公开(公告)号：KR1020150043193A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：KR1020140021915

申请日：2014-02-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김남제 ,  박경현 ,  한상필 ,  문기원 ,  이일민 ,  고현성

IPC: H01L31/00 ,  H01L31/0232

CPC classification number: H01Q5/22 ,  H01L31/08

Abstract: 본발명은테라헤르츠연속파발생/검출용포토믹서에관한것으로서, 비팅(Beating) 광이입사되는광 전도체; 및상기광 전도체의양 측면에형성되고, 테라헤르츠주파수의전류를급전(Feeding)받는복수의안테나급전전극;을포함하는것을특징으로한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于产生和检测太赫兹连续波的光混合器。 本发明包括输入打浆光的光导体和形成在光导体的两侧并接收太赫兹频率的电流的多个天线馈电电极。

公开(公告)号：KR1020150039070A

公开(公告)日：2015-04-09

申请号：KR1020140029610

申请日：2014-03-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김남제 ,  박경현 ,  한상필 ,  문기원 ,  박정우

IPC: H01S3/10 ,  H01S3/0941 ,  H01Q23/00

CPC classification number: H01S5/0264 ,  H01Q23/00 ,  H01S3/0675 ,  H01S3/09415 ,  H01S3/101

Abstract: 본발명은테라헤르츠연속파발생소자에관한것으로서, 복수의레이저광을생성하는복수의레이저광원; 및상기복수의레이저광의상호작용을조절하기위해, 상기복수의레이저광원사이에형성되는흡수영역;을포함하되, 상기흡수영역이포토다이오드(Photo Diode)가형성된형태로구현되는것을특징으로한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种太赫兹连续波发生装置。 太赫兹连续波发生装置包括产生多个激光束的多个激光源和形成在激光源之间的吸收区域，以控制与激光束的相互作用。 在吸收区域上形成光电二极管。

公开(公告)号：KR1020140084866A

公开(公告)日：2014-07-07

申请号：KR1020120154839

申请日：2012-12-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박경현 ,  한상필 ,  박정우 ,  류한철 ,  문기원 ,  김남제 ,  고현성

IPC: H01S1/00

CPC classification number: H01L31/028 ,  H01L31/085

Abstract: Disclosed are an apparatus for generating/detecting a terahertz wave using graphene and a method for manufacturing the same. The apparatus for generating/detecting a terahertz wave includes a substrate which has an active region and a transmission region, a lower metal layer which is extended in a first direction on the active region and the transmission region of the substrate, a graphene layer which is arranged on the lower metal layer of the active region, and an upper metal layers which are extended in the first direction on the substrate of the transmission region and the graphene layer of the active region. Here, a terahertz wave can be generated or amplified by surface plasmon polaritons which are induced at the boundary surface between the lower metal layer and the graphene layer by a non-tilt laser beam which is applied to the graphene layer and the lower metal layer.

Abstract translation: 公开了使用石墨烯生成/检测太赫兹波的装置及其制造方法。 用于产生/检测太赫波的装置包括具有有源区和透射区的基板，在有源区上沿第一方向延伸的下金属层和基板的透射区，石墨烯层是 和布置在有源区的下金属层上的上金属层，以及在透射区的基板和有源区的石墨烯层上沿第一方向延伸的上金属层。 这里，可以通过施加在石墨烯层和下金属层上的非倾斜激光束在表面等离子体激元中产生或放大太赫兹波，这些表面等离子体激元在下金属层和石墨烯层之间的边界表面处被感应。