비휘발성 상변화 메모리 재료의 특성 평가 방법
    21.
    发明公开
    비휘발성 상변화 메모리 재료의 특성 평가 방법 失效
    非易失性相变材料性能评价方法

    公开(公告)号:KR1020040071524A

    公开(公告)日:2004-08-12

    申请号:KR1020030007541

    申请日:2003-02-06

    Abstract: PURPOSE: A method for evaluating properties of a nonvolatile phase change memory material is provided to apply a pulse-type electric energy, and to measure phase change properties of a memory material by using an energy applying unit and a synchronized optical unit in real time, thereby improving the phase change properties. CONSTITUTION: A continuous laser beam(36) is focused/incident through a laser light source having a specific wavelength within a range of visible light. The continuous laser beam(36) detects intensity changes of a light(37) reflected from memory areas(33a,33b) or a transmitted light(38) in real time. An optical pulse is used for heating purpose instead of an electric pulse. The electric pulse is used to detect signals in real time.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于评估非易失性相变存储材料的性能的方法以施加脉冲型电能,并且通过使用能量施加单元和同步光学单元实时测量存储材料的相变特性, 从而改善相变性。 构成:连续的激光束(36)通过具有在可见光范围内的特定波长的激光光源聚焦/入射。 连续激光束(36)实时地检测从存储区域(33a,33b)或透射光(38)反射的光(37)的强度变化。 光脉冲用于加热而不是电脉冲。 电脉冲用于实时检测信号。

    파장선택형 다층 구조의 투명 도전막
    22.
    发明公开
    파장선택형 다층 구조의 투명 도전막 失效
    多层结构透明导电膜

    公开(公告)号:KR1020020088488A

    公开(公告)日:2002-11-29

    申请号:KR1020010026976

    申请日:2001-05-17

    Abstract: PURPOSE: Provided is a multi-layer structured transparent conductive film excellent in light permeability and conductivity, which can be used as a transparent electrode of a flat-plate display such as TFT-LCD, PDP, FED, ELD, OELD and can be used for shielding electromagnetic waves. CONSTITUTION: The multi-layer structured transparent conductive film comprises transparent films and metal films formed on a substrate by turns, wherein the transparent film is made of at least one selected from a dielectric material, an oxide material, or a polymer material capable of transmitting light in a visible ray range and the metal film is at least one selected from the group consisting of Ag, Au, Cu, Pd, Pt, Ni, Al, Y, La, Mg, Ca, Li, K, Na, Cr, and etc. and the thickness of the metal film is 5-50nm.

    Abstract translation: 目的:提供透光性和导电性优异的多层结构的透明导电膜,其可以用作TFT-LCD,PDP,FED,ELD,OELD等平板显示器的透明电极,并且可以使用 用于屏蔽电磁波。 构成:多层结构的透明导电膜包括透明膜和在基板上轮流形成的金属膜,其中透明膜由选自介电材料,氧化物材料或能够传输的聚合物材料中的至少一种制成 可见光范围内的光,金属膜为选自Ag,Au,Cu,Pd,Pt,Ni,Al,Y,La,Mg,Ca,Li,K,Na,Cr, 并且金属膜的厚度为5-50nm。

    되쓰기형 광기록매체용 상변화형 광기록재료
    23.
    发明公开
    되쓰기형 광기록매체용 상변화형 광기록재료 失效
    用于REWRITE型光学记录介质的相变型光学记录材料

    公开(公告)号:KR1020020076523A

    公开(公告)日:2002-10-11

    申请号:KR1020010016425

    申请日:2001-03-29

    Abstract: PURPOSE: A phase change type optical recording material for a rewrite type optical recording medium is provided to enable high-speed crystallization corresponding to increases in high-intensity and data transfer rate. CONSTITUTION: A phase change type optical recording material for a rewrite type optical recording medium is composed of a stoichiometric GeSbTe-based alloy and a ternary alloy(ABC) having the same crystal structure as the GeSbTe-based alloy in a composition of (Aa Bb Cc)_x(Ge_a Sb_b Te_c)_1-x, wherein x is an atomic mole fraction, and larger than 0 and smaller than 1; a,b,c represent atomic molar ratio; A is an element belonging to the IV group, B is an element belonging to the V group, C is an element belonging to the VI group.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于重写型光学记录介质的相变型光学记录材料,以便能够实现高强度和高数据传输速率的高速结晶。 构成:用于重写型光学记录介质的相变型光学记录材料由化学计量的GeSbTe基合金和具有与GeSbTe基合金相同的晶体结构的三元合金(ABC)组成(Aa Bb Cc)_x(Ge_a Sb_b Te_c)_1-x,其中x是原子摩尔分数,大于0且小于1; a,b,c表示原子摩尔比; A是属于IV组的元素,B是属于V族的元素,C是属于VI族的元素。

    분광 센서, 이를 이용한 분광 장치 및 분광 방법
    27.
    发明授权
    분광 센서, 이를 이용한 분광 장치 및 분광 방법 有权
    光谱传感器,使用它的光谱装置和光谱方法

    公开(公告)号:KR101722396B1

    公开(公告)日:2017-04-04

    申请号:KR1020150104308

    申请日:2015-07-23

    Abstract: 입사되는광에따라적어도두 개이상의서로다른감광곡선을갖는분광센서와상기분광센서에서출력되는신호를디지털신호처리하여상기입사되는광의스펙트럼정보를복구하는디지털처리부를구비한분광장치및 상기분광센서를이용한분광방법이개시된다. 분광센서의각 검출기는, 하나이상의반도체층으로이루어지며입사된빛을흡수하여전류를발생시키도록구성된감지층을포함하는에피구조체를포함하고, 상기에피구조체는상기반도체층 중적어도어느하나에수직방향으로복수의나노구조체를형성한것일수 있다. 상기분광센서는광 필터부에의한입사스펙트럼의투과도감소를방지할수 있고, 입사스펙트럼의투과도감소에따른광 전류의감소를차단하여신호대잡음비를향상시킬수 있으며, 랜덤잡음이혼합되는것을차단하여디지털신호처리의성능을개선할수 있는장점이있다.

    Abstract translation: 分光器,并且所述分光传感器,其包括回收来自上述光谱传感器和具有不同的感光曲线是根据入射光的数字处理的事件的数字信号处理光谱传感器输出的至少两个或更多个单独的光的频谱信息信号 被披露。 分光传感器的每个检测器包括外延结构,该外延结构包括一个或多个半导体层并且包括被配置为吸收入射光以产生电流的传感层, 并且可以形成多个纳米结构。 分光传感器入射并能够防止频谱的传输速度减小,以阻止对应于入射光谱的降低的渗透性的光电流的减小,并且可以提高信噪比,通过由子光滤波器防止随机噪声的混合物中的数字信号 有一个优点是可以提高处理的性能。

    버키 다이아몬드를 이용한 센싱 전극 및 이의 제조 방법
    28.
    发明授权
    버키 다이아몬드를 이용한 센싱 전극 및 이의 제조 방법 有权
    使用浮雕钻石的感应电极及其制造方法

    公开(公告)号:KR101648122B1

    公开(公告)日:2016-08-16

    申请号:KR1020140082635

    申请日:2014-07-02

    Abstract: 센싱전극의제조방법은, 나노다이아몬드파우더를열처리함으로써, 탄소원자간에 sp3 결합을이루는제1 부분및 상기제1 부분의바깥쪽에배치되며탄소원자간에 sp2 결합을이루는제2 부분을포함하는버키(bucky) 다이아몬드를형성하는단계; 및상기버키다이아몬드를재료로센싱전극을형성하는단계를포함할수 있다. 상기센싱전극은산 또는암모니아에의한처리등의파괴공법을거치치않는단순한열처리공정을통해제조되어결함(defect)이적고, 저분자(small molecule)의고 선택도(high selectivity) 및고 감도(sensitivity) 동시센싱(simultaneous sensing)이가능한이점이있다.

    박막형 태양전지, 박막형 태양전지의 제조 방법 및 박막형 태양전지의 효율 증대 방법
    29.
    发明公开
    박막형 태양전지, 박막형 태양전지의 제조 방법 및 박막형 태양전지의 효율 증대 방법 有权
    薄膜型太阳能电池,其制造方法和提高薄膜型太阳能电池的效率的方法

    公开(公告)号:KR1020150061279A

    公开(公告)日:2015-06-04

    申请号:KR1020130145183

    申请日:2013-11-27

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521 H01L31/18 H01L31/04

    Abstract: 박막형태양전지는텍스처링된영역을부분적으로포함하는능동층; 상기능동층상에위치하는필름층; 및상기필름층상에위치하며, 입사광을상기텍스처링된영역에집속시키도록배치된하나이상의렌즈를포함하는렌즈어레이를포함할수 있다. 또한, 박막형태양전지제조방법은능동층에부분적으로텍스처링된영역을형성하는단계; 및상기텍스처링된영역을포함하는능동층위에, 입사광을상기텍스처링된영역에집속시키도록배치된하나이상의렌즈를포함하는렌즈어레이및 필름층을포함하는광집속층을위치시키는단계를포함할수 있다. 또, 태양전지의효율증대방법은하나이상의렌즈를포함하는렌즈어레이에의해입사광을집속시키는단계; 상기집속된입사광을, 박막형태양전지의능동층에형성된텍스처링된영역에입사시키는단계; 및상기텍스처링된영역에입사된입사광을상기능동층에의해전기에너지로변환하는단계를포함할수 있다.

    Abstract translation: 薄膜型太阳能电池包括部分包括纹理区域的有源层,位于有源层上的膜层和位于膜层上的透镜阵列,并且包括一个或多个透镜,其被设置为集中 在纹理区域的入射光。 而且,制造薄膜型太阳能电池的方法包括以下步骤:在有源层上形成部分纹理化区域; 以及将包括膜层和透镜阵列的光聚集层定位在包括纹理区域的活性层上,该透镜阵列包括一个或多个透镜,该透镜被布置成将入射光集中在纹理区域上。 另外,根据本发明的提高太阳能电池的效率的方法包括以下步骤:通过包括一个或多个透镜的透镜阵列集中入射光; 将浓缩入射光输入到形成在薄膜太阳能电池的有源层上的纹理区域; 以及通过有源层将输入到纹理区域的入射光转换为电能。

    나노안테나 배열의 제조 방법, 나노안테나 배열 칩 및 리소그래피용 구조물
    30.
    发明公开
    나노안테나 배열의 제조 방법, 나노안테나 배열 칩 및 리소그래피용 구조물 有权
    制作纳米线阵列的方法,纳米线阵列和结构

    公开(公告)号:KR1020150059453A

    公开(公告)日:2015-06-01

    申请号:KR1020130143068

    申请日:2013-11-22

    Abstract: 나노안테나배열제조방법은기판위에레지스트층을형성하는단계; 상기레지스트층위에유전체마이크로구조체배열을포함하는포커싱층을형성하는단계; 선형디퓨저를이용하여빛을일 방향으로산란시키는단계; 상기선형디퓨저에의해산란된빛을상기포커싱층및 상기레지스트층에조사시킴으로써상기레지스트층에비등방성의패턴을형성하는단계; 상기기판및 상기패턴이형성된레지스트층에플라즈모닉공진특성을갖는물질을증착하는단계; 및상기레지스트층및 상기레지스트층상에증착된물질을제거함으로써상기기판상에나노안테나배열을형성하는단계를포함할수 있다. 상기선형디퓨저에의한빛의산란각도및 상기유전체마이크로구조체의크기는형성하고자하는패턴의종횡비에기초하여결정된다.

    Abstract translation: 纳米天线阵列的制造方法包括: 在基板上形成抗蚀剂层的步骤; 在抗蚀剂层上形成包括电介质微结构阵列的聚焦层的步骤; 通过使用线性漫射器在一个方向上漫射光的步骤; 通过用线性扩散器漫射的光照射聚焦层和抗蚀剂层,在抗蚀剂层上形成各向异性图案的步骤; 在衬底上蒸发具有等离子体共振特性的材料和形成图案的抗蚀剂层的步骤; 以及通过去除抗蚀剂层和沉积在抗蚀剂层上的材料在衬底上形成纳米天线阵列的步骤。 基于正在形成的图案的纵横比来确定通过线性漫射器的光的散射角和电介质微结构的尺寸。 根据本发明的纳米天线阵列的制造方法,能够在2-20μm的波长区域的红外波段中显示等离子体共振特性的红外线纳米天线阵列,其中,固有振动模式 存在的大多数分子可以容易地形成。

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