-
公开(公告)号：KR1020120133605A
公开(公告)日：2012-12-11
申请号：KR1020110052337
申请日：2011-05-31
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H01L51/5243 , H01L23/10 , H01L23/14 , H01L23/145 , H01L51/5246 , H01L51/5253 , H01L2251/5361 , Y02B20/36
Abstract: PURPOSE: An organic light emitting diode(OLED) lighting apparatus and a manufacturing method thereof are provided to extend the lifetime of an OLED by reducing the resistance of an anode and a cathode. CONSTITUTION: An OLED comprises an anode electrode(210), a cathode electrode(230), and an organic light emitting layer(220). A sealing member(300) covers the OLED. The sealing member comprises a sealing substrate, first and second conductive auxiliary layers, a plurality of contact members, and an insulating layer. The first and second conductive auxiliary layers are formed on the sealing substrate and are electrically separated. The plurality of contact members connect the first conductive auxiliary layer with a cathode electrode and the second conductive auxiliary layer with an anode electrode. The insulating layer covers the first and second conductive auxiliary layers excluding a part where the plurality of contact members are located.
Abstract translation: 目的：提供一种有机发光二极管（OLED）照明装置及其制造方法，以通过降低阳极和阴极的电阻来延长OLED的寿命。 构成：OLED包括阳极电极（210），阴极电极（230）和有机发光层（220）。 密封构件（300）覆盖OLED。 密封构件包括密封基板，第一和第二导电辅助层，多个接触构件和绝缘层。 第一和第二导电辅助层形成在密封基板上并被电分离。 多个接触构件将第一导电辅助层与阴极电极和第二导电辅助层与阳极连接。 绝缘层覆盖除了多个接触构件所在的部分之外的第一和第二导电辅助层。
-
公开(公告)号：KR1020120131674A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：KR1020110050014
申请日：2011-05-26
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L31/115
CPC classification number: H01L31/115 , H01L27/14676 , H01L31/085
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor array panel for an X-ray detector and a method for manufacturing a thin film transistor on a substrate are provided to simplify a process and stably drive a device by applying a device of a top gate structure to a TFT backplane panel. CONSTITUTION: A thin film transistor(120) has a top gate structure and is formed in each pixel region defined on a base substrate(110). The thin film transistor includes a source electrode(122B) and a drain electrode(122A) formed on the same layer as the source electrode. A photoelectric conversion device(140) is electrically connected to the thin film transistor. The photoelectric conversion device includes a pixel electrode(142), a photoconductor layer(144), and a bias electrode(146).
Abstract translation: 目的：提供一种用于X射线检测器的薄膜晶体管阵列面板和用于在衬底上制造薄膜晶体管的方法，以通过将顶栅结构的器件施加到TFT背板来简化工艺并稳定地驱动器件 面板。 构成：薄膜晶体管（120）具有顶栅结构并且形成在限定在基底（110）上的每个像素区域中。 该薄膜晶体管包括与源电极形成在同一层上的源电极（122B）和漏电极（122A）。 光电转换装置（140）与薄膜晶体管电连接。 光电转换装置包括像素电极（142），光电导体层（144）和偏置电极（146）。
-
公开(公告)号：KR1020120084107A
公开(公告)日：2012-07-27
申请号：KR1020110005434
申请日：2011-01-19
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/66742 , H01L29/45 , H01L29/7869
Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing oxide semiconductor thin film transistor and semiconductor equipment are provided to reduce a contact resistance between source and drain semiconductor channel layers by using air pressure plasma processing. CONSTITUTION: A gate insulating film(114) where a channel layer(116) composed of an oxide semiconductor is formed is made on a substrate to cover a gate electrode. The surface of a generated channel layer is processed with use of air pressure plasma. A source and drain electrodes are respectively formed on both sides of the surface processed channel layer. A protective film(120) covering the generated source and drain electrodes and channel layer is formed.
Abstract translation: 目的：提供一种制造氧化物半导体薄膜晶体管和半导体设备的方法，以通过使用气压等离子体处理来降低源极和漏极半导体沟道层之间的接触电阻。 构成：在衬底上形成由氧化物半导体构成的沟道层（116）的栅极绝缘膜（114），以覆盖栅电极。 使用空气压力等离子体处理产生的通道层的表面。 源极和漏极分别形成在表面处理沟道层的两侧。 形成覆盖所产生的源极和漏极以及沟道层的保护膜（120）。
-
公开(公告)号：KR101895217B1
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：KR1020160179668
申请日：2016-12-27
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G09F9/302 , G06F3/14 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/1333 , G06F3/14 , G09F9/302
Abstract: 본발명은복수의단위디스플레이가타일링된구조에서타일링된경계에위치하는베젤을최소화하여디스플레이의품질을향상시키기위한것이다. 단위디스플레이는플렉서블패널과지지기판을포함한다. 플렉서블패널은픽셀들이형성되는픽셀영역과, 픽셀영역의가장자리부분에형성되는베젤영역을포함한다. 그리고지지기판은플렉서블패널이접합되는베이스기판으로, 상부면에플렉서블패널의픽셀영역이접합되고, 상부면에연결된측면과하부면에플렉서블패널의베젤영역이접혀져접합된다. 그리고복수의단위디스플레이는접속부재로연결되어타일링멀티디스플레이로구현된다.
-
-
Patent Agency Ranking
-
-
公开(公告)号：KR101469533B1
公开(公告)日：2014-12-05
申请号：KR1020130061787
申请日：2013-05-30
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: G01N27/205 , G01N15/0826 , G01N33/0004 , G01N33/0027
Abstract: 본 발명은 물질의 수분, 산소 등을 포함하는 외기의 침투율을 측정하는 장치에 관한 것으로, 본 실시예에 따른 기판의 외기 침투율 측정을 위한 반응 물질 카트리지는 기판을 투과한 외기와의 접촉에 따라 반응하는 반응 물질을 포함하는 반응부; 상기 반응부를 수용하며, 상기 반응 물질의 상기 외기와의 접촉에 따른 변화를 측정하는 측정부에 탈착 가능한 카트리지 몸체; 및 상기 카트리지 몸체를 차폐하며, 상기 반응 물질과 상기 외기의 접촉을 위하여 상기 카트리지 몸체에서 박리되는 차폐수단을 포함한다. 본 발명에 따르면 카트리지화된 가스 투과도 측정 장치 및 방법을 이용함으로써 종래의 기술에 비해 정밀하고 신뢰성 있는 데이터 확보가 가능하여 플렉서블 AMOLED 등의 새로운 응용분야에 필요한 제품의 신뢰성 평가가 용이할 수 있다. 또한 기판이 수용되는 부분도 카트리지 형태로 제작하여 상대적으로 장착 및 지지가 자유롭지 않은 유연 기판을 측정하고자 할 때 장치 외부에서 간편하게 작업할 수 있어서 측정자 간의 균일도 오류를 줄일 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于测量包括材料的水分，氧气等的室外空气的渗透率的装置。 根据本实施方式，用于测量基板的室外空气渗透率的反应性材料筒包括：反应部，其包括反应性材料，所述反应性材料与通过所述基板的室外空气接触而反应; 容纳反应部分并且可以根据室外空气和反应性材料之间的接触测量变化的测量部件拆卸的盒体; 以及屏蔽装置，其屏蔽盒体并且为了反应性材料和室外空气之间的接触目的而从盒体剥离。 根据本发明，与现有技术相比，使用筒式气体透过率测量装置和方法可以确保更准确和可靠的数据，从而有助于新应用所需产品的可靠性评估，例如灵活性 AMOLED的。 此外，容纳衬底的部分可以以盒形式制造。 因此，在测量不能相对自由地安装和支撑的柔性基板时，可以方便地在设备的外部执行操作，从而减少测量者之间的均匀性误差。
-
公开(公告)号：KR101332023B1
公开(公告)日：2013-11-25
申请号：KR1020110052337
申请日：2011-05-31
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 유기 발광 다이오드 조명 장치에서, 기판 위에 형성되는 유기 발광 다이오드를 보호하기 위한 봉지 부재에 유기 발광 다이오드의 애노드 전극과 캐소드 전극의 저항을 감소시키기 위한 보조 전극을 형성한다.
-
公开(公告)号：KR101322331B1
公开(公告)日：2013-10-28
申请号：KR1020110050014
申请日：2011-05-26
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L31/115
Abstract: 본 발명에서는 직접형 digital X-ray radiography system용 TFT 백플레인 패널에 기존의 하부 게이트 박막 트랜지스터 소자 대신 상부 게이트 구조의 소자를 적용한다. 이에 따라 공정 단순화, 소자 구동 안정성 등이 보장된다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
37
records
(took 0.017 seconds)
