020080018410
申请日：2008-02-28
Applicant: 전북대학교산학협력단
IPC: B82B3/00 , H01L21/027
CPC classification number: B82B3/0095 , B82Y40/00
Abstract: A method for manufacturing aligned nanowire is provided to control the size of nanowire on the nanometer level easily and conveniently, thereby realizing mass production or high integration of application elements of the nanowire. A method for manufacturing aligned nanowire comprises the following steps of: depositing an insulating layer(2) on a substrate(1); depositing an etch preventive layer(3) on the insulating layer; depositing a sacrificial layer(4) on the etch preventive layer; partially etching the sacrificial layer in order to form a pattern for the formation of nanowire; depositing a semiconductor thin film or a metal thin film(5) on the sacrificial layer and the etch preventive layer which is exposed by the partial etching such that a horizontal and vertical layer of the semiconductor thin film or the metal thin film have uniform thickness; removing the horizontal layer; and removing the remaining sacrificial layer so as to form a semiconductor nanowire.
Abstract translation: 提供一种制造对准的纳米线的方法，可以方便地在纳米级上控制纳米线的尺寸，从而实现纳米线的应用元件的批量生产或高度集成。 制造对准的纳米线的方法包括以下步骤：在衬底（1）上沉积绝缘层（2）; 在所述绝缘层上沉积防蚀层（3）; 在所述防蚀层上沉积牺牲层（4）; 部分蚀刻牺牲层以形成用于形成纳米线的图案; 在半导体薄膜或金属薄膜的水平和垂直层具有均匀的厚度的情况下，通过部分蚀刻而在牺牲层和防蚀层上沉积半导体薄膜或金属薄膜（5）; 去除水平层; 并去除剩余的牺牲层以形成半导体纳米线。
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公开(公告)号：KR1020030046859A
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：KR1020010077142
申请日：2001-12-06
Applicant: 전북대학교산학협력단
IPC: H01L39/24
Abstract: PURPOSE: A micro patterning and device manufacturing method of an Y-Ba-Cu-O superconductor using plasma are provided to improve the characteristics of a transistor by manufacturing an SFFT(Superconducting Flux Flow Transistor). CONSTITUTION: After coating photoresist on the Y-Ba-Cu-O superconducting thin film, the photoresist is exposed and etched by using the first mask. A control current line and a bias current line are patterned by a dry etching process using plasma. An exposing and etching process are carried out for forming a link pattern on the bias current line of the Y-Ba-Cu-O superconducting thin film. Then, the link pattern is formed by a dry etching process using plasma. An SFFT device is completed by forming a metal electrode on the resultant structure.
Abstract translation: 目的：提供使用等离子体的Y-Ba-Cu-O超导体的微图案化和器件制造方法，以通过制造SFFT（超导磁通流量晶体管）来改善晶体管的特性。 构成：在Y-Ba-Cu-O超导薄膜上涂覆光致抗蚀剂后，通过使用第一掩模曝光和蚀刻光致抗蚀剂。 通过使用等离子体的干蚀刻工艺对控制电流线和偏置电流线进行构图。 进行曝光和蚀刻处理以在Y-Ba-Cu-O超导薄膜的偏置电流线上形成连接图案。 然后，通过使用等离子体的干蚀刻工艺形成连接图案。 通过在所得结构上形成金属电极来完成SFFT装置。
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公开(公告)号：KR101413592B1
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：KR1020110016797
申请日：2011-02-24
Applicant: 전북대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 산 및 염기성 용액 내에서 용해되지 않는 등 안정한 나노와이어를 제조할 수 있는 나노와이어의 제조방법에 관한 것으로서, 기판 상에 나노와이어를 성장시키는 단계와, 상기 나노와이어 표면에 플라즈마를 이용하여 탄화수소 또는 불화탄소로 보호층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020120097295A
公开(公告)日：2012-09-03
申请号：KR1020110016797
申请日：2011-02-24
Applicant: 전북대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of nano-wires which are stable under an acid anaerobic condition is provided to prevent the nano-wires from being dissolved in acid and basic solution, and blood. CONSTITUTION: A manufacturing method of nano-wires which are stable under an acid anaerobic condition comprises the following steps: growing the nano-wire on top of a substrate; and forming a protective layer with hydrocarbon or carbon fluoride on the nano-wire surface by using plasma. The nano-wire in the first step is composed of the one selected from ZnO, SnO2, and Si and GaN. The second step comprises the following steps: and forming a protective layer with hydrocarbon or carbon fluoride on top of the nano-wire surface by using the plasma. In the second step, the plasma vapor deposition condition is electricity of 100-1000W, the pressure of 10-100mTorr, and the flow rate of 10-100sccm of providing gas.
Abstract translation: 目的：提供在酸性厌氧条件下稳定的纳米线制造方法，以防止纳米线溶解在酸碱溶液和血液中。 构成：在酸性厌氧条件下稳定的纳米线的制造方法包括以下步骤：在衬底的顶部生长纳米线; 并通过使用等离子体在纳米线表面上形成具有烃或氟化碳的保护层。 第一步中的纳米线由选自ZnO，SnO2，Si和GaN组成的纳米线组成。 第二步包括以下步骤：通过使用等离子体在纳米线表面上形成具有烃或氟化碳的保护层。 在第二步中，等离子体气相沉积条件为100-1000W的电，10-100mTorr的压力和提供气体的10-100sccm的流量。
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