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公开(公告)号：WO2010101442A3
公开(公告)日：2010-09-10
申请号：PCT/KR2010/001404
申请日：2010-03-05
Abstract: 본 발명은 이동 중계국을 지원하는 광대역 무선통신 시스템의 그룹 핸드오버 방법 및 장치에 관한 것으로서, 상기 이동 중계국의 그룹 핸드오버를 위한 서빙 기지국의 방법은, 중계국으로부터 측정 보고 메시지가 수신될 시, 상기 중계국이 신호 포워딩을 수행하는 심플 타입의 이동 중계국인지 여부를 검사하는 과정과, 기 저장된 정보로부터 상기 이동 중계국과 상기 이동 중계국에 종속된 이동 단말들의 핸드오버 관련 정보를 수집하는 과정과, 상기 수집된 핸드오버 관련 정보를 타겟 기지국으로 전송하여 상기 이동 중계국과 이동 단말들의 핸드오버를 요청하는 과정과, 상기 타겟 기지국으로부터 상기 이동 중계국과 이동 단말들의 핸드오버 승인 여부를 나타내는 메시지를 수신하는 과정을 포함한다.
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公开(公告)号：WO2012134226A2
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：PCT/KR2012/002392
申请日：2012-03-30
Applicant: 주식회사 동진쎄미켐 , 오승근 , 이재우 , 김재현
CPC classification number: C11D7/265 , C11D3/3765 , C11D3/3773 , C11D3/3776 , C11D7/3245 , C11D7/5004 , G03F7/168
Abstract: 본 발명은 포토레지스트 패턴 형성 시 발생하는 패턴 쓰러짐 및 선폭 거칠기(LWR)의 수치 증대를 방지하고, 패턴 표면을 경화시켜 식각 저항성을 높일 수 있는 포토리소그래피용 세정액 조성물을 개시한다. 상기 세정액 조성물은 화학식 1로 표시되는 산성 단분자 화합물 또는 화학식 3으로 표시되는 반복단위를 포함하는 수용성 고분자; 및 용매를 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于光刻的清洁溶液组合物，其防止图案塌陷和在形成光致抗蚀剂图案期间可能发生的线宽粗糙度（LWR）的数值增加，并且使图案表面变硬 耐蚀刻性。 清洗液组合物包括：包含化学式1表示的单分子酸化合物或化学式3表示的重复单元的水溶性聚合物; 和溶剂。
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公开(公告)号：WO2012081865A2
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：PCT/KR2011/009526
申请日：2011-12-12
Abstract: 포토레지스트 패턴 형성 시 발생하는 레지스트 스컴(scum) 및 패턴 쓰러짐을 방지하고, 선폭 거칠기(line width roughness: LWR)의 수치 증대를 억제(개선)할 수 있는 세정액 조성물이 개시된다. 상기 세정액 조성물은 청구항 1의 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 수용성 고분자; 계면활성제; 및 용매를 포함한다.
Abstract translation: 公开了一种用于防止在形成光致抗蚀剂图案时可能发生的抗污垢浮渣形成和图案塌陷以及用于防止（改善）线宽粗糙度（LWR）增加的清洗液组合物。 清洗液组合物包括：水溶性聚合物，包括由权利要求1的化学式1表示的重复单元; 表面活性剂; 和溶剂。
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公开(公告)号：WO2012067315A1
公开(公告)日：2012-05-24
申请号：PCT/KR2011/002321
申请日：2011-04-04
Applicant: 지에스칼텍스 주식회사 , 김재현 , 강명구 , 김혜령
CPC classification number: C08G75/0263 , C04B28/36 , C08K7/24 , C08K2201/003 , C08L81/00 , C04B20/002 , C04B20/0076 , C04B24/00 , C04B40/0085
Abstract: 100 중량부의 유황을， 디싸이클로펜타디엔 (DCPD) 1 내지 10 중량부를 포함하는 유황 개질제로 중합하여 형성된 유황 폴리머， 및 표면에 다공성 기공이 형성된 무기입자로서， 제 1 평균 입경을 갖는 제 1 무기입자들 및 계 1 평균 입경의 5 내지 15 배인 제 2 평균 입경을 갖는 제 2 무기입자들로 이루어진 무기재료를 포함하는 콘크리트 제조용 복합 유황 폴리머가 개시된다. 상기 복합 유황 폴리머는 작업성이 우수할 뿐만 아니라 휨 강도 등의 물리적 특성이 매우 우수하다.
Abstract translation: 公开了用于制造混凝土的复合硫聚合物，其包含：通过使100重量份的硫与包含1至10重量份的二环戊二烯（DCPD）的硫改性剂聚合而形成的硫聚合物; 以及无机材料，其具有第一平均粒径的第一无机粒子，其是表面具有孔的无机粒子，第二平均粒径为第一平均粒径的5〜15倍的第二无机粒子。 复合硫聚合物具有优异的加工性和物理性能，如弯曲强度。
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公开(公告)号：WO2012067314A1
公开(公告)日：2012-05-24
申请号：PCT/KR2011/002314
申请日：2011-04-04
Applicant: 지에스칼텍스 주식회사 , 김재현 , 김혜령
CPC classification number: C08G75/0263 , C08L81/00
Abstract: 본 발명은 페놀계 화합물 또는 티오에스테르계 화합물을 유황 및 디싸이클로펜타디엔과 함께 중합하여 합성된 개질 유황 폴리머를 제공한다. 본 발명에 따르면, 장기 저장성 및 작업성이 우수하면서도 휨강도 및 압축강도 등의 기계적 강도가 우수한 개질 유황 폴리머를 확보할 수 있다.
Abstract translation: 本发明提供了通过使苯酚类化合物或硫酯类化合物与硫和二环戊二烯聚合而合成的重整硫酸聚合物。 根据本发明，可以获得具有优异的长期保存性和加工性，并且还具有优异的机械强度如弯曲强度和抗压强度的重整硫酸聚合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2011108907A3
公开(公告)日：2011-09-09
申请号：PCT/KR2011/001555
申请日：2011-03-07
IPC: A61K36/48 , A61K36/28 , A61K36/882 , A61K36/804 , A61K8/97 , A23L1/29 , A61P17/00 , A61Q19/00
Abstract: 본 발명은, 지황, 석창포, 황백, 고삼, 죽엽, 자초, 편축, 목근피, 관동화, 장군피 및 목과 추출물을 유효성분으로 함유하는 소양증 개선용 조성물에 관한 것으로서, 피부면역조절을 유도하여 피부소양증의 개선 효과를 가진다. 또한 본 발명은 생지황, 석창포, 고삼, 자초 및 황백의 추출물을 유효성분으로 함유하는 아토피 치료용 조성물에 관한 것이다. 상기 추출물을 포함하는 아토피 치료용 화장료 조성물, 약학 조성물 및 건강기능식품으로 다양하게 사용될 수 있다.
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公开(公告)号：WO2010151041A2
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：PCT/KR2010/004069
申请日：2010-06-23
Applicant: 주식회사 동진쎄미켐 , 이정열 , 장유진 , 이재우 , 김재현
IPC: G03F7/26
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 포토레지스트막 및 패턴의 두께 감소(top-loss) 조절 및 이를 이용한 라인 에지 러프니스(line edge roughness: LER)의 개선이 가능한 수용성 코팅막용 조성물이 개시된다. 상기 수용성 코팅막용 조성물은, 수용성 고분자 1 내지 30중량%; 상기 수용성 고분자 100중량부에 대하여, 유기산, 무기산 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 산 화합물 0.1 내지 300중량부; 상기 수용성 고분자 100중량부에 대하여, 유기염기 0.1 내지 50중량부; 및 나머지 용매를 포함하며, 포토레지스트막 및 패턴 상에, 가열 공정에 의해 산을 확산시키고 물 또는 현상액에 녹을 수 있는 수용성 코팅막을 형성하여, 포토레지스트막 및 패턴의 두께를 감소시키기 위한 것이다.
Abstract translation: 公开了一种用于水溶性涂膜的组合物，其可以调节光致抗蚀剂膜和图案的顶部损耗，并且改善线边缘粗糙度（LER）。 水溶性涂膜用组合物含有：1〜30重量％的水溶性聚合物; 0.1〜300重量份选自有机酸，无机酸及其混合物的酸性化合物相对于100重量份的水溶性聚合物; 0.1〜50重量份有机碱，相对于100重量份的水溶性聚合物; 其余为溶剂。 本发明通过加热工艺扩散酸，并形成可溶于水或显影剂溶液中的水溶性涂膜，以使光致抗蚀剂膜和图案上的顶部损失得以实现。
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28.发明申请
公开(公告)号：WO2010140788A2
公开(公告)日：2010-12-09
申请号：PCT/KR2010/003349
申请日：2010-05-27
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02
Abstract: 이온화되지 않는 열활성 나노촉매를 포함하여, 금속층의 화학 기계적 평탄화 공정에 유용한 연마 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마방법이 개시된다. 상기 화학 기계적 연마 슬러리 조성물은, 화학 기계적 연마 공정에서 발생되는 에너지에 의해서 전자와 정공을 방출시키는 이온화되지 않는 열활성 나노촉매; 연마제; 및 산화제를 포함한다. 상기 이온화되지 않는 열활성 나노촉매와 연마제는 서로 상이하고, 상기 이온화되지 않는 열활성 나노촉매는 수용액 상태에서 10 내지 100 ℃의 온도에서 전자와 정공을 방출시키는 반도체 물질인 것이 바람직하며, 바람직하게는, CrSi, MnSi, CoSi, 페로실리콘(FeSi) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 전이금속실리사이드(transition metal silicide)가 사용될 수 있고, 더욱 바람직하게는, 나노페로실리콘(nano ferrosilicon)과 같은 반도체 물질이 사용될 수 있다. 상기 이온화되지 않는 열활성 나노촉매의 함량은 전체 슬러리 조성물에 대하여 0.00001 내지 0.1 중량%이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种抛光浆料组合物，其包含非离子热活化纳米催化剂，并且其可用于化学机械平面化工艺，以及使用该组合物的抛光方法。 化学机械抛光浆料组合物包括：非化学热活化纳米催化剂，其通过在化学机械抛光过程中产生的能量而排出电子和空穴; 研磨剂 和氧化剂。 非活性热活化纳米催化剂和研磨剂彼此不同。 优选地，非离子化热活化纳米催化剂是在10〜100℃的温度下以水溶液状态排出电子和空穴的半导体物质。 优选地，可以使用选自CrSi，MnSi，CoSi，硅铁（FeSi）及其混合物的过渡金属硅化物作为非离子化热活化纳米催化剂。 更优选地，可以使用诸如纳米铁的半导体物质作为非离子化热活化纳米催化剂。 非离子化热活化纳米催化剂的含量相对于总淤浆组成为0.00001〜0.1重量％。
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公开(公告)号：WO2010098618A3
公开(公告)日：2010-09-02
申请号：PCT/KR2010/001227
申请日：2010-02-26
Applicant: 주식회사 동진쎄미켐 , 이정열 , 이재우 , 김덕배 , 김재현
IPC: G03F7/004
Abstract: 리쏘그래피 공정의 해상도를 증가시킬 수 있는 포토레지스트 패턴 코팅용 고분자 및 이를 이용한 반도체 소자의 패턴 형성 방법이 개시된다. 상기 포토레지스트 패턴 코팅용 고분자는 청구항 1의 화학식으로 표시된다. 상기 화학식 1에서, R * 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기(-CH 3 )이고, R 1 은 탄소수 3 내지 6 및 질소수 1 내지 2의 선형 또는 환형 탄화수소기이고, R 2 는 탄소수 5 내지 20의 알콕시 벤젠기 또는 알콕시 카보닐기이며, x, y 및 z는 상기 화학식의 고분자를 구성하는 전체 반복단위에 대한 각각의 반복단위의 몰%로서, x는 5 내지 90몰%, y는 5 내지 60 몰%, z는 5 내지 30몰%이다.
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公开(公告)号：WO2010098617A2
公开(公告)日：2010-09-02
申请号：PCT/KR2010/001226
申请日：2010-02-26
Applicant: 주식회사 동진쎄미켐 , 이정열 , 이재우 , 김덕배 , 김재현
IPC: G03F7/004
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 리쏘그래피 공정의 해상도를 증가시킬 수 있는 포토레지스트 패턴 코팅용 고분자 및 이를 이용한 반도체 소자의 패턴 형성 방법이 개시된다. 상기 포토레지스트 패턴 코팅 고분자는 청구항 1의 화학식 1로 표시된다. 상기 화학식 1에서, R * 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기(-CH 3 )이고, R 1 은 탄소수 1 내지 18의 선형 또는 환형 탄화수소기이고, R 2 는 히드록시기(-OH), 카르복실기(-COOH), 또는 탄소수 3 내지 10, 질소수 1 내지 3 및 산소수 1 내지 3의 선형 또는 환형 탄화수소기이며, x 및 y는 상기 화학식의 고분자를 구성하는 전체 반복단위에 대한 각각의 반복단위의 몰%로서, x는 5 내지 100몰%이고, y는 0 내지 95 몰%이다.
Abstract translation: 公开了一种用于涂覆光致抗蚀剂图案的聚合物，其可以提高光刻工艺的分辨率，以及使用该聚合物形成半导体器件的图案的方法。 用于涂覆光致抗蚀剂图案的聚合物用权利要求1的化学式1表示。在化学式1中，R *独立地为氢原子或甲基（-CH 3），R 1为具有1至18个的直链或环状烃基 碳原子，R2是羟基（-OH），羧基（-COOH）或具有3至10个碳原子，1至3个氮原子和1至3个氧原子的直链或环状烃基，x 和y分别为基于化学式1的聚合物的全部重复单元的摩尔％，其中x为5至100摩尔％，y为0至95摩尔％。
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