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公开(公告)号：KR100164456B1
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019950000922
申请日：1995-01-20
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H05B33/10
Abstract: 본 발명은 청색발광용 전계발광표시소자(electroluminescent display)에 관한 것으로, 유리기판 상에 ITO 투명전극을 형성하는 공정과; RF 반응성 스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링법으로 상기 투명전극 상에 제1절연층을 형성하는 공정과; 상기 제1절연층 상에 다층구조( SrS와 SrS:Ce층을 두층 이상 연속 교번하는 구조 예컨대, SrS-SrS:Ce-SrS 다층구조)를 갖는 발광층을 형성하는 공정과; 상기 발광층 상에 제2절연층을 형성하는 공정과; 상기 제2절연층 상에 반응성 스퍼터링법으로 보호층을 헝성하는 공정 및: 상기 보호층 상에 열증착법으로 알루미늄을 증착한 후 리프트-오프공정으로 패터닝하여 서로 소정간격 이격되도륵 알루미늄 전극을 형성하는 공정을 거쳐 소자제조를 완료하므로써, 1) 일차전자의 발생 및 가속층과 발광이 일어나는 층을 공간적으로 분리하는 발광층 구조를 가지게 되어 종래의 단일 SrS:Ce 구조와 비교해볼 때, 동일한 두께의 발광층을 형성하는 경우 상대적으로 높은 휘도특성을 얻을 수 있으며, 2) 발광중심을 다층구조의 중간에 도핑하므로써 발광중심인 Ce가 안정화된 결정장내에 위치하게되므로, 발광색이 안정될 뿐 아니라 동작시간 경과에 따른 특성변화를 상대적으로 감소시킬 수 있는 고신뢰성의 전계발광소자를 구현할 수 있게 된다.
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公开(公告)号：KR100162868B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019950033693
申请日：1995-10-02
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L39/12
CPC classification number: G01R33/1238 , Y10S505/726
Abstract: 본 발명에 의한 대면적 고온초전도체 박막의 자기장 침투거리 절대값 측정을 위한 쌍코일 장치는, 드라이브 코일과; 상기 드라이브 코일과 대향되도록, 상기 드라이브 코일과 소정 간격 이격된 지점에 배치된 검출 코일과; 상기 검출 코일을 사이에 두고 그 좌/우측 상단에 배치된 시편 홀더와; 상기 드라이브 코일과 검출 코일 사이의, 상기 시편 홀더 상에 부착된 대면적 저온초전도체 박막 및; 상기 드라이브 코일과 검출 코일 사이의, 상기 대면적 저온초전도체 박막 상에 부착된 대면적 고온초전도체 박막으로 이루어져, 1) 쌍코일 장치의 영점조정과 시편 박막인 대면적 고온초전도체 박막의 자기장 침투거리(magnetic penetration depth) λ의 절대 크기를 단일한 측정에서 이룰 수 있게 되어 영점조정시 발생되는 기계적인 문제점을 해결할 수 있고, 2) 드라이브 코일을, 대면적 고온초전도체 박막에 근접된 바텀 섹션에 감겨져 있는 코일의 회전수가 이와 역 방향으로 탑 섹션에 감겨져 있는 코일의 회전수보다 더 많은 구조를 가지도록 제작해 주므로써, 박막 가장자리에서의 Js를 제거할 수 있게 된다.
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公开(公告)号：KR1019960042878A
公开(公告)日：1996-12-21
申请号：KR1019950012956
申请日：1995-05-24
Applicant: 오리온전기 주식회사 , 한국과학기술연구원
IPC: H01J29/02
Abstract: 균일하게 광전도막을 대전 및 노광시킬 수 있는 음극선관의 전자사진식 스크린 제조방법과 이에 사용되는 광전도막 대전장치를 제공한다. 광전도막의 대전공정이 : (1) 투명전도막의 1차막과 투명절연막의 2차막으로 된 투명한 충전전극을 준비하여 그 투명절연막을 상기 판넬의 광전도막에 접촉시키는 단계; (2) 그 접촉된 상태에서 그 충전전극의 전도막과 판넬의 전도막에 직류전원을 인가하여 충전시키는 단계; (3) 그 직류전원이 인가된 상태에서 투명한 충전전극을 통과하여 광전도막의 전면적에 광선을 조사하므로써 광전도막으로 판넬의 전도막의 충전된 전하를 이동시키는 단계; 그리고 (4) 그광전도막으로 전하가 이동된 후 전원과 광원을 차단시키고 충전전극을 분리시키는 단계를 포함한다. 또한, 대전장치는, 판넬의 광전도막에 전면적에 걸쳐 잡 접촉하도록 투명전도막의 1차막과 투명절연막의 2차막이 형성된 투명충전전극판; 그충전전극판이 고정되고 그 충전전극판의 전도막과 절연막 및 상기 광전도막에 빛을 가하기 위한 개구가 형성된 충전전극판홀더; 상기 충전전극판홀더의 개구를 통하여 상기 광전도막에 빛을 가하기 위한 광원; 상기 광전도막과 절연막과의 접촉위치와 분리위치사이에서 상기 판넬과 충전전극판의 어느 하나를 이동시키도록 그 판넬홀더와 충전전극판홀더의 어느하나의 이동수단; 그리고 상기 판넬의 전도막과 충전전극판의 전도막에 직류전위를 인가하기 위한 직류전원을 구비한다.방전장치 없이 충전전극에 의하여 균일하게 광전도막을 대전시킬 수 있어 형광체 도포두께 및 크기, 형상 등을 균일하게할 수 있을 뿐만 아니라, 노광공정까지도 동시에 실시할 수 있는 효과가 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019960042827A
公开(公告)日：1996-12-21
申请号：KR1019950012958
申请日：1995-05-24
Applicant: 오리온전기 주식회사 , 한국과학기술연구원
IPC: H01J9/233
Abstract: 형광막을 균일하게 형성하기 위해 광전도막에 균일하게 대전하여 스크린을 제조하는 방법이 제공된다. (1) 상기 판넬내면에 휘발성전도막을 형성시키는 1차코팅 단계; (2)그 전도막위에 전기적 절연을 위한 절연막을 형성시키는 2차코팅 단계;(3) 그 절연막위에 제1파장역의 광선에 감응하는 물질을 함유하는 휘발성의 제1광전도막을 형성시키는 3차코팅단계; (4)그 제1광전도막위에 제2파장역의 광선에 감응하는 물질을 함유하는 휘발성의 제2광전도막을 형성시키는 4차코팅 단계;(5) 그 제2광전도막에 -직류전극을 인가하고 상기 전도막에 +직류전극을 인가하면서 그 제2광전도막에 제2파장역의 광선을 전면에 걸쳐 노광하므로서 균일한 정전하를 그 제2광전도막에 대전시키는 대전단계; (6) 그 제2광전도막의 정전하를선택적으로 제1광전도막에 이동시키도록 제1파장역의 광선으로 새도우마스크를 통과시켜 노광하는 노광단계; 그리고 (7)상기 노광단계(6)에서 정전하가 선택적으로 이동된 제1광전도막의 노광부분과 그 나머지 비노광부분중 어느 하나의 영역에 대전된 미세분말을 부착시키는 현상단계를 포함한다. 이에 따라, 코로나방전장치와 같은 방전장치가 필요없을 뿐만 아니라 복잡한 방전조건을 조절할 필요없이 대전을 균일하게 할 수 있고, 공정도 단순화되며, 형광체 도포두께 및 크기, 형상등을 균일하게 할 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019920006199B1
公开(公告)日：1992-08-01
申请号：KR1019900003848
申请日：1990-03-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L39/00
CPC classification number: Y02E40/642
Abstract: The method for producing a superconductive thin film is characterized by mixing Y2O3, Ba2CO3 and CuO, grinding the mixture for 12 hr to obtain a pellet, heat-treating the pellet at 900 deg.C for 9 hr and grinding it, mixing Y-Ba-Cu-O powder with Ag2O powder, pressure-molding the mixture to obtain a circular plate-shaped molded article, sintering the article under the oxygen atmosphere at 950 deg.C for 12 hr to obtain a composite target, depositing Y-Ba-Cu-O-Ag thin film of 1.5 μm thickness on the polycrystal yttria- stabilized- zirconia substrate, presputtering and growing the thin film for 3 hr, heat-treating it under the argon atmosphere at 900 deg.C for 10 min and under the oxygen atmosphere at 100 deg.C for 10 min, and furnace-cooling it.
Abstract translation: 超导薄膜的制造方法的特征在于，混合Y 2 O 3，Ba 2 CO 3和CuO，研磨混合物12小时，得到粒料，在900℃下热处理9小时，研磨，混合Y-Ba -Cu-O粉末，对该混合物进行加压成形，得到圆板状的成形品，在950℃的氧气氛下烧结该物品12小时，得到复合靶，将Y-Ba- 在多晶氧化钇稳定氧化锆基体上1.5μm厚的Cu-O-Ag薄膜，预溅射和生长薄膜3小时，在氩气氛下在900℃下热处理10分钟，并在 氧气氛在100℃下进行10分钟，并对其进行炉冷却。
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公开(公告)号：KR1019920004030B1
公开(公告)日：1992-05-22
申请号：KR1019890018687
申请日：1989-12-15
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L39/00
Abstract: A high temperature super conductor degradation is protected by coating the superconductor bulk or film circuit with one ceramic material of Si3N4, TiO2 or SiO2 to isolate the bulk or film circuit from atmosphere water by the plasma chemical vacuum deposition (CVD). The process is no film damage because of ion collision or heat and no structural transition.
Abstract translation: 通过用Si 3 N 4，TiO 2或SiO 2的一种陶瓷材料涂覆超导体本体或膜电路来保护高温超导体劣化，以通过等离子体化学真空沉积（CVD）将大块或薄膜电路与大气水隔离。 该过程由于离子碰撞或热而没有结构转变而没有膜损伤。
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