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21.发明申请
公开(公告)号：WO2013137587A1
公开(公告)日：2013-09-19
申请号：PCT/KR2013/001808
申请日：2013-03-06
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L31/03923 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 CIGS계 박막 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조된 태양전지에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 CIGS계 전구체 박막을 형성하기 전 몰리브덴 전극이 형성된 소듐 무함유 기판 표면의 일부에 소듐 공급원 박막을 형성함으로써 태양전지의 광흡수층인 CIGS계 박막의 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 CIGS계 박막 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조된 태양전지에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 소듐 무함유 기판을 사용하여 기판 내 존재하는 무분별한 소듐 성분의 확산을 방지하고, 별도의 소듐 공급원을 통해 태양전지의 광흡수층인 CIGS계 박막 내에 소듐 성분을 제공하여 태양전지의 효율을 향상시키는 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造CIGS薄膜太阳能电池的方法及其制造的太阳能电池，更具体地说，涉及制造CIGS薄膜太阳能电池的方法和由此制造的太阳能电池，其中 通过在成膜前在不含钠的基板的表面的一部分表面形成钠源薄膜，从而提高作为太阳能电池的光吸收层的CIGS薄膜的电性能。 前体CIGS薄膜。 根据本发明，使用不含钠的基板来防止基板的不希望的钠含量的扩散，并且在从分离的太阳能电池的太阳能电池的光吸收层的CIGS薄膜中提供钠含量 钠源，以提高太阳能电池的效率。
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公开(公告)号：WO2013077547A1
公开(公告)日：2013-05-30
申请号：PCT/KR2012/008376
申请日：2012-10-15
Applicant: 한국에너지기술연구원
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L31/02 , H01L31/02168 , H01L31/022441 , H01L31/022466 , H01L31/0322 , Y02E10/541
Abstract: 후면 TCO층을 구비한 CIS/CIGS계 태양전지 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명의 CIS/CIGS계 태양전지는 기판; 기판상에 소정의 간격으로 두고 분리되어 병렬적으로 배치되는 두 층의 몰리브덴 전극인 제1 몰리브덴 전극과 제2 몰리브덴 전극; 제2 몰리브덴 전극의 상면 및 측면상에 배치되는 TCO층; TCO층의 상부 및 측면상에 배치되며, TCO층과 광흡수층 사이에 밴드갭 차이를 완충하는 버퍼층; 제1 몰리브덴 전극, 버퍼층 및 제1 몰리브덴 전극과 버퍼층 사이의 일부 노출된 기판상에 배치되는 광흡수층; 및 광흡수층상에 배치되고, 외부에서 조사되는 빛의 반사를 최소화하는 반사방지층;을 포함한다. 이에 의하여, 버퍼층과 TCO층을 광흡수층의 후면에 배치되어 광흡수층의 상부에서 광입사량을 저하시키는 방해구조가 제거되고, 광흡수층으로의 입사광량을 최대화함으로써 궁극적으로 태양전지의 에너지 변환효율을 높일 수 있다.
Abstract translation: 公开了具有后TCO层的CIS / CIGS太阳能电池及其制造方法。 本发明的CIS / CIGS太阳能电池包括：基板; 第一钼电极和第二钼电极，其构成设置在所述基板上的两层中的钼电极，其间以预定的间隙平行分离; 设置在上表面的TCO层和第二钼电极的侧面; 缓冲层，其设置在所述TCO层的上表面和侧面，并且缓冲所述TCO层和光吸收层之间的带隙差; 所述光吸收层设置在所述第一钼电极上，所述缓冲层和所述衬底部分地暴露在所述第一钼电极和所述缓冲层之间; 以及防反射层，其设置在光吸收层上并使从外部照射的光的反射最小化。 以这种方式，缓冲层和TCO层以这样的方式设置在光吸收层的后表面上，以消除任何阻挡结构，其将减少光吸收层的上部上的入射光量，以及 使光吸收层上的入射光量最大化，从而最终提高太阳能电池的能量转换效率。
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23.发明申请Cu-Se 이성분계 나노입자 플럭스를 이용한 Cu-Se 박막을 포함하는 CI(G)S계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 CI(G)S계 박막 审中-公开使用Cu-Se二元纳米粒子熔剂和由该方法制备的CI（G）S薄膜制造包含Cu-Se薄膜的CI（G）S薄膜的方法
公开(公告)号：WO2013012240A2
公开(公告)日：2013-01-24
申请号：PCT/KR2012/005695
申请日：2012-07-17
IPC: H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/18 , H01L21/02422 , H01L21/02491 , H01L21/02568 , H01L21/02601 , H01L21/02614 , H01L21/02628 , H01L31/0322 , H01L31/035218 , H01L31/0749 , Y02E10/541
Abstract: Cu-Se 이성분계 나노입자 플럭스를 이용한 CI (G)S계 박막의 제조방법 및 그 방법에 따라 제조된 CI(G)S계 박막이 제공된다. 본 발명의 CI (G)S계 박막의 제조방법은， Cu-Se 이성분계 나노입자 및 In 나노입자를 제조하는 단계; Cu-Se 이성분계 나노입자， 용매 및 바인더를 흔합하여 Cu-Se 이성분계 나노입자 포함 슬러리를 제조하고， In 나노입자， 용매 및 바인더를 흔합하여 In 나노입자 포함 슬러리를 제조 하는 단계; Cu-Se 이성분계 나노입자 포함 슬러리 및 In 나노입자 포함 슬러리를 기판 상에 순서에 관계없이 교대로 코팅하여 복수개의 층이 적층된 박막을 형성하는 단계; 및 상기 형성된 박막에 열처리하는 단계를 포함한다. 이에 의하여， Cu-Se 이성분계 나노입자는 열처리에 의해 플럭스로 작용하여 입자성장이 층분히 이루어지고， 공극을 채워 치밀한 구조의 박막을 형성하며， 궁극적으로 이를 포함하는 태양전지의 에너지 전환효율을 상승시킬 수 있다.
Abstract translation: （G）使用Cu-Se二元纳米粒子焊剂的S系薄膜和根据该方法制造的CI（G）S系薄膜。 本发明的制备CI（G）S薄膜的方法包括以下步骤：制备Cu-Se二元纳米颗粒和In纳米颗粒; 基于两部件的Cu-Se系纳米颗粒，合并并且将溶剂和共同以制备含有纳米的Cu-Se系双组分颗粒，结合在纳米颗粒的浆料中的粘合剂，溶剂和常用的，以制备含有在纳米颗粒的浆料中的粘合剂; 将含有Cu-Se二元纳米粒子的浆料和含In纳米粒子的浆料的浆料依次交替涂布在基材上，由此形成多个层的层叠体; 并对形成的薄膜进行热处理。 以这种方式，基于双组分的Cu-Se系纳米颗粒是由充分的晶粒生长层用作通过热处理助熔剂，填充以形成致密的结构的空隙的薄膜，并最终增加了太阳能电池的包含其的能量转换效率 你可以做到。
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公开(公告)号：WO2014196688A1
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：PCT/KR2013/007092
申请日：2013-08-06
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/03923 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 후면전극이 다중층으로 구성된 CIGS 박막 태양전지에 관한 것으로, 태양전지의 기판(100)위에 형성되는 후면전극(200)에 있어서, 태양전지 후면전극의 제조방법에 있어서, (i) 태양전지의 기판(100) 위에 저저항 금속으로 저저항 금속층(210)을 형성시키는 단계(s1000), (ii) 상기 저저항 금속층(210) 위에 몰리브덴(Mo)층(220)을 형성시키는 단계(s2000) 를 포함하는 것을 특징으로 하여 태양전지의 광전변환효율을 높이는 효과가 있는 것임.
Abstract translation: 本发明涉及具有由多层构成的背面接触的CIGS薄膜太阳能电池，形成在太阳能电池的基板（100）上的背面接触（200）和太阳能电池背面接触的制造方法， 该方法包括以下步骤：（i）在使用低电阻金属的太阳能电池的基板（100）上形成低电阻金属层（s1000）; 和（ii）在低电阻金属层（210）上形成钼（Mo）层（220）（s2000），从而提高太阳能电池的光电转换效率。
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25.发明申请
公开(公告)号：WO2014163367A1
公开(公告)日：2014-10-09
申请号：PCT/KR2014/002767
申请日：2014-04-01
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L21/02568 , H01L21/02614 , H01L31/03923 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 태양전지에 사용되는 CI(G)S의 제조 과정 중 셀렌화 공정의 효율을 높이기 위한 방법으로 더욱 구체적으로는 CI(G)S계 전구체 박막을 일정 콘테이너 혹은 챔버에 삽입하여, 상기 콘테이너 혹은 챔버 내에 셀레늄(Se)을 주입하고 온도를 올려 셀렌화하는 공정을 통해 고압력 셀렌화가 가능한 것에 관한 것으로 일정 콘테이너 혹은 챔버 내에 셀레늄(Se) 분압을 높여 고압력 셀렌화를 통해 손실되는 셀레늄(Se)을 줄일 수 있고, 셀렌화의 효율을 높이고 열처리의 시간을 단축시킬 수 있는 효과를 나타낸다. 이를 위해 상기 CI(G)S계 전구체 박막과 상기 챔버(Chamber)의 간격이 6 mm 내지 20 mm이고, 상기 챔버(Chamber)에 셀레늄(Se)을 주입하며, 셀렌화를 위한 열처리는 상기 챔버(Chamber)의 내측 일면 또는, 내측 전면에 위치하는 발열체에 의해 온도를 증가시킨다.
Abstract translation: 公开了一种用于提高太阳能电池中使用的CI（G）S的制造方法中的硒化步骤的效率的方法，更具体地，涉及通过将CI（G）S 的前体薄膜转换成特定的容器或室，将硒（Se）注入容器或室中，并且增加温度。 本发明提供了通过增加特定容器或室中的部分硒（Se）压力，提高硒化效率和减少热处理时间来降低高压硒化期间硒（Se）的损失的优点。 为此，CI（G）S型前体薄膜与室之间的距离在6至20mm之间，其中硒（Se）注入室中，并且温度通过发热 身体位于腔室内侧的一侧或前侧，用于硒化的热处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2014046455A1
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：PCT/KR2013/008396
申请日：2013-09-17
Applicant: 한국에너지기술연구원
CPC classification number: C23C14/243 , C23C14/564 , C30B23/066
Abstract: 소스 잔류물 배출형 셔터를 구비한 진공 증발원 및 이를 포함하는 증착 장비가 개시된다. 본 발명에 따른 소스 잔류물 배출형 셔터를 구비한 진공 증발원은, 원통형의 내부 공간을 제공하는 외부 용기와, 상기 외부 용기의 내부 공간에 거치되는 도가니 및 상기 외부 용기와 상기 도가니 사이에 배치되어 상기 도가니를 가열하는 히터를 포함하는 진공 증발원 본체; 및 상기 진공 증발원 본체의 출구 측에 배치되어 상기 도가니의 출구를 개폐하는 것으로서, 상기 도가니의 출구와 마주보는 안쪽 면에 응축된 소스 잔류물이 상기 외부 용기 바깥쪽으로 흘러 배출될 수 있도록, 상기 안쪽 면의 상기 도가니 출구에 대응되는 영역으로부터 상기 외부 용기 바깥쪽 영역까지 연장되게 배치된 다수의 흐름 가이드를 갖는 셔터;를 포함한다. 본 발명에 따른 증착 장비는 전술한 구성을 가지고, 진공 챔버 내에서 기판의 중심을 향해 기울어지게 배치된, 다수의 진공 증발원을 포함한다.
Abstract translation: 公开了一种具有源极残渣放电型快门和包括其的蒸发设备的渗流池。 具有根据本发明的源极残留物排出型活门的积液单元包括：具有用于提供圆柱形内部空间的外部容器的排出单体体，设置在外部容器的内部空间中的坩埚和设置在外部容器之间的加热器 外部容器和坩埚，以加热坩埚; 以及挡板，其设置在所述渗出池体的出口处，以打开或关闭所述坩埚的出口，并且具有多个流动引导件，所述多个引导件设置成从与所述坩埚的出口相对应的区域延伸到内表面 外部容器的外部区域，以将在坩埚的出口的内表面上冷凝的源残渣排出到外部容器的外部。 根据本发明的蒸发设备具有上述元件，并且包括多个排出单元，其设置成朝向真空室内的基板的中心倾斜。
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公开(公告)号：WO2014010926A1
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：PCT/KR2013/006117
申请日：2013-07-10
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L31/0749 , H01L31/18 , Y02E10/541
Abstract: 본 발명은 기판의 Na의 농도가 낮아서 CIGS 광흡수층의 공핍층이 얇은 경우에 태양전지 효율을 향상시킬 수 있는 CIGS 광흡수층을 형성하는 방법에 관한 것으로, 3단계의 동시진공증발법에 의하여 태양전지용 CIGS 광흡수층을 형성하는 방법으로서, In과 Ga 및 Se을 동시에 증발시켜 증착하는 제1단계; Cu와 Se를 동시에 증발시켜 증착하는 제2단계; In과 Ga 및 Se를 동시에 증발시켜 증착하는 제3단계;를 포함하여 구성되며, 상기 제1단계에서 Ga을 증발시켜 공급하는 양이, 상기 제3단계에서 Ga를 증발시켜 공급하는 양보다 많은 것을 특징으로 한다. 본 발명의 다른 형태에 의한 CIGS 태양전지는, 기판; 상기 기판 위에 형성된 전극층; 및 상기 전극층 위에 형성된 CIGS 광흡수층을 포함하여 구성되며, 상기 전극층과 상기 CIGS 광흡수층의 계면에서의 Ga/(In+Ga)의 비율이 0.45 이상인 것을 특징으로 한다. 본 발명은, 3단계 동시진공증발법으로 CIGS 광흡수층을 형성하는 과정에서 제1단계의 Ga 증발량을 늘림으로써, Na의 농도가 낮은 기판 위에 형성되어 공핍층의 깊이가 깊은 CIGS 태양전지의 효율을 향상시키는 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种形成CIGS光吸收层的方法，其可以在衬底的Na浓度低的情况下提高太阳能电池的效率，因此CIGS光吸收层的耗尽层薄 。 本发明的方法通过三级真空共蒸镀形成太阳能电池的CIGS光吸收层，其包括：第一步同时真空蒸发In，Ga和Se; 同时真空蒸发Cu和Se的第二步; 以及真空蒸发In，Ga和Se的第三步骤。 在第一步中蒸发并供应的Ga的量大于在第三步中蒸发并供应的Ga的量。 根据本发明的另一方面的CIGS太阳能电池包括：基板; 形成在基板上的电极层; 以及形成在电极层上的CIGS光吸收层。 CIGS光吸收层的电极层和界面处的Ga /（In + Ga）的比例为0.45以上。 本发明的方法的结构是在通过三级真空共蒸发形成CIGS光吸收层的过程中，第一步中的Ga蒸发量增加，因此能够形成CIGS光吸收层 在具有低Na浓度的基板上，从而提高具有深度的耗尽层的CIGS太阳能电池的效率。
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公开(公告)号：WO2014010925A1
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：PCT/KR2013/006116
申请日：2013-07-10
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/042 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/03923 , H01L31/03928 , Y02E10/541
Abstract: 본 발명은 CIGS를 포함하는 CIS계 태양전지의 후면전극에 관한 것으로, 기판과 CIGS를 포함하는 CIS계 광흡수층 사이에 형성된 CIS계 태양전지의 후면전극으로서, 상기 기판 위에 형성되고 Na이 10wt% 이상 포함된 금속재질의 제1전극층; 및 상기 제1금속층 위에 형성되고 Na이 포함되지 않은 금속재질의 제2전극층으로 구성되는 것을 특징으로 한다. 이때, 본 발명의 제1전극층과 제2전극층의 두께 비는 10:3 ~ 10:1 인 것이 바람직하다. 본 발명은, 10wt% 이상의 Na를 첨가한 제1전극층과 얇은 제2전극층을 구비함으로써, 광흡수층에 확산되는 Na의 양을 늘려 CIS계 태양전지의 효율을 크게 향상시킬 수 있는 효과가 있다. 이러한 태양전지 효율의 향상은 단순히 제1전극층의 Na의 함량을 늘리고, 제2전극층의 두께를 얇게 하여 제조된 후면전극을 이용한 것에서 예상하기 어려운 정도의 효율 향상이며, 이로부터 Na가 포함되지 않은 다양한 기판에 대하여 효율이 뛰어난 CIS계 태양전지를 제조할 수 있는 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及包括CIGS的CIS系太阳能电池的背面接触，其中CIS基太阳能电池的背接触介于基板和包含CIGS的基于CIS的光吸收层之间，包括：第一 电极层，形成在基板上，由含有10重量％以上的Na以上的金属材料构成; 以及形成在第一金属层上并由不含有Na的金属材料制成的第二电极层。 这里，优选第一电极层和第二电极之间的厚度比为10：3〜10：1。 本发明的背面接触包含含有10重量％以上Na以上的第一电极层和薄的第二电极层，由此增加在光吸收层中扩散的Na的量，从而显着提高 基于CIS的太阳能电池。 上述太阳能电池的效率的提高是难以估计的，因为其中简单地增加了第一电极中的Na含量并且简单地使第二电极层变薄的后接触的改善。 上述背面接触能够制造相对于不含有Na的各种基板具有优异的效率的CIS系太阳能电池。
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29.发明申请텍스처층을 포함하는 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조된 칼코게나이드계 태양전지 审中-公开制造具有包含纹理层的双层纹理结构的聚碳酸酯太阳能电池的方法和制造的氯化铝太阳能电池
公开(公告)号：WO2013141651A1
公开(公告)日：2013-09-26
申请号：PCT/KR2013/002404
申请日：2013-03-22
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/042 , H01L31/0236 , H01L31/0749 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02366 , H01L31/0547 , H01L31/0749 , Y02E10/52 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 텍스처층을 포함하는 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법에 관한 것으로서, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판에 텍스처층을 형성하는 단계; 상기 텍스처층에 후면전극을 형성하는 단계; 상기 후면 전극 위에 칼코게나이드계 반도체 재질의 광흡수층을 형성하는 단계; 상기 광흡수층 위에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 위에 투명전극을 형성하는 단계; 및 상기 투명전극의 표면에 전면텍스처를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 텍스처층에 의하여 상기 후면전극의 표면에 요철이 형성되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 텍스처층을 포함하는 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지는, 기판; 상기 기판 위에 형성된 텍스처층; 상기 텍스처층 위에 형성된 후면전극; 상기 후면 전극 위에 형성된 칼코게나이드계 반도체 재질의 광흡수층; 상기 광흡수층 위에 형성된 버퍼층; 및 상기 버퍼층 위에 형성된 투명전극을 포함하여 구성되고, 상기 텍스처층 표면의 텍스처 구조에 의하여 상기 후면전극의 표면에 요철이 형성되며, 상기 투명전극의 표면에 전면텍스처 구조가 형성된 것을 특징으로 한다. 본 발명은 전면텍스처와 텍스처층의 2중 텍스처 구조를 구비하여 광포획 성능을 크게 증가시킴으로써, 태양전지의 광전변환효율을 향상시키는 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有包括纹理层的双重结构结构的太阳能电池的制造方法，包括以下步骤：制备衬底; 在基板上形成纹理层; 在纹理层上形成背面电极; 在后表面电极的顶部形成由硫族化物半导体材料制成的光吸收层; 在光吸收层的顶部形成缓冲层; 在缓冲层的顶部形成透明电极; 并且在透明电极的表面上形成正面结构，由于纹理层，在背面电极上形成有不平坦的表面。 根据本发明的具有包括纹理层的双重纹理结构的太阳能电池包括：基底; 所述纹理层形成在所述基板的顶部上; 形成在纹理层顶部的背面电极; 由形成在背面电极顶部的硫族化物半导体材料制成的光吸收层; 所述缓冲层形成在所述光吸收层的顶部; 以及形成在缓冲层的顶部的透明电极，其中，由于基板结构，在背面电极上形成凹凸表面，并且在透明电极的表面上形成前表面纹理结构。 本发明通过具有包括前表面纹理和后表面纹理的双重纹理结构，提供了由于光捕获能力的显着增加而增加光电转换效率的优点。
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30.发明申请기판에 텍스처가 형성된 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조된 칼코게나이드계 태양전지 审中-公开制造具有基质上形成纹理的双层纹理结构的聚碳酸酯太阳能电池的方法和制造的氯化铝太阳能电池
公开(公告)号：WO2013141646A1
公开(公告)日：2013-09-26
申请号：PCT/KR2013/002398
申请日：2013-03-22
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/042 , H01L31/0236 , H01L31/0749 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/02366 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 기판에 텍스처가 형성된 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법에 관한 것으로서, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판의 표면에 기판텍스처를 형성하는 단계; 상기 기판에 후면전극을 형성하는 단계; 상기 후면 전극 위에 칼코게나이드계 반도체 재질의 광흡수층을 형성하는 단계; 상기 광흡수층 위에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 위에 투명전극을 형성하는 단계; 및 상기 투명전극의 표면에 전면텍스처를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 기판텍스처에 의하여 상기 후면전극의 표면에 요철이 형성된 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 기판에 텍스처가 형성된 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지는, 기판; 상기 기판 위에 형성된 후면전극; 상기 후면 전극 위에 형성된 칼코게나이드계 반도체 재질의 광흡수층; 상기 광흡수층 위에 형성된 버퍼층; 및 상기 버퍼층 위에 형성된 투명전극을 포함하여 구성되고, 상기 광흡수층에 접하는 상기 후면전극의 표면에 후면텍스처 구조가 형성되며, 상기 투명전극의 표면에 전면텍스처 구조가 형성된 것을 특징으로 한다. 본 발명은 전면텍스처와 기판텍스처의 2중 텍스처 구조를 구비함으로써 광포획 성능을 크게 증가시켜, 태양전지의 광전변환효율을 향상시키는 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种太阳能电池的制造方法，该太阳能电池具有在基板上形成纹理的双重结构结构，包括以下步骤：准备基板; 在衬底的表面上形成衬底纹理; 在所述基板上形成背面电极; 在后表面电极的顶部形成由硫族化物半导体材料制成的光吸收层; 在光吸收层的顶部形成缓冲层; 在缓冲层的顶部形成透明电极; 并且在透明电极的表面上形成前表面纹理，其中由于衬底纹理而在后表面电极上形成不平坦表面。 根据本发明的具有在基板上形成纹理的双组织结构的硫族化物太阳能电池包括：基板; 形成在基板顶部的背面电极; 由形成在背面电极顶部的硫族化物半导体材料制成的光吸收层; 所述缓冲层形成在所述光吸收层的顶部; 以及形成在缓冲层的顶部的透明电极，其中在与光吸收层接触的后表面电极的表面上形成后纹理结构，并且在表面上形成前表面纹理结构 的透明电极。 本发明通过具有包括前表面纹理和后表面纹理的双重纹理结构，提供了由于光捕获能力的显着增加而增加光电转换效率的优点。
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