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公开(公告)号：KR102230001B1
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：KR1020150148491A
申请日：2015-10-26
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G01J3/42 , H01S1/02 , G01J2003/423
Abstract: 포토닉 크리스탈 구조의 대구경 테라헤르츠 발생 장치는 제1 방향으로 확장된 제1 라인 패턴, 상기 제1 라인 패턴과 연결되고 상기 제1 방향과 교차된 제2 방향으로 확장된 복수의 제2 라인 패턴들 및 상기 제1 라인 패턴과 연결되고 상기 제2 방향으로 확장되고 상기 복수의 제2 라인 패턴들의 사이에 위치되고 상기 제2 라인 패턴들에 비해 긴 길이를 갖는 복수의 제3 라인 패턴들을 포함하는 제1 전극; 및 상기 제1 방향으로 확장된 제4 라인 패턴, 상기 제4 라인 패턴과 연결되고 상기 제2 방향으로 확장된 복수의 제5 라인 패턴들 및 상기 제4 라인 패턴과 연결되고 상기 제2 방향으로 확장되고 상기 복수의 제5 라인 패턴들의 사이에 위치되고 상기 제5 라인 패턴들에 비해 긴 길이를 갖는 복수의 제6 라인 패턴들을 포함하고, 상기 제1 전극과 마주하여 배치된 제2 전극을 포함한다.
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公开(公告)号：WO2014046465A1
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：PCT/KR2013/008415
申请日：2013-09-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S1/00
CPC classification number: G02F1/353 , G02F2203/13 , H01L31/02161 , H01L31/03046 , H01L31/14 , H01L31/1844
Abstract: 기존 광대역 테라헤르츠 분광시스템의 핵심부품인 PCA 및 포토믹서의 현존하는 제한적인 요소를 근본적으로 해결한 포토믹서 및 그의 제조방법을 제시한다. 제시된 포토믹서는 기판의 상면에 형성되되 광이 입사되는 영역에 형성된 활성층, 및 기판의 상면에 형성되되 광이 입사되는 영역을 제외한 나머지 영역에 형성된 열전도층을 포함한다. 활성층은 메사형 단면을 갖도록 형성되고, 열전도층은 광이 입사되는 영역을 제외한 영역에 MOCVD법으로 재성장되어 평탄화된 표면을 갖게 된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种基本上解决现有宽带太赫兹光谱系统的关键组件的PCA和光混合器的现有局限性的光混合器及其制造方法。 根据本发明的光混合器包括：形成在形成在基板的上表面上的光入射区域中的有源层; 以及形成在所述光入射区域以外的区域中并且形成在所述基板的上表面上的导热层。 有源层形成为具有台面型横截面，并且通过MOCVD方法在除了光入射区域之外的区域中重新生长导热层以具有平坦的表面。
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公开(公告)号：KR102246610B1
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：KR1020190113723
申请日：2019-09-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01N21/3581 , G02B26/12
Abstract: 폴리곤미러어셈블리및 스캔장치가제공된다. 폴리곤미러어셈블리는, 회전축으로부터소정의거리로이격되어배치된복수의반사면을포함하는폴리곤미러; 폴리곤미러를회전축을중심으로회전시키는제1 모터; 제1 모터가폴리곤미러를회전시키는동안, 회전축이틸팅(tilting)되도록폴리곤미러를제1 축방향으로이동시키는제2 모터; 및제1 모터의회전속도에대한변화를검출하기위한클럭신호를추출하는클럭신호추출면을포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150043064A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：KR1020130122052
申请日：2013-10-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/09
CPC classification number: H01L31/08 , H01L31/02366 , H01L31/18
Abstract: 광크로스토크를줄일수 있는어레이형광검출기를제조하는방법을제시한다. 제시된방법은도핑된기판을준비하는단계, 도핑된기판의일면상에부도체층을성장시키는단계, 부도체층의상면에광검출기어레이제조층을성장시키는단계, 광검출기어레이제조층을식각하여광검출기어레이를제조하되부도체층의일부에까지식각하는단계, 도핑된기판의타면에식각마스크를형성하는단계, 및식각마스크를통해도핑된기판의타면을식각하여도핑된기판의타면에혼 안테나역할을하는어퍼쳐어레이를형성하는단계를포함한다.
Abstract translation: 公开了一种能够减少光串扰的阵列型光检测器的制造方法。 制造阵列型光学检测器的方法包括以下步骤：制备掺杂的衬底; 在掺杂衬底的一个表面上生长非导电层; 在非导电层上生长光学检测器阵列制造层; 蚀刻光学检测器阵列制造层以制造光学检测器，蚀刻在非导电层的一部分上进行; 在掺杂衬底的另一表面上形成蚀刻掩模; 以及通过通过蚀刻掩模蚀刻掺杂衬底的另一表面，在掺杂衬底的另一表面上形成用作喇叭天线的孔径阵列。
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公开(公告)号：KR102257556B1
公开(公告)日：2021-05-31
申请号：KR1020160025830
申请日：2016-03-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S1/00
Abstract: 본발명은파면제어가가능한테라헤르츠파발생장치에관한것이다. 본발명의실시예에의한테라헤르츠파발생장치는, 광전도성기판과, 상기광전도성기판상에 2차원어레이형태로배열되는다수의테라헤르츠파발생용단위소자들을포함하며, 상기테라헤르츠파발생용단위소자들은, 상기광전도성기판상에상기 2차원어레이형태로배열되며다수의제1 전극패드들중 각기다른제1 전극패드에개별적으로연결되는다수의제1 전극들과, 상기광전도성기판상에상기제1 전극들과대향되도록형성된하나이상의제2 전극을포함한다.
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公开(公告)号：KR101907966B1
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：KR1020120146850
申请日：2012-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S1/00
CPC classification number: G01N21/3581
Abstract: 본발명은테라헤르츠파발생모듈및 그것을포함하는테라헤르츠파검출장치에관한것이다. 본발명에의한테라헤르츠파발생모듈은제 1 방향으로제 1 이중모드광을, 제 2 방향으로제 2 이중모드광을제공하는양방향광원, 상기제 1 이중모드광을집광하는전방렌즈부, 상기전방렌즈부로부터집광된상기제 1 이중모드광을테라헤르츠파로변환하여출력하는포토믹서부, 상기제 2 이중모드광을집광하는후방렌즈부및 상기후방렌즈부로부터집광된제 2 이중모드광을광신호로서출력하는광출력부를포함하며, 상기양방향광원, 상기전방렌즈부, 상기포토믹서부, 상기후방렌즈부및 상기광출력부는하나의하우징안에집적된다. 본발명에의한테라헤르츠파발생모듈및 그것을포함하는테라헤르츠파검출장치는작은크기를가지며, 발생되는테라헤르츠파를효율적으로모니터링할 수있다.
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公开(公告)号：KR1020170103269A
公开(公告)日：2017-09-13
申请号：KR1020160025830
申请日：2016-03-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S1/00
CPC classification number: H01L31/08 , H01L31/0224 , H01Q3/2676
Abstract: 본발명은파면제어가가능한테라헤르츠파발생장치에관한것이다. 본발명의실시예에의한테라헤르츠파발생장치는, 광전도성기판과, 상기광전도성기판상에 2차원어레이형태로배열되는다수의테라헤르츠파발생용단위소자들을포함하며, 상기테라헤르츠파발생용단위소자들은, 상기광전도성기판상에상기 2차원어레이형태로배열되며다수의제1 전극패드들중 각기다른제1 전극패드에개별적으로연결되는다수의제1 전극들과, 상기광전도성기판상에상기제1 전극들과대향되도록형성된하나이상의제2 전극을포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种能够进行波前控制的太赫兹波产生装置。 根据本发明，光电导衬底的实施例的太赫波产生器件中，光导包括多个单元元件的太赫波产生器被布置在基板的二维阵列图案中，太赫波产生器 多个第一电极，以二维阵列布置在光电导基板上并且分别连接到多个第一电极焊盘中不同的第一电极焊盘， 并且一个或多个第二电极形成在板上以面对第一电极。
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公开(公告)号：KR1020150072495A
公开(公告)日：2015-06-30
申请号：KR1020130159252
申请日：2013-12-19
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은고속정류동작을수행할수 있는정류소자에관한것으로서, 제1반도체층, 제2반도체층및 제3반도체층을포함하고, 상기제1반도체층및 제3반도체층은동일한타입의반도체층으로형성되며, 상기제2반도체층은상기제1반도체층및 상기제3반도체층사이에형성되고, 상기제1반도체층및 상기제3반도체층과는다른타입(Type)의반도체층으로형성되며, 경사도핑(Graded doping)된상태로형성되는것을특징으로한다.
Abstract translation: 本发明涉及能够执行高速整流操作的整流器。 整流器包括：第一半导体层，第二半导体层和第三半导体层。 第一半导体层的类型与第三半导体层的类型相同。 第二半导体层形成在第一半导体层和第三半导体层之间。 第二半导体层的类型与第一半导体层和第三半导体层的不同。 第二半导体层形成为渐变掺杂形式。
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