公开(公告)号：WO2011126209A2

公开(公告)日：2011-10-13

申请号：PCT/KR2011/000988

申请日：2011-02-15

Applicant: 한국기계연구원 ,  김준동 ,  한창수

Inventor： 김준동 ,  한창수

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0392 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/078 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 PN접합 및 쇼트키 접합을 갖는 다중 태양 전지 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지는 P형 반도체층과 N형 반도체층을 갖는 PN 반도체층과 상기 PN 반도체층의 제1 면에 오믹 접합된 제1 전극과 상기 PN 반도체층의 상기 제1 면과 반대방향을 향하는 제2 면에 쇼트키 접합된 쇼트키 접합층, 및 상기 쇼트키 접합층과 접하도록 형성된 제2 전극을 포함한다.

Abstract translation: 本发明涉及具有PN结和肖特基结的多太阳能电池及其制造方法。 根据本发明的一个实施例，太阳能电池包括：具有P型半导体层和N型半导体层的PN半导体层; 欧姆接合到PN半导体层的第一表面上的第一电极; 肖特基结层以相反方向肖特基接合到面对PN半导体层的第一表面的第二表面上; 以及形成为邻接肖特基结层的第二电极。

公开(公告)号：WO2010050775A2

公开(公告)日：2010-05-06

申请号：PCT/KR2009/006343

申请日：2009-10-30

Applicant: 한국기계연구원 ,  정소희 ,  한창수 ,  심형철 ,  김준동

Inventor： 정소희 ,  한창수 ,  심형철 ,  김준동

IPC: B82B3/00

CPC classification number: H01L31/0352 ,  H01L51/4266 ,  Y02E10/549

Abstract: 본 발명은 나노와이어가 양자점들 사이의 전자 전달 매개체 역할을 하도록 하여 발광 또는 광전 효율을 높일 수 있는 에너지 변환용 복합물질과 그 제조 방법 및 그를 이용한 에너지변환소자에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명은 양자점으로 구성되는 에너지변환소자의 에너지 변환용 복합물질에 관한 것으로서, 나노와이어와, 상기 각 나노와이어 상에 형성되며 반도 체 물질로 구성되는 다수의 양자점, 및 상기 나노와이어와 상기 양자점을 비공유 결합 방식으로 연결하는 저분자 링커를 포함한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于能量转换的复合材料及其制造方法和使用该复合材料的能量转换装置，其中能量转换用复合材料能够通过使纳米线作为 量子点之间的电子转移介质。 关于能量转换装置的能量转换用复合材料的发明包括：纳米线; 在纳米线上形成并由半导体材料制成的多个量子点; 以及通过非共价键将纳米线与量子点连接的低分子连接体。

公开(公告)号：WO2012086885A1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：PCT/KR2011/003841

申请日：2011-05-25

Applicant: 한국기계연구원 ,  김준동 ,  이학주 ,  우창수 ,  송창규

Inventor： 김준동 ,  이학주 ,  우창수 ,  송창규

IPC: H01L31/06 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L31/022466 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547

Abstract: 본 발명은 효율성이 향상된 투명한 전면 전극을 갖는 태양 전지에 관한 것으로서, 본 발명의 일 측면에 따른 태양 전지는 P형 반도체층과 N형 반도체층을 갖고 결정질 웨이퍼로 이루어진 PN접합 반도체층과 상기 PN접합 반도체층의 제1 면에 접합된 투명 전도성 산화물(TCO)로 이루어진 전면 전극과 상기 PN접합 반도체층의 상기 제1 면과 반대방향을 향하는 제2 면에 접합된 배면 전극을 포함한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种具有透明前电极的太阳能电池，其效率提高。 根据本发明的一个方面，太阳能电池包括：使用具有P型半导体层和N型半导体层的晶体晶片制成的PN结半导体层; 使用接合到所述PN结半导体层的第一表面的透明导电氧化物（TCO）制成的前表面电极; 以及连接到与PN结半导体层的第一表面相对的第二表面的背面电极。

公开(公告)号：KR101093133B1

公开(公告)日：2011-12-12

申请号：KR1020110044690

申请日：2011-05-12

Applicant: 한국기계연구원

Inventor： 김재현 ,  이학주 ,  최현주 ,  장봉균 ,  최병익 ,  김준동 ,  김광섭 ,  김경식

IPC: H01L29/786 ,  H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L27/1266

Abstract: PURPOSE: A flexible apparatus and a manufacturing method capable of omitting a photo lithography process are provided to reduce time and costs for manufacturing the flexible apparatus by manufacturing the flexible apparatus with inline in a state in which an inorganic solid layer is supported in a motherboard. CONSTITUTION: A sacrificial layer is formed on a motherboard(S100). An inorganic solid layer is formed on the sacrificial layer(S200). One and more sacrifice supporting parts are formed by eliminating a part of the sacrificial layer(S300). The inorganic solid layer is separated from the sacrifice supporting part(S400). The inorganic solid layer is attached to a flexible printed circuit board(S500). The flexible printed circuit board includes resin. The motherboard comprises one and more penetration holes which pass through the motherboard. Etching solution is touched to the sacrificial layer through the penetration hole.

Abstract translation: 目的：提供一种能够省略光刻工艺的柔性装置和制造方法，以通过在无机固体层被支撑在母板中的状态下以线内制造柔性装置来减少制造柔性装置的时间和成本。 构成：在母板上形成牺牲层（S100）。 在牺牲层上形成无机固体层（S200）。 通过消除牺牲层的一部分来形成牺牲支撑部分的一个以上（S300）。 无机固体层与牺牲支撑部分分离（S400）。 无机固体层附着在柔性印刷电路板上（S500）。 柔性印刷电路板包括树脂。 主板包括穿过主板的一个和多个穿透孔。 蚀刻溶液通过穿透孔与牺牲层接触。

公开(公告)号：KR1020100119032A

公开(公告)日：2010-11-09

申请号：KR1020090037942

申请日：2009-04-30

Applicant: 한국기계연구원

Inventor： 한창수 ,  김덕종 ,  김준동

IPC: H05B3/20 ,  B60J1/00 ,  C08J5/18

CPC classification number: H05B3/84 ,  H05B3/145 ,  H05B3/20 ,  H05B2203/013 ,  H05B2214/04

Abstract: PURPOSE: A coating film having localized carbon nanotube transparent heater is provided to perform functions such as frost removing function by attaching a coating film having carbon nanotube transparent film to the base material in the local area. CONSTITUTION: A carbon nanotube transparency heating film(110) having electric conductance is arranged on the partial domain of the coated film. An electrode is installed on the transparency heating film. The electrode applies the electric potential difference to the transparency heating film. The transparency heating film reduces the transmittivity and the electrical resistance according to the increase of the carbon nanotube amount.

Abstract translation: 目的：提供具有局部碳纳米管透明加热器的涂膜，以通过将具有碳纳米管透明膜的涂膜附着在局部区域中的基材上来执行除霜功能。 构成：具有导电性的碳纳米管透明体加热膜（110）布置在涂膜的部分域上。 电极安装在透明加热膜上。 电极对透明度加热膜施加电位差。 透明性加热膜根据碳纳米管量的增加而降低透射率和电阻。

公开(公告)号：KR100883531B1

公开(公告)日：2009-02-12

申请号：KR1020070107471

申请日：2007-10-24

Applicant: 한국기계연구원

Inventor： 김준동 ,  한창수 ,  이응숙

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  B82Y40/00

Abstract: A field emission with silicide nano wires and a device fabrication method are provided to improve the performance by increasing the emission current with the less voltage. A substrate is formed of the conductor or the non-electric conductor. The metallic catalyst is coated on the top of substrate. The metallic catalyst is comprised of the metal with the superior conductivity selected from the group including nickel, iron, cobalt, platinum, molybdenum, tungsten, yttrium, gold, and palladium. The silicon layer is formed on the upper side of substrate. The metal silicide layer with the superior conductivity is formed by the reaction between the metallic catalyst and the silicon layer.

Abstract translation: 提供具有硅化物纳米线的场发射和器件制造方法，以通过以较小的电压增加发射电流来提高性能。 基板由导体或非导电体形成。 金属催化剂涂覆在基材的顶部。 金属催化剂由选自镍，铁，钴，铂，钼，钨，钇，金和钯的组中的优良导电性的金属组成。 硅层形成在基板的上侧。 具有优良导电性的金属硅化物层通过金属催化剂和硅层之间的反应形成。

公开(公告)号：KR100866325B1

公开(公告)日：2008-10-31

申请号：KR1020070033315

申请日：2007-04-04

Applicant: 한국기계연구원

Inventor： 한창수 ,  김준동 ,  신영현 ,  정대환

IPC: G01Q60/16 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명은 신호 검출 및 전자방출용 프로브 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 상기 프로브는 프로브 기재; 및 상기 프로브 기재에 위치하는 탄소나노튜브층을 포함하며, 상기 탄소나노튜브층은 프로브 기재에 물리적으로 적층되어 있거나, 또는 상기 프로브 기재와 탄소나노튜브층 사이에 아민기(-NH
2 ), 알데히드기(-CHO), 히드록실기(-OH), 티올기(-SH), 시아노기(-CN), 술폰산기(-SO
3 H), 할로겐기 및 이들의 조합으로 구성된 군에서 선택되는 기능기와 카르복시기의 화학적 결합에 의해 프로브 기재에 링크(linked)되어 있다.
본 발명에 따른 신호 검출 및 전자방출용 프로브는 마모에 강하고, 우수한 표면 특성 측정 정밀도를 나타내며, 고진공 상태에서 냉음극으로서 전자를 방출하는 소스로서 활용할 수 있다.
프로브, 탄소나노튜브, 박막

公开(公告)号：KR101264368B1

公开(公告)日：2013-05-14

申请号：KR1020110130522

申请日：2011-12-07

Applicant: 한국기계연구원

Inventor： 김준동 ,  김민건 ,  우창수 ,  이창우 ,  송창규

IPC: H01L31/07 ,  H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/07 ,  H01L31/04

Abstract: PURPOSE: A solar cell having a multilayered schottky junction layer is provided to improve photoelectric efficiency by forming a first conducting oxide layer having excellent optical transparency and a second optical transparent conducting oxide layer having excellent electric conduction. CONSTITUTION: An electrode(21) is arranged on a first surface of a semiconductor layer(10). A schottky junction layer(25) is arranged on a second surface facing the first surface. The schottky junction layer includes a first transparent conductive oxide layer(23) and a second transparent conductive oxide layer(24). A recombination prevention layer(26) is formed between the schottky junction layer and a semiconductor layer. The recombination prevention layer prevents carriers generated by light from being recombined to each other to improve a voltage characteristic. An electric storage device(27) is connected to the electrode and the schottky junction layer.

Abstract translation: 目的：提供具有多层肖特基结层的太阳能电池，通过形成具有优异的透光性的第一导电氧化物层和具有优异导电性的第二光透明导电氧化物层来提高光电效率。 构成：电极（21）布置在半导体层（10）的第一表面上。 肖特基结层（25）布置在面向第一表面的第二表面上。 肖特基结层包括第一透明导电氧化物层（23）和第二透明导电氧化物层（24）。 在肖特基结层和半导体层之间形成复合防止层（26）。 复合防止层防止由光产生的载流子彼此重新组合以改善电压特性。 电存储装置（27）连接到电极和肖特基结层。

公开(公告)号：KR1020120061397A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：KR1020100122707

申请日：2010-12-03

Applicant: 한국기계연구원 ,  한국화학연구원

Inventor： 김준동 ,  한창수 ,  김창현 ,  문상진 ,  신원석

IPC: H01L33/28

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L21/02603 ,  H01L2933/0083

Abstract: PURPOSE: A nano wire, a light emitting diode using the same, and a manufacturing method thereof are provided to improve optical efficiency by including a P-type semiconductor layer based on ZnO. CONSTITUTION: A P-type semiconductor layer and an N-type semiconductor layer are formed by being laminated on a substrate. The P-type semiconductor layer comprises a titanium oxide layer(15) and a core(12) which is mainly made of ZnO. The main component of the titanium oxide layer is TXOY. The titanium oxide layer is coated on the outside of the core. A Y/X value is greater than 1 and less than 2. The titanium oxide layer has oxygen deficiency.

Abstract translation: 目的：提供纳米线，使用其的发光二极管及其制造方法，以通过包括基于ZnO的P型半导体层来提高光学效率。 构成：通过层叠在基板上形成P型半导体层和N型半导体层。 P型半导体层包括主要由ZnO制成的氧化钛层（15）和芯（12）。 氧化钛层的主要成分是TXOY。 氧化钛层涂覆在芯的外侧。 Y / X值大于1且小于2.氧化钛层缺氧。

公开(公告)号：KR100915708B1

公开(公告)日：2009-09-04

申请号：KR1020070088683

申请日：2007-08-31

Applicant: 한국기계연구원

Inventor： 한창수 ,  송진원 ,  김준동 ,  윤여환

IPC: H05B3/84

CPC classification number: H05B3/84 ,  H05B2203/013 ,  H05B2214/04 ,  Y10T29/49002

Abstract: 본 발명에 따른 도전성 박막과 전극을 구비한 발열기판은, 투명 기판, 상기 기판의 한쪽 면에 형성되는 복수 개의 구역으로 분할된 도전성 박막 및 상기 도전성 박막의 복수 개의 구역이 전기적으로 병렬 연결되도록 상기 투명기판상에 형성되고, 상기 도전성 박막보다 표면저항이 낮은 금속 전극을 포함한다.
아울러, 본 발명의 실시예에 따른 도전성 박막과 전극을 구비한 발열기판을 제조하는 방법은, 기판 위에 도전성 박막을 형성하는 도전성 박막 형성단계, 상기 도전성 박막의 가장자리와 인접하여 상기 기판 위에 신장되어 메인전극을 형성하는 메인전극 형성단계 및 상기 메인전극에서 연장되고 상기 도전성 박막에 접하여 상기 도전성 박막의 일측을 가로질러 가지전극을 형성하는 가지전극 형성단계를 포함한다.