公开(公告)号：KR101894070B1

公开(公告)日：2018-09-03

申请号：KR1020160180369

申请日：2016-12-27

Applicant: 한국세라믹기술원

Inventor： 홍연우 ,  백종후 ,  김유비 ,  여서영

IPC: C04B35/547 ,  C04B35/645

Abstract: MgS 분말을 SPS(Spark Plasma Sintering) 또는 HP(Hot Press) 방법으로소결함으로써, 제조공정이단순하여쉽게제조할수 있을뿐만아니라제조단가를확연히낮출수 있는적외선투과용 MgS 소결체제조방법에대하여개시한다. 본발명에따른적외선투과용 MgS 소결체제조방법은 (a) MgS 분말을준비하는단계; 및 (b) 상기 MgS 분말을 900 ~ 1,000℃에서소결하여 MgS 소결체를형성하는단계;를포함하는것을특징으로한다.

公开(公告)号：KR101169566B1

公开(公告)日：2012-07-31

申请号：KR1020090132305

申请日：2009-12-29

Applicant: 한국세라믹기술원

Inventor： 여동훈 ,  신효순 ,  홍연우 ,  김종희

IPC: C04B35/64 ,  C04B35/10 ,  C04B35/48 ,  H01L23/15

Abstract: 본 발명은 저온동시소성세라믹스(LTCC)의 소성방법에 관한 것으로, 상기 LTCC 층과, 이 LTCC 층의 상면 및 배면 중의 하나 이상에 이와 면접촉하도록 배치되고 상기 LTCC보다 더 높은 소성온도를 갖는 구속층을 하나 이상 포함하는 적층체를 구성하고, 이 적층체의 상부에는 소정 하중을 갖는 로드를 배치하여 함께 소성한 후, 상기 구속층 및 로드를 제거하는 것을 포함한다.
저온동시소성세라믹스, LTCC

公开(公告)号：KR101065006B1

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：KR1020090046725

申请日：2009-05-28

Applicant: 한국세라믹기술원

Inventor： 홍연우 ,  신효순 ,  여동훈 ,  김종희

IPC: H05K3/46

Abstract: 본 발명에서는 각 내부전극이 인쇄된 복수의 세라믹기판을 포함하는 세라믹 다층소자의 제조방법에 있어서 상기 내부전극의 산화가 방지되면서도 동시에 세라믹 소재의 물성복원이 가능한 제조방법이 개시된다. 이를 위해, 본 제조방법은 상기 복수의 세라믹기판이 적층되어 형성된 웨이퍼를 환원분위기하에서 소결하고 재산화 열처리한 후에 복수의 칩 소자로 절단하는 것을 포함한다.
세라믹다층소자, 써미스터, MLCC, 칩바리스터

公开(公告)号：KR1020110055138A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：KR1020090112033

申请日：2009-11-19

Applicant: 한국세라믹기술원

Inventor： 신효순 ,  여동훈 ,  홍연우 ,  김종희 ,  구신일 ,  홍승혁

IPC: H01L31/0445

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/0445

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a photoelectric conversion layer for a solar cell is provided to implement a large solar cell by using HTCC and LTCC for forming a substrate. CONSTITUTION: CuInSe2 nano powder and CuGaSe2 nano powder are respectively manufactured. A paste is made by mixing two sample powders. A thick film is formed by coating the paste on the substrate. A photoelectric conversion layer is made by mixing Cu(In1-xGax)Se2 by thermally processing the thick film.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造太阳能电池用光电转换层的方法，以通过使用HTCC和LTCC来形成基板来实现大型太阳能电池。 构成：分别制造CuInSe2纳米粉末和CuGaSe2纳米粉末。 通过混合两个样品粉末制成糊状物。 通过在基材上涂布糊料形成厚膜。 光电转换层通过热处理厚膜来混合Cu（In1-xGax）Se2。

公开(公告)号：KR100973058B1

公开(公告)日：2010-07-29

申请号：KR1020080037655

申请日：2008-04-23

Applicant: 한국세라믹기술원

Inventor： 홍연우 ,  신효순 ,  여동훈 ,  김종희

IPC: H01C7/10

Abstract: 본 발명은 써미스터와 바리스터를 결합하여 단일의 칩으로 구현한 써미스터-바리스터 복합칩 소자와 이의 제조비용을 절감할 수 있는 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 써미스터-바리스터 복합칩 소자는 복수개의 써미스터층과 바리스터층이 각각 적층되어 단일칩으로 제조된 복합칩 소자에 있어서, 상기 써미스터층은 티탄산바륨(BaTiO
3 )에 사마륨산화물(Sm
2 O
3 ), 이산화규소(SiO
2 ) 및 산화망간(Mn
3 O
4 )를 첨가한 조성물로 되고, 상기 바리스터층은 산화아연(ZnO)에 테르븀산화물(TeO
2 ), 산화망간(Mn
3 O
4 ), 코발트산화물(Co
3 O
4 ), 이산화규소(SiO
2 ) 및 프라세오디뮴산화물(Pr
6 O
11 )를 첨가한 조성물로 구성된다. 또한, 상기 적어도 하나 이상의 써미스터층과 바리스터층의 각 상면 및 하면에는 니켈(Ni) 재질의 전극패턴이 형성된다.
써미스터-바리스터복합칩소자

公开(公告)号：KR102209468B1

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：KR1020190165750

申请日：2019-12-12

Applicant: 한국세라믹기술원

Inventor： 홍연우 ,  현상일 ,  하만진

IPC: H01C7/112 ,  H01C1/14 ,  H01C7/18 ,  H01C17/065 ,  H01C17/28 ,  H01C17/30

Abstract: 본발명은 Bi2O3, V2O5, Pr6O11 및 Pr2O3의첨가가의도적으로배제된 ZnO계바리스터조성물을개시한다. 본발명에따른 ZnO계바리스터조성물은 ZnO : 85.5 ~ 99mol%; Te2V2O9 : 0.1 ~ 2 mol%; 및 Mn 산화물및 Co 산화물중 적어도하나이상 : 0.1 ~ 2mol%;를포함하는것을특징으로한다. 이결과, 본발명에따른 ZnO계바리스터조성물은높은비선형계수와낮은누설전류를갖고제조시작업안정성이우수하며, 무엇보다도대략 900℃전후의저온에서소결이가능하여금속전극과의동시소성이가능하므로디스크형또는벌크형바리스터, 또는 100% Ag 등저온용융금속소재의내부전극을사용하여적층형바리스터소자를제조할수 있으므로제조비용을절감할수 있는효과가있다.

公开(公告)号：KR101989600B1

公开(公告)日：2019-09-30

申请号：KR1020170175758

申请日：2017-12-20

Applicant: 한국세라믹기술원 ,  한국과학기술원

Inventor： 박운익 ,  조정호 ,  홍연우 ,  정영훈 ,  최영중 ,  박태완 ,  정연식 ,  한혁진 ,  한유진 ,  조승희

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

公开(公告)号：KR101852772B1

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：KR1020170153051

申请日：2017-11-16

Applicant: 한국세라믹기술원

Inventor： 백종후 ,  홍연우 ,  박창순 ,  여서영 ,  권태형

IPC: B22F3/105 ,  B22F3/04 ,  B22F3/24 ,  B22F9/24

CPC classification number: B22F3/105 ,  B22F3/04 ,  B22F3/24 ,  B22F9/24 ,  B22F2003/248

Abstract: 수열합성시황의비율을높여황이아연보다많은상태로합성하고, 진공열처리를수행하여 NaSO를제거할수 있으면서도 ZnS의산화로인하여 ZnO가형성되는것을미연에방지하여 NaSO에의한흡수피크의제거로 69% 이상의적외선투과율을확보할수 있는적외선투과용 ZnS 나노분말소결체및 그제조방법에대하여개시한다. 본발명에따른적외선투과용 ZnS 나노분말소결체제조방법은 (a) ZnSOㆍ7HO 및 NaSㆍ9HO를 1 : 1 ~ 1 : 1.3의중량비로용매에혼합하여수열합성하는단계; (b) 상기수열합성된반응물을필터링한후, 진공열처리하여 ZnS 나노분말을수득하는단계; 및 (c) 상기수득한 ZnS 나노분말을 800 ~ 1,050℃에서소결하여 ZnS 나노분말소결체를형성하는단계;를포함하는것을특징으로한다.

公开(公告)号：KR101673872B1

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：KR1020140186179

申请日：2014-12-22

Applicant: 한국세라믹기술원

Inventor： 백종후 ,  홍연우 ,  김세기 ,  이영진 ,  김유비

IPC: C04B35/547

Abstract: ZnSOㆍ7HO와 NaSㆍ9HO를이용하여액상공정(Solution Process) 중한 방법인수열합성법으로 ZnO 나노분말을획득한후, SPS(Spark Plasma Sintering) 또는 HP(Hot Press) 방법으로소결함으로써, 제조공정이단순하여쉽게제조할수 있을뿐만아니라제조단가를낮추면서도, 상대밀도, 적외선광투과도등의물성을향상시킬수 있는큐빅구조를갖는적외선투과용 ZnS 나노분말소결체및 그제조방법에대하여개시한다. 본발명에따른큐빅구조를갖는적외선투과용 ZnS 나노분말소결체제조방법은 (a) ZnSOㆍ7HO 및 NaSㆍ9HO를 1 : 1 초과 ~ 1 : 1.3 미만의중량비로용매에혼합하여 100 ~ 240℃에서 1 ~ 24시간동안수열합성하는단계; (b) 상기수열합성된반응물을필터링및 건조하여 ZnS 나노분말을수득하는단계; 및 (c) 상기수득한 ZnS 나노분말을 900 ~ 1,000℃에서소결하여 ZnS 나노분말소결체를형성하는단계;를포함하는것을특징으로한다.

公开(公告)号：KR1020160077320A

公开(公告)日：2016-07-04

申请号：KR1020140186179

申请日：2014-12-22

Applicant: 한국세라믹기술원

Inventor： 백종후 ,  홍연우 ,  김세기 ,  이영진 ,  김유비

IPC: C04B35/547

CPC classification number: C04B35/547 ,  C01G9/08

Abstract: ZnSOㆍ7HO와 NaSㆍ9HO를이용하여액상공정(Solution Process) 중한 방법인수열합성법으로 ZnO 나노분말을획득한후, SPS(Spark Plasma Sintering) 또는 HP(Hot Press) 방법으로소결함으로써, 제조공정이단순하여쉽게제조할수 있을뿐만아니라제조단가를낮추면서도, 상대밀도, 적외선광투과도등의물성을향상시킬수 있는큐빅구조를갖는적외선투과용 ZnS 나노분말소결체및 그제조방법에대하여개시한다. 본발명에따른큐빅구조를갖는적외선투과용 ZnS 나노분말소결체제조방법은 (a) ZnSOㆍ7HO 및 NaSㆍ9HO를 1 : 1 초과 ~ 1 : 1.3 미만의중량비로용매에혼합하여 100 ~ 240℃에서 1 ~ 24시간동안수열합성하는단계; (b) 상기수열합성된반응물을필터링및 건조하여 ZnS 나노분말을수득하는단계; 및 (c) 상기수득한 ZnS 나노분말을 900 ~ 1,000℃에서소결하여 ZnS 나노분말소결체를형성하는단계;를포함하는것을특징으로한다.

Abstract translation: 公开了具有用于透射红外线的立方结构的ZnS纳米粉末颗粒及其制造方法，能够通过简化制造工艺容易地制造ZnS纳米粉末颗粒，并且提高诸如相对密度的材料的性质 同时节省了制造成本，同时节省制造成本，其中通过使用ZnSO 4·7H 2 O和Na 2 S·9H 2 O的溶液工艺之一通过水热法合成ZnO纳米粉末，并通过放电等离子体烧结（SPS） 和热压机（HP）·根据本发明，用于透射具有立方结构的红外线的ZnS纳米粉末颗粒的制造方法包括以下步骤：（a）将ZnSO 4·7H 2 O和Na 2 S·9H 2 O混合到溶剂中 重量比大于1：1至小于1：1.3，并通过水热法合成ZnSO 4·7H 2 O和Na 2 S·9H 2 O，温度为10〜 0-240℃; （b）过滤并干燥由水热法合成的反应物，得到ZnS纳米粉末; 和（c）在900-1000℃的温度下烧结得到的ZnS纳米粉末并形成ZnS纳米粉末颗粒。