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公开(公告)号：KR1019930008997A
公开(公告)日：1993-05-22
申请号：KR1019910018986
申请日：1991-10-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/324
Abstract: 본 발명은 미세패턴 형성 등과 같은 반도체장치의 제조시 사용되는 반응성 건식 이온식각 공정후 실리콘 기판(1)의 표면에 생성되는 잔류막(3)을 제거하고 손상층(2)을 회복시키는 방법에 관한 것으로 상기 실리콘 기판(1)의 진공 또는 O
2 , N
2 및 불활성 기체 또는 상기 기체들의 혼합가스 분위기 하에서 약 700℃내지 1100℃의 온도에서 1분 내지 5분 동안 급속 열처리(Rapid Thermal Alloy)함으로써 잔류막(3)을 효과적으로 제고하고 손상층(2)을 회복시킬 수 있어 실리콘 기판의 특성을 향상시킬 수 있다.
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