마이크로파를 이용한 반도체 소자의 제조방법 및 이에 의해 제조된 반도체 소자
    21.
    发明授权
    마이크로파를 이용한 반도체 소자의 제조방법 및 이에 의해 제조된 반도체 소자 有权
    通过使用微波辐照和半导体半导体器件制造半导体器件的方法

    公开(公告)号:KR101124958B1

    公开(公告)日:2012-03-27

    申请号:KR1020100127702

    申请日:2010-12-14

    CPC classification number: H01L21/268 H01L21/823412 H01L51/0048

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device using a microwave and the semiconductor device manufactured by the same are provided to flow a current through a current path comprised of only the semiconductor by irradiating mixture with the microwave to block a metallic current path. CONSTITUTION: A mixture with a semiconductor material and a metallic material is formed on an insulation substrate. A semiconductor layer is formed by irradiating the mixture with a microwave. A drain electrode and a source electrode are formed on the semiconductor layer. The metallic material is smaller than the skin depth of the microwave.

    Abstract translation: 目的:提供一种使用微波制造半导体器件的方法及其制造的半导体器件,以通过与微波照射混合物来流过仅包含半导体的电流路径的电流来阻挡金属电流路径。 构成:在绝缘基板上形成具有半导体材料和金属材料的混合物。 通过用微波照射混合物形成半导体层。 漏电极和源电极形成在半导体层上。 金属材料比微波的皮肤深度小。

    양자점 박막 코팅 장치 및 이의 구동 방법
    23.
    发明授权
    양자점 박막 코팅 장치 및 이의 구동 방법 有权
    QUANTUM DOT膜涂装置及其驱动方法

    公开(公告)号:KR101057830B1

    公开(公告)日:2011-08-19

    申请号:KR1020100101367

    申请日:2010-10-18

    CPC classification number: B05C3/02 B82B3/00

    Abstract: PURPOSE: A quantum dot thin film coating apparatus and a method for driving the same are provided to simply adjust the thickness of a quantum dot thin film by generating a photoelectric/thermoelectric quantum dot active layer. CONSTITUTION: A body part(10) is prepared. A controlling part(20) is installed in the body part and outputs controlling signals(CNT 1 to CNT 3). A substrate supporting part(30) is arranged on the upper side of the body part and is vertically operated according to a first controlling signal from the controlling part. A substrate is in connection with the substrate supporting part. A plurality of containers contains different coating solutions. A rotating part(40) rotates the containers by receiving a second controlling signal from the controlling part.

    Abstract translation: 目的:提供量子点薄膜涂覆装置及其驱动方法,通过产生光电/热电量子点有源层来简单地调整量子点薄膜的厚度。 构成:准备身体部位(10)。 控制部(20)安装在主体部,输出控制信号(CNT1〜CNT3)。 基板支撑部(30)设置在主体部的上侧,并且根据来自控制部的第一控制信号进行垂直操作。 衬底与衬底支撑部分连接。 多个容器包含不同的涂布溶液。 旋转部件(40)通过从控制部件接收第二控制信号来旋转容器。

    고전도성 양자점 필름의 제조방법 및 이에 의하여 제조되는 고전도성 양자점 필름
    24.
    发明授权
    고전도성 양자점 필름의 제조방법 및 이에 의하여 제조되는 고전도성 양자점 필름 有权
    高导电量子膜和高导电量子膜的制备方法

    公开(公告)号:KR101051083B1

    公开(公告)日:2011-07-21

    申请号:KR1020100091075

    申请日:2010-09-16

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: PURPOSE: A highly conductive quantum dot film provides electric component improving performance by reducing a surface defect according to change the surface of the film. CONSTITUTION: A conductivity quantum dot is manufactured. The conductivity quantum dot is coated in substrate. The ligand between the conductivity quantum dot is exchanged. The substrate in which the conductivity quantum dot is coated is treated by heating to the temperature of 40~70°C in the inert atmosphere. The substrate which is treated by heating is changed to the ligand.

    Abstract translation: 目的:高导电量子点膜通过根据膜表面的变化减少表面缺陷而提供电气元件改进性能。 构成:制造导电量子点。 导电量子点被涂覆在基片中。 交换电导量子点之间的配体。 通过在惰性气氛中加热至40〜70℃的温度,对其中涂布导电量子点的基板进行处理。 通过加热处理的基板改变为配体。

    탄소나노튜브 투명 발열체가 국부적으로 내장된 코팅 필름
    25.
    发明公开
    탄소나노튜브 투명 발열체가 국부적으로 내장된 코팅 필름 有权
    具有本地化碳纳米管透明加热器的涂膜

    公开(公告)号:KR1020100119032A

    公开(公告)日:2010-11-09

    申请号:KR1020090037942

    申请日:2009-04-30

    CPC classification number: H05B3/84 H05B3/145 H05B3/20 H05B2203/013 H05B2214/04

    Abstract: PURPOSE: A coating film having localized carbon nanotube transparent heater is provided to perform functions such as frost removing function by attaching a coating film having carbon nanotube transparent film to the base material in the local area. CONSTITUTION: A carbon nanotube transparency heating film(110) having electric conductance is arranged on the partial domain of the coated film. An electrode is installed on the transparency heating film. The electrode applies the electric potential difference to the transparency heating film. The transparency heating film reduces the transmittivity and the electrical resistance according to the increase of the carbon nanotube amount.

    Abstract translation: 目的:提供具有局部碳纳米管透明加热器的涂膜,以通过将具有碳纳米管透明膜的涂膜附着在局部区域中的基材上来执行除霜功能。 构成:具有导电性的碳纳米管透明体加热膜(110)布置在涂膜的部分域上。 电极安装在透明加热膜上。 电极对透明度加热膜施加电位差。 透明性加热膜根据碳纳米管量的增加而降低透射率和电阻。

    복수의 가열 영역을 가지는 양자점 제조 장치 및 양자점 제조 방법
    26.
    发明公开
    복수의 가열 영역을 가지는 양자점 제조 장치 및 양자점 제조 방법 有权
    用于生产具有多个加热区域的量子的装置和方法

    公开(公告)号:KR1020100046507A

    公开(公告)日:2010-05-07

    申请号:KR1020080105368

    申请日:2008-10-27

    CPC classification number: B82Y10/00 B82Y40/00 H01L21/67109 Y10T117/1024

    Abstract: PURPOSE: A quantum dot producing apparatus including plural heating areas, and a method thereof are provided to enhance the producing yield by uniformly producing the particle diameter of quantum dots. CONSTITUTION: A quantum dot producing apparatus including plural heating areas comprises the following: more than one pump(10-1,10-2) inserting plural precursor solutions dissolved with different precursors; a mixer(12) to mix the different plural precursor solutions; and plural heating units(14,16) operating at different temperatures while the mixed precursor solutions are passing through the heating units. The heating unit comprises a first heating unit and a second heating unit.

    Abstract translation: 目的:提供包括多个加热区域的量子点产生装置及其方法,以通过均匀地产生量子点的粒径来提高产量。 构成:包括多个加热区域的量子点产生装置包括以下:多个泵(10-1,10-2)插入多个前体溶液,其溶解有不同的前体; 混合器(12),以混合不同的多种前体溶液; 和多个加热单元(14,16),在混合的前驱体溶液通过加热单元时在不同的温度下操作。 加热单元包括第一加热单元和第二加热单元。

    투명 전극 제조방법
    27.
    发明授权
    투명 전극 제조방법 失效
    制造透明电极的方法

    公开(公告)号:KR100902561B1

    公开(公告)日:2009-06-11

    申请号:KR1020087000210

    申请日:2005-07-05

    Abstract: 본 발명은 (1) 고체 기판 상에 탄소나노튜브 박막을 형성하는 단계; (2) 상기 탄소나노튜브 박막 상에 연성 투명 기판을 형성할 수 있는 전구체를 도포하는 단계; (3) 상기 전구체를 경화시켜, 상기 탄소나노튜브 박막이 고정화된 연성 투명 기판으로 만드는 단계; 및 (4) 상기 고체 기판을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 전도성 투명 전극 제조방법 및 그에 의해 제조된 투명 전극에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 반복적인 휨, 구부림 등의 작용 후에도 박막의 뛰어난 접착안정성을 보이는 대면적의 유연한 투명 전극이 얻어질 수 있다. 본 발명에 따라 제조된 투명 전극은 광범위한 용도로 사용될 수 있는데, 예를 들면, 디스플레이, 전자소자, 센서, 메모리 등 다양한 분야에 활용이 가능하다.

    실리사이드 나노와이어를 갖는 전계방출소자 및 이의제조방법
    28.
    发明授权
    실리사이드 나노와이어를 갖는 전계방출소자 및 이의제조방법 有权
    具有硅氧烷纳米管的场发射和器件制造方法

    公开(公告)号:KR100883531B1

    公开(公告)日:2009-02-12

    申请号:KR1020070107471

    申请日:2007-10-24

    Abstract: A field emission with silicide nano wires and a device fabrication method are provided to improve the performance by increasing the emission current with the less voltage. A substrate is formed of the conductor or the non-electric conductor. The metallic catalyst is coated on the top of substrate. The metallic catalyst is comprised of the metal with the superior conductivity selected from the group including nickel, iron, cobalt, platinum, molybdenum, tungsten, yttrium, gold, and palladium. The silicon layer is formed on the upper side of substrate. The metal silicide layer with the superior conductivity is formed by the reaction between the metallic catalyst and the silicon layer.

    Abstract translation: 提供具有硅化物纳米线的场发射和器件制造方法,以通过以较小的电压增加发射电流来提高性能。 基板由导体或非导电体形成。 金属催化剂涂覆在基材的顶部。 金属催化剂由选自镍,铁,钴,铂,钼,钨,钇,金和钯的组中的优良导电性的金属组成。 硅层形成在基板的上侧。 具有优良导电性的金属硅化物层通过金属催化剂和硅层之间的反应形成。

    신호 검출 및 전자방출용 프로브 및 이의 제조방법
    29.
    发明授权
    신호 검출 및 전자방출용 프로브 및 이의 제조방법 失效
    用于信号检测和电子发射的探测器及其制造方法

    公开(公告)号:KR100866325B1

    公开(公告)日:2008-10-31

    申请号:KR1020070033315

    申请日:2007-04-04

    Abstract: 본 발명은 신호 검출 및 전자방출용 프로브 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 상기 프로브는 프로브 기재; 및 상기 프로브 기재에 위치하는 탄소나노튜브층을 포함하며, 상기 탄소나노튜브층은 프로브 기재에 물리적으로 적층되어 있거나, 또는 상기 프로브 기재와 탄소나노튜브층 사이에 아민기(-NH
    2 ), 알데히드기(-CHO), 히드록실기(-OH), 티올기(-SH), 시아노기(-CN), 술폰산기(-SO
    3 H), 할로겐기 및 이들의 조합으로 구성된 군에서 선택되는 기능기와 카르복시기의 화학적 결합에 의해 프로브 기재에 링크(linked)되어 있다.
    본 발명에 따른 신호 검출 및 전자방출용 프로브는 마모에 강하고, 우수한 표면 특성 측정 정밀도를 나타내며, 고진공 상태에서 냉음극으로서 전자를 방출하는 소스로서 활용할 수 있다.
    프로브, 탄소나노튜브, 박막

    나노소재의 물리적 변형을 이용한 유동특성 검출방법
    30.
    发明授权
    나노소재의 물리적 변형을 이용한 유동특성 검출방법 失效
    使用纳米材料物理变化的流量检测方法

    公开(公告)号:KR100863764B1

    公开(公告)日:2008-10-16

    申请号:KR1020060063723

    申请日:2006-07-07

    Abstract: 본 발명은 유동장 안에서, 기판 위의 전극에 양단이 지지되어 기판 위에 떠 있는 상태로 조립되어 있는 나노소재에 일정한 방향성을 가지는 유동이 지나갈 때, 조립된 나노소재의 물리적 변형을 통해 유동특성을 검출하는 방법에 관한 것이다.
    본 발명에 따르면, 매우 간단한 방법으로 유동특성을 검출할 수 있을 뿐 아니라 나노소재를 포함하는 나노구조물의 크기가 매우 작아 소형 및 낮은 소비전력이 요구되는 환경이나, 온도가 수백 도까지 올라가는 유동장 안에서도 활용할 수 있다.
    나노구조물, 나노소재, 탄소나노튜브, 유동, 센서

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