公开(公告)号：KR1019960009759B1

公开(公告)日：1996-07-24

申请号：KR1019920023350

申请日：1992-12-04

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박형호 ,  곽병화 ,  권오준

IPC: G01N23/00

Abstract: The gas injection apparatus supplys inert gas to a chamber(1) only at the surface etching stage to protect the chamber(1) from being contaminated and to extend the life span of the pump(7)(8)(9) for the surface depth profile analysis by using the ion gun. The surface depth profile analysis device includes the analysis chamber(1), an X-ray gun(2), a detector to check the kinetic energy of the electron, a leak valve(12) to supply gas to the chamber(1), an ion gun(4), an electric valve(13) which supplies the gas only at the surface etching stage and stops gas flow at the surface analysis stage, and a computerized automatic control device to enable or disable an electric valve(13).

Abstract translation: 气体注入装置仅在表面蚀刻阶段向腔室（1）供应惰性气体，以保护腔室（1）免受污染并延长泵（7）（8）（9）的使用寿命 使用离子枪进行深度剖面分析。 表面深度剖面分析装置包括分析室（1），X射线枪（2），用于检查电子的动能的检测器，向腔室（1）供应气体的泄漏阀（12） 离子枪（4），仅在表面刻蚀阶段提供气体并阻止表面分析阶段的气体流动的电动阀（13），以及用于启用或禁用电动阀（13）的计算机化的自动控制装置。

公开(公告)号：KR1019950021806A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019930026783

申请日：1993-12-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김상기 ,  박형호 ,  이희태 ,  조경익

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명은 반도체소자의 몰성분방법중에서 반도체소자의 몰성분용 슬릿의 제조방법 및 슬릿을 이용한 미소부위 엑스선 회절분석방법에 관한 것이다.
종래의 엑스선 회절분석방법은 분석하고자 하는 시료가 작거나 분석영역이 미소부위일 경우 사용되는 엑스선빔외 크기를 감안한다면 회절피크를 통해 소재의 결정성이나 결정구조를 파악한다는 것은 거의 불능하였다.
본 발명은 이러한 문제점을 극복하기 위한 것으로 엑스선 회절분석시 시료로 전달되는 빔의 크기를 조절할 수 있는 반도체소자의 몰성분석용 슬릿의 제조방법과 이 슬릿을 이용해서 시료의 미소부위까지 분석할 수 있는 슬릿을 이용한 엑스선 회절분석방법이다.

公开(公告)号：KR100122438B1

公开(公告)日：1997-11-12

申请号：KR1019930026794

申请日：1993-12-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박형호 ,  이재성 ,  조경익 ,  김상기 ,  권오준 ,  강영일 ,  이용현

IPC: H01L27/10

Abstract: A fabrication method of FPGA is provided to improve reliability of filament formed in insulator between inter-metal layers. The method comprises the steps of: sequentially forming an W layer(6), TiW layer(10) for barrier metal, a silicon oxide(11), a silicon nitride(8), and an Al metal(12) for mask on a silicon substrate(9); defining a filament region and selective etching the Al metal(12); etching the silicon nitride(8) to form pillar; depositing a nitride layer(14); and forming a TiW pattern(15) and an Al pattern(7) to concentrate a programable region due to the differences of inter-metal insulators. Thereby, it is possible to easily control the structure of filament region.

Abstract translation: 提供FPGA的制造方法，以提高金属间绝缘体中形成的灯丝的可靠性。 该方法包括以下步骤：顺序地形成W层（6），用于阻挡金属的TiW层（10），氧化硅（11），氮化硅（8）和用于掩模的Al金属（12） 硅基板（9）; 限定长丝区域和选择性蚀刻Al金属（12）; 蚀刻氮化硅（8）以形成柱; 沉积氮化物层（14）; 以及由于金属间绝缘体的差异而形成TiW图案（15）和Al图案（7）以集中可编程区域。 由此，可以容易地控制灯丝区域的结构。

公开(公告)号：KR1019970010770B1

公开(公告)日：1997-06-30

申请号：KR1019930026783

申请日：1993-12-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김상기 ,  박형호 ,  이희태 ,  조경익

IPC: H01L21/66

Abstract: The method for manufacturing a slit(10) to analyze microregion(21) of semiconductor device and analyzing microregion(21) by x-ray refraction and the slit(10) consists of steps; 1) gliding a thin disk(150-200 Pm) to 10-20 Pm disk having concave which diameter is below 10mm; 2) forming holes on the center of a disk by using cutter; 3) emitting x-ray to a region(21) to analyze and another region(21) is covered by the slit(10); and detecting a refraction peak caused by the step(1) to analyzing the microregion(21).

Abstract translation: 用于制造用于分析半导体器件的微区（21）并通过X射线折射和狭缝（10）分析微区（21）的狭缝（10）的方法包括步骤： 1）将一个薄盘（150-200Pm）滑到具有低于10mm直径的凹面的10-20Pm盘; 2）使用切割机在圆盘的中心形成孔; 3）将x射线发射到区域（21）以进行分析，并且另一区域（21）被狭缝（10）覆盖; 以及检测由步骤（1）引起的分析微区域（21）的折射峰值。

公开(公告)号：KR100091349B1

公开(公告)日：1995-11-07

申请号：KR1019910021079

申请日：1991-11-25

Applicant: 주식회사 케이티 ,  한국전자통신연구원

Inventor： 권광호 ,  박형호 ,  김보우

IPC: H01L27/108

公开(公告)号：KR1019940008365B1

公开(公告)日：1994-09-12

申请号：KR1019910022924

申请日：1991-12-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이중화 ,  곽병화 ,  박형호 ,  권오준 ,  정성화

IPC: H01L21/324

Abstract: The method selectively removes the impurities on the surface by using electron beams. The method comprises (A) loading a semiconductor substrate (5) in a vacuum chamber (1) with high vacuum atmosphere below 10-6 torr; (B) selectively focusing the electron beam (4) on the substrate surface; (C) absorbing the dissociated impurities into the high vacuum region and removing them.

Abstract translation: 该方法通过使用电子束选择性去除表面上的杂质。 该方法包括：（A）将半导体衬底（5）装载在具有低于10 -6乇的高真空气氛的真空室（1）中; （B）选择性地将电子束（4）聚焦在衬底表面上; （C）将解离的杂质吸收到高真空区域并除去它们。

公开(公告)号：KR1019930014838A

公开(公告)日：1993-07-23

申请号：KR1019910022924

申请日：1991-12-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이중화 ,  곽병화 ,  박형호 ,  권오준 ,  정성화

IPC: H01L21/324

Abstract: 본 발명은 고진동하에서 반도체기판의 표면을 청정처리 하는 방법에 관한 것으로 특히 미세패턴화된 반도체기판에서 전자선을 이용하여 수 Å이내의 표면불순물을 선택적으로 제거하는 방법이다.
본 발명은 반도체기판의 표면의 특정부위에 접속된 전자선을 선택적으로 조사하여 반도체기판의 표면에 존재하는 표면불순물의 분해를 유도하고 분해산물을 고진공으로 제거하되 화학증착 공정, 에피택셜 성장공정 또는 스피터링 공정 등의 가공공정과 함께 수행함으로써 기판의 변형이나 표면의 제오염을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990053233A

公开(公告)日：1999-07-15

申请号：KR1019970072834

申请日：1997-12-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 백종태 ,  조문호 ,  박형호 ,  현상훈

IPC: H01L21/316

Abstract: 재료 고유의 고다공 특성으로 인해 저유전 특성을 가지는 SiO
2 에어로겔(aerogel)은 다공 구조에서 기인한 많은 양의 유기물, 수산기물, 흡착 수분 등과 같은 내부 표면 화학종을 가지며, 재료 전체의 물성도 이러한 내부 화학종에 의존하게 된다. 이들 표면 화학종들은 유전 분극이 매우 큰 물질들로서 반도체 소자에서의 층간 저유전 박막으로 활용시 유전 특성이나 누설 전류 특성 및 소자의 내구성을 저하시키는 인자로 작용한다. 본 발명에서는 유도 결합형 플라즈마 (ICP; inductively coupled plasma)를 이용한 저온 O
2 플라즈마 처리 방법으로 SiO
2 에어로겔 박막의 표면 화학종을 감소시킴으로써, 종래의 진공하의 공정로에서 열처리하는 것에 비하여 소자 공정의 열적 안정성, 표면 화학종 감소의 효율성뿐만 아니라 저온 공정에 의한 경제적인 장점을 동시에 제공한다.

公开(公告)号：KR100125409B1

公开(公告)日：1997-10-06

申请号：KR1019930026304

申请日：1993-12-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 남산 ,  이희태 ,  박형호 ,  조경익

IPC: H01L21/66

公开(公告)号：KR1019960009752B1

公开(公告)日：1996-07-24

申请号：KR1019920011454

申请日：1992-06-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박형호 ,  곽병화 ,  이중환 ,  권오준

IPC: G01B15/00

Abstract: The multi-function surface analysis device performs the uniform surface etching regardless of the surface condition of the specimen in analyzing the depth profile of the specimen by using the specimen position adjuster(20) and the specimen holder(30). The device includes a tapered hole(22) for adjusting the specimen(33) position to keep normal to the ion gun, a rotary disk(23) of a doughnut shape having a rectangular protrusion(23a), a specimen position adjuster(20) having the protrusion(21) of a hemispheric shape, a shaft(31) inserted into the hole(22), ane under plate(32) having the groove(32a) receiving the rectangular protrusion(23a) to be flush with the upper plate(23) when the protrusion(21) and the concave surface(32b) are fitted to each other, and the upper plate(23).

Abstract translation: 多功能表面分析装置通过使用试样位置调整器（20）和试样保持架（30），分析试样的深度轮廓而与样品的表面状态无关地进行均匀的表面蚀刻。 该装置包括用于调节样品（33）位置以保持与离子枪正常的锥形孔（22），具有矩形突起（23a）的环形旋转盘（23），样品位置调节器（20） 具有半球形的突起（21），插入孔（22）中的轴（31），底板（32）的底部（32），其具有容纳矩形突起（23a）的槽（32a）以与上板齐平 （21）和所述凹面（32b）彼此嵌合时，所述上板（23）与所述上板（23）接合。