-
公开(公告)号：KR100852890B1
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：KR1020070005413
申请日：2007-01-17
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01N33/48
Abstract: 본 발명에 따른 온도센서를 포함하는 세포 대사정보 측정장치는 복수의 웰이 배열된 마이크로 플레이트, 복수의 웰 내부에 각각 침지되어 배양액 혹은 세포의 온도를 측정하기 위한 복수의 온도센서를 포함하는 온도 측정부, 온도 측정부를 통하여 측정된 온도를 신호처리하여 배양액 혹은 세포의 온도를 산출하기 위한 온도 데이터 처리부를 포함하고, 이와 더불어 마이크로 플레이트에 빛을 조사하기 위한 광원, 광원으로부터 조사되어 복수의 웰을 거친 빛을 감지하기 위하여 복수의 수광소자가 복수의 웰 각각에 대응되어 배치된 측정 플레이트 및 복수의 수광소자로부터 받은 신호를 처리하여 세포의 대사정보를 산출하고 출력하기 위한 수광 데이터 처리부를 더 포함하는 구성이다.
따라서, 본 발명에 의한 온도센서를 포함하는 세포 대사정보 측정장치는 각각의 웰 내부에 존재하는 세포 대사정보의 측정과 함께 배양액 혹은 세포의 온도를 용이하게 측정할 수 있을 뿐 아니라, 정밀한 해상도를 유지하면서도 실시간으로 세포 대사정보 및 웰 내부온도를 동시에 측정할 수 있는 것이다.
온도센서, 써미스터, 광학적 센서, pH 변화, 산소 농도 변화-
公开(公告)号：KR1020080061062A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：KR1020060135849
申请日：2006-12-28
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H04N5/374
CPC classification number: H04N5/3741 , H01L27/14609 , H04N5/3559 , H04N5/3745 , H04N5/3765
Abstract: A CMOS image sensor and an image data processing method are provided to minimize a pitch of unit pixels of the image sensor by insulating adjacent wells or adjacent elements, and improve a charge capacitance by forming a capacitor in a trench. A photoelectric transformation photo-PMOS(210) includes a well doped with the second type impurity and generates an electrical signal upon receiving light. A select NMOS(230) outputs a signal which has been received from the photoelectric transformation photo-PMOS. A reset NMOS(220) applies a reset signal to the photoelectric transformation photo-PMOS. A capacitor(240) accumulates charges received from the photoelectric transformation photo-PMOS. The photoelectric transformation photo-PMOS includes a color filter at an upper portion thereof to implement a color image, and adjusts the thickness of a gate electrode to implement a color image.
Abstract translation: 提供CMOS图像传感器和图像数据处理方法，通过绝缘相邻的阱或相邻元件来最小化图像传感器的单位像素的间距，并且通过在沟槽中形成电容器来改善电荷电容。 光电转换光电PMOS（210）包括掺杂有第二类型杂质的阱，并在接收光时产生电信号。 选择NMOS（230）输出从光电转换光PMOS接收的信号。 复位NMOS（220）向光电转换光PMOS施加复位信号。 电容器（240）累积从光电转换光PMOS接收的电荷。 光电转换光电PMOS在其上部包括滤色器以实现彩色图像，并且调节栅电极的厚度以实现彩色图像。
-
公开(公告)号：KR1020080061058A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：KR1020060135843
申请日：2006-12-28
Applicant: 전자부품연구원
IPC: A61B5/00
Abstract: An apparatus and a method for measuring a thickness of a skin using a linear image sensor are provided to simplify configuration without requiring an additional image process of a 2D image and specification of a specific region to measure a distance. An apparatus for measuring a thickness of a skin(30) includes a light source(10), a linear image sensor(40), and a characteristic analysis device(50). The light source sends light to a specific region of an object. The linear image sensor measures a characteristic of the light diffused and impinged from the light source to the object with data according to a distance from the outside of the object to the specific region of the object. The characteristic analysis device analyzes an internal characteristic of the object through the data measured by the linear image sensor.
Abstract translation: 提供了一种使用线性图像传感器测量皮肤厚度的装置和方法，以简化配置，而不需要2D图像的附加图像处理和特定区域的规格来测量距离。 用于测量皮肤（30）的厚度的装置包括光源（10），线性图像传感器（40）和特征分析装置（50）。 光源将光发送到对象的特定区域。 线性图像传感器测量根据从对象的外部到物体的特定区域的距离从光源向物体扩散和入射的光的特性。 特征分析装置通过线性图像传感器测量的数据分析对象的内部特征。
-
公开(公告)号：KR100531237B1
公开(公告)日：2005-11-28
申请号：KR1020030087324
申请日：2003-12-03
Applicant: 전자부품연구원
Inventor： 김훈
IPC: H01L27/146
Abstract: 본 발명은 SOI(Silicon On Insulator, 이하 SOI) 기판 상에 게이트 및 부유 바디(Floating Body)를 형성하고, 이격된 기판상의 포토 다이오드(Photo Diode)에서 빛에 의해 여기된 정공을 게이트에 축적시켜 채널의 완전 공핍을 유발시킬 뿐만 아니라, 채널의 완전 공핍을 유발시킬 뿐만 아니라, FET(Feld Effect transistor, 이하 FET)의 바디 포텐셜(Body Potential)을 광여기 캐리어에 선형적으로 증가시켜 결국, FET의 문턱 전압을 조절하여 광응답을 증대시키고, 하부 기판에 전자를 축적하여 LBT(Lateral Bipolar transistor, 이하 LBT)를 야기 시켜 채널의 정공의 흐름을 더욱 증가시킴으로써 광전변환 효율이 증가하는 고감도 이미센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 고감도 이미지센서 및 그 제조방법은 SOI 기판 상에 마스크를 이용하여 소정 영역의 실리콘 및 매몰 산화막을 식각하여 N 형의 하부 실리콘 기판을 노출시키는 단계; 상기 노출된 N 형 기판에 P 형의 이온을 주입하여 P 형 영역을 형성하는 단계; 상기 N 형의 하부 실리콘 기판을 노출시키는 단계에서 식각되지 않은 활성 실리콘 중앙 상부에 게이트 산화막 및 게이트를 형성하는 단계; 상기 매몰 산화막 상부의 실리콘 및 게이트에 P 형의 이온을 주입하여 P 형 게이트, P 형 소오스 및 P 형 드레인을 형성하는 단계; 및 상기 포토 다이오드의 P 형 영역과 게이트를 연결하는 연결부를 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 고감도 이미지센서 및 그 제조방법은 SOI 기판을 이용함으로써 암 전류를 낮출 수 있고, 단위 소자의 크기를 줄 일수 있을 뿐만 아니라, 기생적인 부유 캐패시턴스를 줄일 수 있어 고속 동작이 가능하며 빛에 민감하게 반응할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100531234B1
公开(公告)日：2005-11-28
申请号：KR1020030087286
申请日：2003-12-03
Applicant: 전자부품연구원
Inventor： 김훈
IPC: H01L27/146
Abstract: 본 발명은 SOI(Silicon On Insulator, 이하 SOI) 기판 상에 형성된 게이트 및 LBT(Lateral Bipolar transistor, 이하 LBT) 현상을 효과적으로 조절하여 빛에 의해 여기된 정공(Hole)을 SOIMOSFET(Silicon On Insulator Metal Oxide Semiconductor Field Effect transistor, 이하 SOIMOSFET)의 부유 바디(Floating Body)에 축적되도록 함으로써 FET의 바디 포텐셜(Body Potential)을 광여기 캐리어에 선형적으로 증가시켜 결국, FET의 문턱 전압을 조절하여 광응답을 전류가 증대시킴으로써 광전변환 효율의 증가와 동시에 고감도, 고집적 이미지센서에 응용할 수 있는 단위 화소 구조의 최적화에 관한 것이다.
본 발명의 고감도 이미지센서 및 그 제조방법은 SOI 기판 상에 마스크를 이용하여 소정 영역의 활성 실리콘 및 매몰 산화막을 식각하여 N 형의 하부 실리콘 기판을 노출시키는 단계; 상기 노출된 N 형 기판에 P 형의 이온을 주입하여 P 형 영역을 형성하는 단계; 상기 하부 실리콘 기판을 노출시키는 단계에서 식각되지 않은 활성 실리콘을 패턴하여 십자형 활성 실리콘을 형성하는 단계; 상기 십자형 활성 실리콘의 마주보는 두 영역의 소정 부분에 P 형 이온을 주입하여 P 형 영역을 형성하는 단계; 상기 십자형 활성 실리콘의 상기 P 형 영역이 형성된 영역을 제외한 마주보는 두 영역의 소정 부분에 N 형 이온을 주입하여 N 형 영역을 형성하는 단계; 상기 십자형 활성 실리콘의 상부에 게이트 산화막 및 게이트를 형성하는 단계; 및 상기 십자형 활성 실리콘의 N 형 영역과 상기 기판의 P 형 영역을 연결하는 연결부를 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 고감도 이미지센서 및 그 제조방법은 SOI 기판을 이용함으로써 암 전류를 낮출 수 있고, 단위 소자의 크기를 줄 일수 있을 뿐만 아니라, 기생적인 부유 캐패시턴스를 줄일 수 있어 고속 동작이 가능하며 빛에 민감하게 반응할 수 있는 효과가 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020050054056A
公开(公告)日：2005-06-10
申请号：KR1020030087341
申请日：2003-12-03
Applicant: 전자부품연구원
Inventor： 김훈
Abstract: 본 발명은 SOI 웨이퍼의 실리콘 활성영역에 나노 사이즈의 신호 전하 전달 채널을 국소적으로 형성함으로써 전하의 구속상태를 국소적으로 달리하여 차원 변조(Dimension Modulation)를 시킴으로써 전하의 비선형적인 상태밀도분포를 인위적으로 만들어 광여기된 전하들에 의해 선형적으로 광신호가 발생, 전달될 수 있는 고감도의 이미지 센서 단위화소 구조에 관한 것이다.
본 발명의 신호전달 채널의 차원변조를 이용한 이미지 센서 및 그 제조방법은 Si 기판 상부에 형성된 매몰산화층을 포함하는 SOI 기판; 상기 SOI 기판 상부에 형성되는 단결정 실리콘층; 상기 단결정 실리콘층에 형성되는 소오스와 드레인; 상기 소오스와 드레인 사이의 활성영역; 상기 활성영역에 형성되는 나노 사이즈의 채널; 및 상기 나노 사이즈의 채널 상부에 절연막을 게재하여 형성되는 게이트를 포함하여 이루어진 신호전달 채널의 차원변조를 이용한 이미지 센서로서, Si 기판상에 매몰산화층을 형성하는 제 1단계; 상기 매몰산화층 상부에 단결정 실리콘층을 형성하는 제 2단계; 상기 단결정 실리콘층 상부에 SiO
2 산화막층을 형성하는 제 3단계; 상기 SiO
2 산화막층 상부에 질화막을 형성하는 제 4단계; 상기 질화막 위에 병목 형태의 패턴이 된 마스크를 정렬하여 단결정 실리콘층까지 리소그라피하는 제 5단계; 습식산화에 의해 나노 사이즈의 채널을 형성하는 제 6단계; 상기 질화막과 SiO
2 산화막층 및 상기 6단계의 습식산화에 의해 생성된 산화물을 제거하여 나노 사이즈의 채널이 형성된 단결정 실리콘층이 최상부에 위치하도록 하는 제 7단계; 상기 단결정 실리콘층 위에 게이트 절연막을 형성하는 제 8단계; 상기 게이트 산화막 상부에 게이트를 형성시키는 제 9단계; 및 상기 게이트와 단결정 실리콘층을 이온주입 공정을 통해 도핑하는 제 10단계를 포함하여 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 신호전달 채널의 차원변조를 이용한 이미지 센서 및 그 제조방법은 SOI 웨이퍼에 나노 채널을 형성하여 광여기된 전자의 구속상태가 2차원-1차원-2차원… 이 되도록 차원 변조 함으로써 전하 상태 밀도 함수의 비선형성을 광여기된 전하들로 하여금 광전변환하므로 기존의 PN 접합에 의한 포토 다이오드를 대체할 수 있어 PN 접합부가 차지하던 수광부 면적을 현저하게 줄일 수 있다. 또한 상기 신호전달 채널을 적어도 두 개 이상의 복수개로 형성했을 때에는 특정한 외부 바이어스나 빛의 조사 없이는 전류가 흐르기 어렵기 때문에 암전류나 노이즈로 인한 전류를 방지할 수 있고, 열과 같은 외부영향에 의한 전하의 전달을 막을 수 있다는 장점이 있다.-
公开(公告)号：KR101350691B1
公开(公告)日：2014-01-13
申请号：KR1020120056175
申请日：2012-05-25
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H04N21/443 , H04N21/4147
Abstract: 녹화 동작 중 내부전원 공급 제어 방법 및 이를 적용한 방송수신장치가 제공된다. 본 발명의 실시예에 따른 방송수신장치의 전원 제어 방법은, 방송수신장치가 방송 프로그램을 녹화하고, 방송수신장치에 연결된 디스플레이장치가 오프된 것으로 확인되면 방송 프로그램 녹화에 필요 없는 소자들에 전원 공급을 차단한다. 이에 의해, 방송 프로그램 녹화 중에 TV가 오프된 것으로 확인되면 방송 프로그램 녹화와 관련 없는 소자들에 대한 전원을 차단하여, PVR 기능 수행 과정에서 STB에 발생하는 에너지 소모를 획기적으로 줄일 수 있게 된다.
-
公开(公告)号：KR101334135B1
公开(公告)日：2013-11-28
申请号：KR1020120036642
申请日：2012-04-09
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H04N21/443
Abstract: VOD의 다운로드와 재생 상태를 기반으로 내부 전원공급을 제어하는 방송수신장치 및 방법이 제공된다. 본 발명의 실시예에 따른 방송수신장치는, VOD를 다운로드 받는 수신부 및 VOD를 재생하고 VOD의 다운로드가 완료되면 수신부에 공급되는 전원을 차단하는 프로세서를 포함한다. 이에 의해, VOD 서비스 제공 과정에서 STB와 같은 방송수신장치에 발생하는 에너지 소모를 최소화할 수 있게 된다.
-
公开(公告)号：KR1020100052705A
公开(公告)日：2010-05-20
申请号：KR1020080111533
申请日：2008-11-11
Applicant: 전자부품연구원
IPC: A61B5/00
Abstract: PURPOSE: A subcutaneous fat thickness measuring apparatus is provided to accurately measure the subcutaneous fat thickness by measuring the subcutaneous thickness and the skin thickness together. CONSTITUTION: A near infrared ray irradiation unit(101) irradiates the near infrared ray to the surface of an object. The near infrared ray irradiation unit controls the incident angle toward the surface of the near infrared ray. A measuring unit(102) senses the near infrared ray coming back from an object. A controller(104) analyzes the near infrared ray signal received from the measuring unit. The controller produces the skin thickness value and the subcutaneous thickness value of an object by using the near infrared ray signal. The controller produces a correction value about the subcutaneous thickness value by using the skin thickness value. The controller calculates the subcutaneous thickness value when the incident angle is 80 degrees or 90 degrees. The controller calculates the skin thickness value when the incident angle is 10 degrees or 80 degrees.
Abstract translation: 目的：提供皮下脂肪厚度测量装置，通过一起测量皮下厚度和皮肤厚度来精确测量皮下脂肪厚度。 构成：近红外线照射单元（101）将近红外线照射到物体的表面。 近红外线照射单元控制朝向近红外线的表面的入射角。 测量单元（102）感测从物体返回的近红外线。 控制器（104）分析从测量单元接收的近红外线信号。 控制器通过使用近红外线信号产生物体的皮肤厚度值和皮下厚度值。 控制器通过使用皮肤厚度值产生关于皮下厚度值的校正值。 当入射角为80度或90度时，控制器计算皮下厚度值。 当入射角为10度或80度时，控制器计算皮肤厚度值。
-
公开(公告)号：KR2020090004569U
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：KR2020070018145
申请日：2007-11-09
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: B26F1/36 , B26D7/1818 , B26F2001/365
Abstract: 본 고안은 드레싱재 및 기타 판상의 물체를 소정 형상으로 펀칭한 후 펀칭된 물체의 분리를 용이하게 하기 위한 펀칭 장치에 관한 것이다.
본 고안의 펀칭 장치는 판상의 물체를 소정의 형상으로 펀칭하기 위한 컷팅수단을 포함하며 일측면이 개방되어 있고 내부에 빈 공간을 갖는 펀칭부, 상기 펀칭부 내부의 일측면에 고정되는 용수철과 상기 용수철의 일측면에 고정되어 펀칭시 판상의 물체와 접촉하는 가압수단을 갖는 탄성체부 및 상기 펀칭부의 용수철이 부착된 면의 반대측면에 연결되는 손잡이부를 포함함에 기술적 특징이 있다.
판상의 물체, 드레싱재, 펀칭, 용수철, 분리
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
78
records
(took 0.023 seconds)
