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公开(公告)号：KR1019950021307A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930027030
申请日：1993-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은 고진공 이온선 식각장치에서 발생되는 불균일 식각 현상을 제거하기 위해서 사용되고 있는 시편의 회전장치에 부가하여 시편상의 임의부분을 회전중심에 위치시킬 수 있돌록 발명한 것으로서, 특히 고진송장치내의시편을 공기중에 노출시키지 않고 새로 고안된 시편보유기의 조정나사를 간이조정장치로 돌려줌으로써 식각하고자 하는 위치를 정확하게 회전중심에 이동시킬 수 있ㄴ는 반도테 재료의 이온선 식각장치에서의 회전중심 조정방법 및 장치에 관한 것이다.
상기한 본 발명의 방법은 오제이 전자분광기(AES),광전자분광기(ESCA),이차이온 질량분석기(SIMS)등 표면분석장치에서 깊이분석시 깊이분해능을 향상시키는 데에 사용되고 있는 기존의 시편회전장칭에 부가하여 활용 될 수 있으며, 그 경웅에는 1회장착된 시편ㅇ에서 다수의 회전중심을 얻어서 분석할 수 있을 뿐아니라, 미세패턴 또는 부분결함등의 분석에서 위치선정이 필요한 때에도 그 위치를 정확히 조절할 수 있다.
또한 이온선 식각에 의한 시료가공이 필요한 때에도 그 위치를 정확히 조절할 수 있다.
또한 이온선 식각에 의한 시료가공이 필요한 전자 현미경(TEM) 시료제작 및 결정성 시편의 무작위 회전분석의 경ㅇ우등에도 활용될 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019940008365B1
公开(公告)日：1994-09-12
申请号：KR1019910022924
申请日：1991-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/324
Abstract: The method selectively removes the impurities on the surface by using electron beams. The method comprises (A) loading a semiconductor substrate (5) in a vacuum chamber (1) with high vacuum atmosphere below 10-6 torr; (B) selectively focusing the electron beam (4) on the substrate surface; (C) absorbing the dissociated impurities into the high vacuum region and removing them.
Abstract translation: 该方法通过使用电子束选择性去除表面上的杂质。 该方法包括：（A）将半导体衬底（5）装载在具有低于10 -6乇的高真空气氛的真空室（1）中; （B）选择性地将电子束（4）聚焦在衬底表面上; （C）将解离的杂质吸收到高真空区域并除去它们。
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公开(公告)号：KR1019930014838A
公开(公告)日：1993-07-23
申请号：KR1019910022924
申请日：1991-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/324
Abstract: 본 발명은 고진동하에서 반도체기판의 표면을 청정처리 하는 방법에 관한 것으로 특히 미세패턴화된 반도체기판에서 전자선을 이용하여 수 Å이내의 표면불순물을 선택적으로 제거하는 방법이다.
본 발명은 반도체기판의 표면의 특정부위에 접속된 전자선을 선택적으로 조사하여 반도체기판의 표면에 존재하는 표면불순물의 분해를 유도하고 분해산물을 고진공으로 제거하되 화학증착 공정, 에피택셜 성장공정 또는 스피터링 공정 등의 가공공정과 함께 수행함으로써 기판의 변형이나 표면의 제오염을 방지할 수 있다.-
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公开(公告)号：KR1019970010963B1
公开(公告)日：1997-07-05
申请号：KR1019930029091
申请日：1993-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01N1/00
Abstract: A sample mounting apparatus of a net grid structure having a metal support is disclosed. In the sample mounting apparatus of a net grid structure, an experimental sample(5) is put on a net grid(7). A plurality of metal supports(9) are attached to a lower portion of the net grid(7). A plurality of metal springs(6) are installed between the metal supports(9) at a lower portion of the net grid(7). The metal springs(6) have the same elasticity. According to the sample mounting apparatus, since a grid surface maintains at level, an analyzing error is reduced.
Abstract translation: 公开了一种具有金属支撑件的网格结构的样品安装装置。 在网格结构的样品安装装置中，将实验样品（5）放在网格（7）上。 多个金属支撑件（9）附接到网格（7）的下部。 多个金属弹簧（6）安装在网格网格（7）下部的金属支架（9）之间。 金属弹簧（6）具有相同的弹性。 根据样品安装装置，由于电网表面保持水平，故分析误差降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019940010515B1
公开(公告)日：1994-10-24
申请号：KR1019910018986
申请日：1991-10-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/324
Abstract: The removal of remnants formed at RIE (reactive ion etching) process and the restriction of damage on the silicon substrates by the collision of gas atoms are essential for the improvement of reliability of the device. To solve the problem, RTA process is treated during 1 to 5 minutes at 700 to 1100 deg.C under vacuum, O2, N2, inert gas, or their mixed ambience in order to repair the impurity penetration layers damaged by reactive ion etching and to remove the remnants (3) that compose of C-F or Cl polymer as shown in the figure, after RIE process. The property of silicon substrate is restored considerably by this method.
Abstract translation: 在RIE（反应离子蚀刻）工艺中形成的残余物的去除以及气体原子碰撞对硅衬底的损伤的限制对于提高器件的可靠性至关重要。 为了解决这个问题，在真空，O2，N2，惰性气体或其混合环境下，在700〜1100℃，1〜5分钟内对RTA工艺进行处理，以修复由反应离子蚀刻损坏的杂质穿透层， 在RIE过程后，如图所示，移除由CF或Cl聚合物构成的残留物（3）。 通过这种方法，大大地恢复了硅衬底的性能。
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公开(公告)号：KR1019930014840A
公开(公告)日：1993-07-23
申请号：KR1019910024774
申请日：1991-12-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/324
Abstract: 본 발명의 차세대 반도체 제조공정을 위한 장치로써 초박막(Ultra Very Thin Film)형성 및 표면의 오염원제거와 계면에서 양질(High Quality)의 접합성 박막을 제조하기 위해 사용되는 진공급속 열처리장치에 관한 것으로 기존 급속 열처리장치의 챔브길이를 길게하고 열원의 할로겐램프는 짧게 구비하고 챔브내부의 열을 밖으로내보내는 배기구에 연결되어 냉각수라인에 의해 연결하고 일측에 포토와 불순물을 제거하는 오일필터와 상기 오일필터와 클램프에 의해연결된 진공펌프를 포함하는 진공부를 구비한 진공급속 열처리장치를 구성한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019960009759B1
公开(公告)日：1996-07-24
申请号：KR1019920023350
申请日：1992-12-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01N23/00
Abstract: The gas injection apparatus supplys inert gas to a chamber(1) only at the surface etching stage to protect the chamber(1) from being contaminated and to extend the life span of the pump(7)(8)(9) for the surface depth profile analysis by using the ion gun. The surface depth profile analysis device includes the analysis chamber(1), an X-ray gun(2), a detector to check the kinetic energy of the electron, a leak valve(12) to supply gas to the chamber(1), an ion gun(4), an electric valve(13) which supplies the gas only at the surface etching stage and stops gas flow at the surface analysis stage, and a computerized automatic control device to enable or disable an electric valve(13).
Abstract translation: 气体注入装置仅在表面蚀刻阶段向腔室（1）供应惰性气体，以保护腔室（1）免受污染并延长泵（7）（8）（9）的使用寿命 使用离子枪进行深度剖面分析。 表面深度剖面分析装置包括分析室（1），X射线枪（2），用于检查电子的动能的检测器，向腔室（1）供应气体的泄漏阀（12） 离子枪（4），仅在表面刻蚀阶段提供气体并阻止表面分析阶段的气体流动的电动阀（13），以及用于启用或禁用电动阀（13）的计算机化的自动控制装置。
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公开(公告)号：KR1019970010664B1
公开(公告)日：1997-06-30
申请号：KR1019930027030
申请日：1993-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/66
Abstract: A method of controlling the rotation center and an apparatus in an ion etching apparatus for analyzing the properties of a semiconductor material are disclosed. The method places the rotation center of a sample 1 which is contained in a sample container 19 at etching point without exposing the sample 1 to an air by a remote control means 20 which is connected with a control means of a vacuum chamber 16.
Abstract translation: 公开了一种控制旋转中心的方法和用于分析半导体材料的性质的离子蚀刻装置中的装置。 该方法将样本容器19中包含的样品1的旋转中心放置在蚀刻点，而不会通过与真空室16的控制装置连接的遥控装置20将样品1暴露在空气中。
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