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    일체형 전도성 기판 및 이를 채용한 전자 소자
    22.
    发明申请
    일체형 전도성 기판 및 이를 채용한 전자 소자 审中-公开
    集成导电基板和使用其的电子器件

    公开(公告)号：WO2013154355A1

    公开(公告)日：2013-10-17

    申请号：PCT/KR2013/003009

    申请日：2013-04-10

    Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

    Inventor： 이태우 ,  김영훈

    IPC: H01L51/42 ,  H01L51/48

    CPC classification number: H01L51/442 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

    Abstract: 제1 표면 거칠기 값을 갖는 제1 표면을 갖고, 비철계 금속으로 이루어진, 금속층 및 상기 제1 표면 상에 형성되고, 제2 표면 거칠기 값을 갖는 제2 표면을 갖고, 반도체 물질을 포함한 반도체층을 포함하고, 상기 반도체층은, 상기 반도체 물질 및 상기 반도체 물질의 전구체 중 적어도 하나를 이용한 용액 공정에 의하여 형성되어 상기 금속층의 제1 표면을 평탄화시키는 반도체성 평탄화층을 포함하고, 상기 제2 표면 거칠기 값이 제1 표면 거칠기 값보다 작고, 기판과 전극의 역할을 동시에 하는, 일체형 전도성 기판 및 이를 채용한 전자 소자가 제공된다.

    Abstract translation: 提供了一种集成导电基板和使用其的电子装置。 集成导电基板包括：金属层，其第一表面具有第一表面粗糙度值并由有色金属制成; 以及形成在第一表面上的第二表面具有第二表面粗糙度值并且包含半导体材料的半导体层。 半导体层包括通过使用半导体材料和/或半导体材料的前体的溶液处理形成的半导体平坦化层，以平坦化金属层的第一表面。 第二表面粗糙度值低于第一表面粗糙度值。 集成导电基板既用作基板又用作电极。

    도핑된 그래핀 전극 및 이의 제조 방법
    23.
    发明公开
    도핑된 그래핀 전극 및 이의 제조 방법 无效
    掺杂石墨烯电极及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020170119511A

    公开(公告)日：2017-10-27

    申请号：KR1020160047633

    申请日：2016-04-19

    Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

    Inventor： 이태우 ,  한태희 ,  권성주

    IPC: H01B5/14 ,  H01B1/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L51/00

    Abstract: 그래핀에신규한도펀트를도입하여형성된 P타입의그래핀전극및 이의제조방법이개시된다. 기형성된그래핀전극상에도펀트층이도입되고, 도펀트층이불화산계인경우, 그래핀전극표면에서불화산계분자와그래핀간에반데르발스결합을형성하고, P타입의도핑된그래핀전극이형성된다. 또한, 그래핀전극의전사과정에서선처리도펀트를투입하여 P타입선처리도펀트를이용한도핑된그래핀전극을제작한다.

    Abstract translation: 通过向石墨烯中引入新型掺杂剂而形成的P型石墨烯电极及其制造方法。 P型形式的基团是形成和引入到针电极，密封掺杂剂层被子火山当掺杂剂层，以及形成所述氢氟酸类分子和销电极表面上的石墨烯之间的范德华键，则掺杂的石墨烯电极 是的。 而且，在石墨烯电极的转移过程中，通过使用预掺杂的P型掺杂剂来制造掺杂的石墨烯电极。

    금속 할라이드 페로브스카이트 시냅스 소자
    24.
    发明公开
    금속 할라이드 페로브스카이트 시냅스 소자 无效
    金属卤化物钙钛矿突触元素

    公开(公告)号：KR1020170094887A

    公开(公告)日：2017-08-22

    申请号：KR1020160016164

    申请日：2016-02-12

    Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

    Inventor： 이태우 ,  서문도 ,  조힘찬

    IPC: G06N3/063 ,  H01L39/00 ,  H01B12/00 ,  B32B15/08

    Abstract: 금속할라이드페로브스카이트시냅스소자를제공한다. 이러한시냅스소자는기판, 상기기판상에위치하는제1 전극, 상기하부전극상에위치하되, 시냅스모사특성을갖는금속할라이드페로브스카이트층및 상기금속할라이드페로브스카이트층상에위치하는제2 전극을포함한다. 따라서, 생물학적시냅스 (biological synapse)의작동원리를모방할수 있는시냅스소자를제공할수 있다. 또한, 이러한새로운타입의시냅스소자는뉴로모픽전자(neuromorphic electronics) 구성에있어큰 도움을줄 수있다.

    Abstract translation: 提供金属卤化物钙钛矿突触元件。 这些突触元件为第二电极到所述第一电极，但位于下电极，具有突触模拟特性的金属卤化物钙钛矿teucheung和位于所述基板，在基板上的层上的金属卤化物钙钛矿位置 它包括。 因此，可以提供能够模拟生物突触的工作原理的突触装置。 此外，这些新型的突触装置可以对建立神经形态电子学有很大的帮助。

    금속 할라이드 페로브스카이트 발광 소자 및 이의 제조방법
    25.
    发明公开
    금속 할라이드 페로브스카이트 발광 소자 및 이의 제조방법 有权
    金属卤化物钙钛矿发光器件及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020170090216A

    公开(公告)日：2017-08-07

    申请号：KR1020160010807

    申请日：2016-01-28

    Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

    Inventor： 이태우 ,  정수훈

    IPC: H01L33/26 ,  H01L33/36 ,  H01L33/40 ,  H01L33/00

    CPC classification number: H01L51/0077 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0034 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5221 ,  H01L51/56

    Abstract: 금속할라이드페로브스카이트발광소자및 이의제조방법을제공한다. 금속할라이드페로브스카이트발광소자는기판, 상기기판상에위치하는제1 전극, 상기제1 전극상에위치하되, 금속할라이드페로브스카이트물질을포함하는발광층및 상기발광층상에위치하는제2 전극을포함하고, 상기제1 전극은도전층및 상기도전층상에위치하는표면에너지-제어층을포함하고, 상기도전층은전도성고분자및 제1 불소계물질을포함하고, 상기표면에너지-제어층은제2 불소계물질을포함하되상기전도성고분자는비포함하는것을특징으로한다. 따라서, 제1 전극은일함수조절을통해금속할라이드페로브스카이발광층과옴 접촉을이루게하며, 엑시톤해리를막아발광효율을증가시킴으로써, 발광소자의효율을효과적으로향상시킬수 있다.

    Abstract translation: 提供一种金属卤化物钙钛矿发光器件及其制造方法。 一种金属卤化物钙钛矿发光器件，包括衬底，设置在所述衬底上的第一电极，设置在所述第一电极上的发光层，所述发光层包括金属卤化物钙钛矿材料，以及第二电极 其中，第一电极包括导电层和位于导电层上的表面能量控制层，导电层包括导电聚合物和第一氟基材料，其中， 2氟基物质而不是导电聚合物。 因此，第一电极通过功函数控制与金属卤化物钙钛矿发光层欧姆接触，并且通过阻断激子解离来提高发光效率，可以有效地提高发光装置的效率。

    피부 질환 치료 및 노화 방지용 부착형 양자점 LED 스킨 패치
    26.
    发明公开
    피부 질환 치료 및 노화 방지용 부착형 양자점 LED 스킨 패치 无效
    附着型QD-LED皮肤贴片，用于治疗皮肤疾病和抗衰老

    公开(公告)号：KR1020170072553A

    公开(公告)日：2017-06-27

    申请号：KR1020150180848

    申请日：2015-12-17

    Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

    Inventor： 이태우 ,  서홍규

    IPC: A61N5/06 ,  C09J201/00 ,  C09J183/04 ,  C09J133/08 ,  A61K9/70 ,  H01L33/04 ,  H01L33/40 ,  H01L33/50 ,  H01L33/56

    Abstract: 피부질환치료및 노화방지용부착형양자점 LED 스킨패치를제공한다. 양자점 LED 스킨패치는유연성접착패드, 상기유연성접착패드상에위치하는양자점 LED 소자및 상기양자점 LED 소자의상부및 측부를덮는유연성봉지재를포함할수 있다. 따라서, 패치내부에있는양자점 LED 소자에서 UV, IR 또는가시광선영역의빛이피부에조사되면서여드름, 노화방지, 기미, 아토피등을치료해줌과동시에패치하단부에도포및 흡수된약물이피부에스며들어효과적인피부미용및 치료가가능한것이특징이다. 또한, 양자점을발광층재료로사용함으로써피부치료목적에적합한저선폭의빛만을정확하게발광할수 있어기존일반 LED를이용한치료보다효율적이고효과적인것이특징이다.

    Abstract translation: 它提供了一个可连接的QD-LED皮肤贴片，用于治疗皮肤疾病和抗衰老。 量子点LED皮肤贴片可以包括柔性粘合垫，位于柔性粘合垫上的量子点LED元件以及覆盖量子点LED元件的顶部和侧面的柔性密封剂。 因此，虽然从UV，IR或从量子点可见区域皮肤照射的光的LED的内部贴片粉刺元件，抗老化，瑕疵，同时应用补丁，下特应症，例如与haejum治疗和吸收药物穿透皮肤 它的特点是有效的护肤和治疗。 此外，使用常规的普通LED的由发光材料使用量子点发光层，其特征在于比治疗有效和高效能准确地仅该行的光宽度适合于皮肤治疗的目的。

    금속 할라이드 페로브스카이트 발광 소자 및 이의 제조방법
    27.
    发明公开
    금속 할라이드 페로브스카이트 발광 소자 및 이의 제조방법 有权
    金属卤化物钙钛矿发光器件及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020170050693A

    公开(公告)日：2017-05-11

    申请号：KR1020150152553

    申请日：2015-10-30

    Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

    Inventor： 이태우 ,  박민호

    IPC: H01L51/56 ,  H01L51/00 ,  H01L51/52 ,  H01L51/50

    CPC classification number: H01L51/56 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/188 ,  H01L51/0007 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0061 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/502 ,  H01L51/5072

    Abstract: 금속할라이드페로브스카이트발광소자및 이의제조방법을제공한다. 금속할라이드페로브스카이트발광소자제조방법은, 상부에양전극이형성된기판을준비하는단계, 양전극이형성된기판상에금속할라이드페로브스카이트발광층을코팅을시작하는단계, 금속할라이드페로브스카이트발광층을코팅하는도중에저분자유기물용액을떨어뜨려금속할라이드페로브스카이트발광층을형성하는단계및 발광층상에음전극을형성하는단계를포함할수 있다. 본발명에따르면, 금속할라이드페로브스카이트발광층에저분자유기물을포함시켜, 금속할라이드페로브스카이트의결정립크기를감소시키고, 금속할라이드페로브스카이트결함안정화(passivation)효과를통하여전기적특성을향상시키고, 엑시톤을작아진결정립에공간적으로잘 구속하여엑시톤확산거리를작게하여박막의발광효율을증가시킴으로써, 금속할라이드페로브스카이트발광다이오드의효율을효과적으로향상시켜응용한계를극복할수 있다.

    Abstract translation: 提供一种金属卤化物钙钛矿发光器件及其制造方法。 金属卤化物钙钛矿发光装置的制造方法，包括以下步骤：准备基板上具有正电极，包括：具有正电极基片的相位启动金属卤化物钙钛矿发光层的涂层，金属卤化物钙钛矿发射层 失望涂层期间停止所述低分子有机溶液可以是在所述步骤和发光层上以形成金属卤化物钙钛矿发光层的阴极电极的步骤。 根据本发明，金属卤化物改善通过钙钛矿的电特性，以包含在发光层，金属卤化物页裂片的低分子有机材料，降低了天空剂的粒径，金属卤化物钙钛矿缺陷稳定（钝化）效果 并且，在空间上以及它结合到晶粒较小激子，以减少激子扩散长度，通过增加薄膜的发光效率，以改善金属卤化物钙钛矿发光二极管的效率可被有效地克服了应用限制。

    유무기 하이브리드 페로브스카이트 발광 트랜지스터 및 이의 제조방법
    29.
    发明公开
    유무기 하이브리드 페로브스카이트 발광 트랜지스터 및 이의 제조방법 有权
    有机无机混合发光发光管及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020160095211A

    公开(公告)日：2016-08-11

    申请号：KR1020150014675

    申请日：2015-01-30

    Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

    Inventor： 이태우 ,  조힘찬 ,  김영훈 ,  크리스토프울프

    IPC: H01L51/52 ,  H01L21/316

    CPC classification number: H01L51/5296

    Abstract: 유무기하이브리드페로브스카이트발광트랜지스터및 이의제조방법이제공된다. 상세하게는, 상기유무기하이브리드페로브스카이트발광트랜지스터는, 유무기하이브리드페로브스카이트를포함하는반도체층, 상기반도체층과전기적으로접속하는소스전극및 드레인전극, 게이트전극, 및상기반도체층과상기게이트전극사이에형성된게이트절연막을포함할수 있다. 이에, 본발명의유무기하이브리드페로브스카이트발광트랜지스터는종래의유기반도체기반발광트랜지스터보다높은색순도를가질수 있다. 또한, 전계효과이동도(field-effect mobility), 및점멸비(on/off ratio)가높아져스위칭특성이향상될수 있으며, 제조비용을절감시킬수 있다.

    Abstract translation: 提供一种有机 - 无机混合钙钛矿发光晶体管及其制造方法。 具体地说，有机 - 无机混合钙钛矿型发光晶体管可以包括：包含有机 - 无机混合钙钛矿的半导体层; 与半导体层电连接的源极和漏极; 栅电极; 以及形成在半导体层和栅电极之间的栅极绝缘膜。 因此，本发明的有机 - 无机混合钙钛矿型发光晶体管可以具有比基于有机半导体的现有发光晶体管更高的色纯度。 此外，可以提高开关特性，因为场效应迁移率和开/关比增加并且可以降低制造成本。

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