Abstract:
블록 공중합체를 이용한 미세 패턴 형성 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 미세 패턴 형성 방법에서는 기판상에 표면 특성이 서로 다른 제1 부분 및 제2 부분이 제1 피치(Px)로 교대로 반복 배치되는 제1 패턴이 형성된 이미지 패턴층을 형성한다. 이미지 패턴층 위에 블록 공중합체를 포함하는 물질층을 형성한다. 물질층의 상분리를 통해 물질층의 성분들을 재배열시켜, 이미지 패턴층 위에 제2 패턴이 형성된 미세 패턴층을 형성한다. 제2 패턴에서는 서로 다른 성분의 반복 단위를 가지는 복수의 제1 블록 및 제2 블록이 각각 제1 피치(Px) 보다 작은 제2 피치(P BC )로 반복 배치된다. 블록 공중합체, 자기조립, 이미지층, 상분리, 피치, 친수성
Abstract:
본 발명은 원자외선 영역에서 사용될 수 있는 새로운 포토레지스트 물질로서 비닐 4-테트라히드로피라닐옥시벤잘-비닐 4-히드록시벤잘-비닐 테트라히드로피라닐에테르-비닐 아세테이트 공중합체, 비닐 4-테트라히드로피라닐옥시벤잘-비닐 테트라히드로피라닐에테르-비닐 아세테이트 공중합체 및 그들의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 공중합체는 원자외선 영역에서 흡광도가 매우 낮아 뛰어난 투명성을 나타내고, 주쇄의 아세탈 구조와 치환기의 아세탈 구조에 의해 내건식에칭성이 향상되었다.
Abstract:
본 발명은 원자외선 영역에서 사용될 수 있는 새로운 포토레지스트 물질로서 비닐 4-테트라히드로피라닐옥시 벤잘-비닐 4-히드록시 벤잘-비닐 테트라히드로피라닐에테르-비닐 아세테이트 공중합체, 비닐 4-테트라히드로피라닐옥시벤잘-비닐 테트라히드로피라닐에테르-비닐 아세테이트 공중합체 및 그들의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 공궁합체는 원자외선 영역에서 흡광도가 매우 낮아 뛰어난 투명성을 나타내고, 주쇄의 아세탈 구조와 치환기의 아세탈 구조에 의해 내건식에 칭성이 향상되었다.
Abstract translation:提供了新型配体,包括其的手性金属络合物,以及手性金属络合物用于通过1 H NMR光谱分析带电荷化合物的手性的用途。 本发明的手性金属络合物可以用作手性溶剂化剂,以便通过1 H NMR光谱方便地分析带电荷化合物如各种胺衍生物,羧酸衍生物,羟腈衍生物和带电金属配合物的光学纯度。
Abstract:
본 발명은 연속회분식 고온/중온 이단 혐기소화 공정을 이용한 유기성 폐기물의 처리방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 가수분해미생물, 산발효미생물, 메탄생성미생물을 포함하는 혐기성 미생물을 직렬로 연결된 고온 반응조 및 중온 반응조에 각각 식종하고 이들 혐기성 미생물의 공생관계를 유지하도록 하여 유기성 폐기물을 처리하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 연속회분식 고온/중온 이단 혐기소화 공정을 이용한 유기성 폐기물의 처리방법은 (1)혐기성 미생물이 함유된 고온 반응조에 유기성 폐기물을 유입시켜 혐기성 미생물과 반응시키는 단계와, (2)혐기성 미생물이 함유된 중온 반응조에 상기 (1)단계 처리후의 상등액을 유입시켜 혐기성 미생물과 반응시키는 단계와, (3)상기 (2)단계 후 중온 반응조에서 처리된 유기성 폐기물을 유출시키는 단계를 포함한다.