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公开(公告)号：KR1020040010923A
公开(公告)日：2004-02-05
申请号：KR1020020043962
申请日：2002-07-25
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L23/28
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/97 , H01L2924/00014
Abstract: PURPOSE: A chip scale package of an MEMS(Micro-Electro-Mechanical-System) device and a manufacturing method thereof are provided to be capable of easily carrying out a mounting process at the minimum surface area of an outer circuit board. CONSTITUTION: A chip scale package of an MEMS device is provided with a lower substrate(500) having a plurality of via holes, an upper substrate(400), a plurality of conductive material parts(540) formed at the via holes, and a plurality of MEMS devices(550) loaded at the predetermined portions of the lower substrate. The chip scale package further includes a connection part for electrically connecting the conductive material part with the MEMS device and an adhesive part(430) for attaching the upper substrate to the lower substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种MEMS（微电子机械系统）装置的芯片级封装及其制造方法，能够容易地在外部电路板的最小表面积处进行安装处理。 构成：MEMS器件的芯片级封装设置有具有多个通孔的下基板（500），上基板（400），形成在通孔处的多个导电材料部件（540），以及 多个MEMS器件（550）装载在下基板的预定部分。 芯片级封装还包括用于将导电材料部件与MEMS器件电连接的连接部件和用于将上基板连接到下基板的粘合部件（430）。
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公开(公告)号：KR1020030062739A
公开(公告)日：2003-07-28
申请号：KR1020020003098
申请日：2002-01-18
Applicant: 한국과학기술연구원 , 한화나노텍 주식회사
Abstract: PURPOSE: A flat type field emission lamp and a method for manufacturing the same are provided to achieve improved luminous efficiency and obtain a uniform luminous area even when the thickness of the lamp is thin. CONSTITUTION: A field emission lamp comprises a rear substrate(21) and a front substrate opposed with each other; a cathode electrode(22) arranged on the rear substrate; a grid electrode(23) arranged on the rear substrate in such a manner that the grid electrode crosses with the cathode electrode; a spacer(25) for heating and sealing the space formed between the rear substrate and the front substrate; a cathode electrode arranged all over the front substrate; a phosphor deposited on the anode electrode; a carbon nanotube(24) arranged on the cathode electrode and which serves as an electron emitting member; a grid(27) interposed between the cathode electrode and the anode electrode so as to control the electron emitted from the carbon nanotube; a support board(26) disposed on the rear substrate so as to install the grid; and a conductive paste deposited on the outer surface of the support board so as to electrically ground the grid to the grid electrode disposed on the rear substrate.
Abstract translation: 目的：提供扁平型场致发射灯及其制造方法，以便即使当灯的厚度较薄时，也可实现发光效率的提高并获得均匀的发光面积。 构成：场致发射灯包括后基板（21）和彼此相对的前基板; 布置在所述后基板上的阴极电极; 以所述栅电极与所述阴极电极交叉的方式配置在所述后基板上的栅电极（23） 用于加热和密封形成在后基板和前基板之间的空间的间隔件（25） 设置在前基板整个上的阴极电极; 沉积在阳极上的荧光体; 布置在阴极电极上并用作电子发射部件的碳纳米管（24）; 插入在所述阴极电极和所述阳极电极之间以控制从所述碳纳米管发射的电子的栅极（27）; 设置在后基板上以便安装格栅的支撑板（26）; 以及沉积在所述支撑板的外表面上以将所述栅格电电接到设置在所述后基板上的栅电极的导电膏。
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公开(公告)号：KR1020030031334A
公开(公告)日：2003-04-21
申请号：KR1020010063421
申请日：2001-10-15
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C23C16/0281 , Y10S977/895
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a metallic nanowire is provided to form lots of metal nanowires on a substrate directly without any special lithography process or similar methods. CONSTITUTION: An oxide layer, about 500 nm in thickness, is formed on a wafer in an electric furnace while maintaining its temperature 1100 degree C. A tungsten thin film is deposited on the oxide layer with the width ranging 30 to 1000 nm. The resultant structure is inserted into a low pressure CVD equipment. Grown for 10-4000 seconds under the low pressure ranging 10 mtorr - 100 torr with Ar/H2 gas being flown from 30 to 300 sccm, the tungsten thin film is self-sacrificed to create nanowires. Temperature is kept from 500 to 850 degree C. during the process.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造金属纳米线的方法，其在基底上直接形成许多金属纳米线，而无需任何特殊的光刻工艺或类似方法。 构成：在电炉中的晶片上形成约500nm厚的氧化物层，同时保持其温度为1100℃。在宽度范围为30至1000nm的氧化物层上沉积钨薄膜。 将所得结构插入低压CVD设备中。 在Ar / H2气体从30到300sccm的低压力范围10mtorr-100乇下生长10-4000秒，钨薄膜被自牺牲以产生纳米线。 在此过程中，温度保持在500至850摄氏度。
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公开(公告)号：KR100376768B1
公开(公告)日：2003-03-19
申请号：KR1020000048907
申请日：2000-08-23
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L51/0595 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/08 , C23C16/04 , C23C16/26 , C30B25/00 , C30B25/02 , C30B29/605 , D01F9/12 , H01L51/0048 , H01L51/0504 , Y10S977/842
Abstract: 본 발명은 원하는 위치에 직접 탄소나노튜브를 수평방향으로 성장시켜 직접화하는 전자 및 스핀소자 응용을 위한 탄소나노튜브의 선택적 수평성장 방법에 관한 것으로, 고온의 전기로에서 산화법 및 CVD법을 이용하여 기판상에 50~1500nm 범위내의 두께를 갖는 절연막을 형성하는 단계와, 상기 절연막상에 접촉전극 패드를 포함한 촉매금속층의 미세 패턴을 형성하는 단계와, 상기 촉매금속층 상부에 수직성장 장벽층을 형성하는 단계와, 가스압력 10~500torr 범위내의 분위기에서 화학기상증착공정(혹은 플라즈마 공정)을 이용하여 상기 촉매패턴 간에 탄소나노튜브를 직접 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 一种用于电子自旋器件应用的碳纳米管的选择性平行生长方法，其将碳纳米管直接在所需位置朝向水平方向生长包括以下步骤：在基板上形成绝缘膜; 在绝缘膜上形成包括接触电极焊盘的催化剂金属层的精细图案，在催化剂金属层的上部形成用于防止垂直生长的生长阻挡层; 并在催化剂图案之间直接生长碳纳米管。
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公开(公告)号：KR100372168B1
公开(公告)日：2003-02-26
申请号：KR1020000046198
申请日：2000-08-09
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an FED of triode carbon nanotubes is provided to manufacture an FED having characteristics like a high mechanical strength, a high electron emission current and low voltage Turn-on by growing selectively carbon nanotubes using CVD process. CONSTITUTION: A gate insulating layer and a gate electrode are formed on a lower substrate. The gate electrode is selectively etched to expose a predetermined portion of the gate insulating layer. A hole is formed by wet-etching and dry-etching the gate insulating layer to expose a predetermined portion of the substrate. A conductive layer having a slant is formed on the gate electrode by using an electron-beam vapor deposition. A thin film metal catalyzer is deposited on the conductive layer and the substrate of the hole, and thereafter carbon nanotubes(106) are deposited and formed selectively at the center of the hole by using CVD. The conductive layer is removed by a lift-off process, and then carbon nanotubes(106) are directly grown on the substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造三极管碳纳米管的FED的方法，其通过使用CVD工艺选择性生长碳纳米管来制造具有诸如高机械强度，高电子发射电流和低电压开启特性的FED。 构成：在下基板上形成栅绝缘层和栅电极。 栅电极被选择性地蚀刻以暴露栅极绝缘层的预定部分。 通过湿法刻蚀并干法刻蚀栅极绝缘层以暴露衬底的预定部分来形成孔。 通过使用电子束气相沉积在栅电极上形成具有倾斜的导电层。 将薄膜金属催化剂沉积在孔的导电层和基底上，然后用CVD法在孔的中心选择性沉积和形成碳纳米管（106）。 通过剥离工艺去除导电层，然后碳纳米管（106）直接生长在衬底上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100356691B1
公开(公告)日：2002-10-18
申请号：KR1020000016605
申请日：2000-03-30
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 정전 열 접합(Electrostatic bonding)을 이용한 진공실장방법에 관한 것으로, 구체적으로는 반도체 기판과 유리 기판 또는 유리기판과 유리기판간의 정전 열 접합을 이용하여 디스플레이나 마이크로 소자를 진공 실장하는 기술에 관한 것이다. 본 발명은 기존의 배기용 세관 공정에 비해 저온에서 체적이 작은 패널 내부의 진공 효율을 극대화시키고, 실리콘 기판의 입자투과율과 물리적 강도등의 단점을 극복하며, 마이크로 소자의 피드쓰루(Feed-through)를 효율적으로 형성하는 고진공실장방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020020012933A
公开(公告)日：2002-02-20
申请号：KR1020000046198
申请日：2000-08-09
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an FED of triode carbon nanotubes is provided to manufacture an FED having characteristics like a high mechanical strength, a high electron emission current and low voltage Turn-on by growing selectively carbon nanotubes using CVD process. CONSTITUTION: A gate insulating layer and a gate electrode are formed on a lower substrate. The gate electrode is selectively etched to expose a predetermined portion of the gate insulating layer. A hole is formed by wet-etching and dry-etching the gate insulating layer to expose a predetermined portion of the substrate. A conductive layer having a slant is formed on the gate electrode by using an electron-beam vapor deposition. A thin film metal catalyzer is deposited on the conductive layer and the substrate of the hole, and thereafter carbon nanotubes(106) are deposited and formed selectively at the center of the hole by using CVD. The conductive layer is removed by a lift-off process, and then carbon nanotubes(106) are directly grown on the substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造三极管碳纳米管的FED的方法，以通过使用CVD工艺生长选择性碳纳米管来制造具有诸如高机械强度，高电子发射电流和低电压接通特性的特性的FED。 构成：在下基板上形成栅极绝缘层和栅电极。 选择性地蚀刻栅电极以暴露栅极绝缘层的预定部分。 通过湿蚀刻和干蚀刻栅极绝缘层来形成孔，以暴露基板的预定部分。 通过使用电子束气相沉积在栅电极上形成具有倾斜的导电层。 在导电层和孔的基板上沉积薄膜金属催化剂，然后通过使用CVD沉积并选择性地在孔的中心形成碳纳米管（106）。 通过剥离工艺去除导电层，然后在基板上直接生长碳纳米管（106）。
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公开(公告)号：KR100176324B1
公开(公告)日：1999-03-20
申请号：KR1019950032843
申请日：1995-09-29
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 다이오드형 전계방출소자의 전계방출부와 양극간의 거리조절방법에 관한 것으로, 음극 기판과 양극 기판 사이에 절연박막 및 홈을 형성시키는 방법에 의해 전계방출부의 끝부분과 양극 표면간의 거리를 1㎛ 이하로부터 수 백 ㎛에 이르기까지 수십 Å 수준의 분해능으로 조절할 수 있도록 하여 전계방출부로 부터의 전계 분포를 정확히 실측할 수 있을 뿐 아니라 전계방출 전압 및 방출 전류을 효과적으로 제어할 수 있으며, 아울러 전계방출표시소자는 물론 마이크로 팁을 이용한 터널링 세서 제조 등에도 응용 가능한 고신뢰성의 다이오드형 전계방출소자를 구현할 수 있게 된다.
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公开(公告)号：KR1019970072511A
公开(公告)日：1997-11-07
申请号：KR1019960012209
申请日：1996-04-22
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L33/00
Abstract: 본 발명에 의한 백색 발광용 전계발광표시(electroluminescent display: ELD)소자 및 그 제조방법은, ITO 재질의 투명전극이 형성된 기판 상에, 다층 적층 구조의 제1절연막을 형성하는 공정과; 상기 제1절연막 상의 소정 부분에 ZnS: Pr,Ce,F 재료로 이루어진 발광박막을 형성하는 공정과; 상기 제1절연막과 발광박막을 포함한 투명전극 상의 소정 부분에 제2절연막을 형성하는 공정 및; 상기 제2절연막 상에 서로 소정간격 이격되도록 알루미늄 전극을 형성하는 공정으로 이루어져, 1) 단일 발광중심(예컨대, ZnS: Pr, SrS: Pr, ZnS: Ho....등)을 사용하는 경우에 얻어지는 녹색을 띤 백색이나 적색을 띤 백색과는 달리, 가시광 전영역에 걸쳐 고른 발광특성을 갖는 우수한 백색순도와 휘도특성을 확보할 수 있고, 2) SrS: Ce, Eu와 같이 SrS모체를 사용할 경우 관찰되는 필수적으로 요구되는 까다로운 공정 조건, 화학양론적인 조성으로부터의 이탈, 화학적인 불안정성, 높은 흡습성 등으로 인한 ELD소자의 가속 열화현상 등을 제거할 수 있으며, 3) ZnS: Mn/SrS: Ce 구조와는 달리, 발광박막을 단일재료를 이용한 단일층으로 형성하므로 공정 진행이 용이할 뿐 아니라 ZnS모체를 이용하므로 박막 공정이 용이하여 양산성면에서 유리하고, 4) PrF
3 와 CeF
3 화합물의 가농도를 변화시킴으로써, 휘도 조절이 가능하며, 5)PrF
3 에 대한 CeF
3 의 농도를 현재와 같이 동일한 비율로 첨가하지 않고 가변시킴으로써, 발광중심파장을 변화시킬 수 있게 되어, 원하는 최대발광치를 나타내는 표시소자를 구현할 수 있게 된다.-
公开(公告)号：KR1019970008260A
公开(公告)日：1997-02-24
申请号：KR1019950020245
申请日：1995-07-10
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 전계방출소자(field emitter display) 제조방법에 관한 것으로, 제1반도체기판을 결정 의존성 식각하여 몰드를 형성하고, 이를 이용하여 팁 어래이를 형성한 뒤 제2반도체기판을 상기 팁 어래이에 접합하여 소자 제조를 완료하므로써, 1) 몰드(mold)용 기판과 팁 어래이의 받침대로 쓰이는 기판이 동일 재질(예컨대, 단결정 실리콘)로 형성되어 VLSI 기술과의 호환성이 있으며, 2) 아울러 비교적 평탄한 반도체 표면 상에서 사진식각공정을 비롯한 후처리 공정(예컨대, 게이트 절연막 및 게이트 전극 패터닝 공정)이 진행되므로 단차(step coverage)등에 의한 공정상의 어려움을 제거할 수 있어, 팁 높이에 제한없이 공정을 용이하게 실시할 수 있게 되고, 또한 3) 양질의 열산화막을 게이트 절연막으로 활용할 수 있는 고신뢰성의 전계방출소자를 구현할 수 있게 된다.
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