광전 전송 배선판, 이의 제조 방법, 및 이를 이용한 광전전송 방법
    21.
    发明授权
    광전 전송 배선판, 이의 제조 방법, 및 이를 이용한 광전전송 방법 有权
    光电印刷电路板,其制备方法以及使用其的光电发送方法

    公开(公告)号:KR100809396B1

    公开(公告)日:2008-03-05

    申请号:KR1020060016664

    申请日:2006-02-21

    CPC classification number: G02B6/1226 B82Y20/00 H05K1/0274

    Abstract: 본 발명은 광전(光電) 전송 금속선과 유전체층을 포함하는 광전 전송 배선판(Printed Circuit Board; PCB)을 이용한 광전 전송 방법, 광전 전송 배선판, 및 이의 제조 방법을 포함한다. 상세하게, 상기 전송 방법은 5 내지 200 ㎚의 두께, 및 2 내지 100 ㎛의 폭을 갖는 적어도 한 개의 금속선과 상기 금속선과 접하는 유전체층을 포함하는 광전 전송 배선판에 광(光)과 전기(電氣)를 주입한다. 주입된 상기 광은 상기 금속선과 상기 유전체층의 계면을 통해 전달하고, 상기 금속선을 통해 전기를 전송한다.
    금속선, 유전체층, 광전 전송 배선판, 표면 플라즈몬 폴라리톤

    유기 브래그 격자판을 포함하는 광도파로를 갖는 광소자
    22.
    发明公开
    유기 브래그 격자판을 포함하는 광도파로를 갖는 광소자 有权
    有机玻璃光栅的光学器件

    公开(公告)号:KR1020070060972A

    公开(公告)日:2007-06-13

    申请号:KR1020060018871

    申请日:2006-02-27

    CPC classification number: G02B6/02076 G02B6/1228 G02B2006/12109

    Abstract: An optical device equipped with an optical waveguide having an organic bragg grating sheet is provided to make the light of the optical waveguide progress at the high reflectivity and low loss rate. An optical device equipped with an optical waveguide(18) having an organic bragg grating sheet(16) is composed of a clad layer(12) formed on a substrate(10) and the optical waveguide formed in the clad layer. The optical waveguide comprises a core layer(14) having lower and upper core layers(14a,14b) and the organic bragg grating sheet disposed between the lower and upper core layers in the core layer. The organic bragg grating sheet has a refractive index higher than that of the core layer and reflects or transmits the light of a specific wavelength.

    Abstract translation: 提供了配备有具有有机布拉格光栅片的光波导的光学装置,以使光波导的光以高反射率和低损耗率进行。 配备有具有有机布拉格光栅片(16)的光波导(18)的光学装置由形成在基板(10)上的覆盖层(12)和形成在覆盖层中的光波导构成。 光波导包括具有下芯层层和上芯层(14a,14b)的芯层(14),并且布置在芯层中的下芯层和上芯层之间的有机布拉格光栅片。 有机布拉格光栅片的折射率高于芯层的折射率,并且反射或透射特定波长的光。

    테이퍼 도파로 브래그 격자소자
    23.
    发明公开
    테이퍼 도파로 브래그 격자소자 有权
    TAPERED WAVEGUIDE BRAGG GRATING DEVICE

    公开(公告)号:KR1020070059826A

    公开(公告)日:2007-06-12

    申请号:KR1020060031487

    申请日:2006-04-06

    Abstract: A tapered waveguide bragg grating device is provided to make a group delay spectrum in the form of a linear function for wavelength by forming a tapered waveguide region of a logarithmic function or an effective logarithmic function in a waveguide region. In a waveguide for making the incident light progress in a forward or backward direction, a tapered waveguide bragg grating device comprises a tapered waveguide region(122) corresponding to a portion of the waveguide and having a tapered structure produced in the shape satisfying the following formula, w(z)=w0-alphaln(1+z/L), and a bragg grating(124) formed in the tapered waveguide region. w is the width of the waveguide. Z is a longitudinal position of the waveguide. w0 is the width of the waveguide at the position where the waveguide starts to taper. alpha is a property value indicating the influence of the width of the waveguide on an effective refractive index of a waveguide progress mode. L is a value determined by the position where tapering of the waveguide is finished, the width of the waveguide at the tapering finish position, and alpha.

    Abstract translation: 提供了一种锥形波导布拉格光栅装置,通过在波导区域中形成对数函数或有效对数函数的锥形波导区域来形成波长线性函数形式的群延迟谱。 在用于使入射光沿正向或反向方向前进的波导中,锥形波导布拉格光栅装置包括对应于波导的一部分的锥形波导区域(122),并且具有形成为满足以下公式的形状的锥形结构 ,w(z)= w0-alphaln(1 + z / L)和形成在锥形波导区域中的布拉格光栅(124)。 w是波导的宽度。 Z是波导的纵向位置。 w0是波导开始渐缩的位置处波导的宽度。 α是表示波导宽度对波导进行模式的有效折射率的影响的特性值。 L是由波导的锥形完成的位置确定的,波导在锥形完成位置处的宽度和α。

    고출력/광대역 광소자용 유무기 나노 복합 박막 및 이를포함하는 광소자와 그 제조 방법
    24.
    发明公开
    고출력/광대역 광소자용 유무기 나노 복합 박막 및 이를포함하는 광소자와 그 제조 방법 失效
    用于高功率和/或宽带光电装置的有机 - 无机混合纳米薄膜应用及其制备方法和具有薄膜的光电器件

    公开(公告)号:KR1020070045794A

    公开(公告)日:2007-05-02

    申请号:KR1020050102484

    申请日:2005-10-28

    Abstract: 유기 리간드가 배위된 반도체 양자점층을 포함하는 고출력/광대역 광소자용 유무기 나노 복합 박막 및 이를 포함하는 광소자와, 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명 따른 유무기 나노 복합 박막은 고분자층과, 상기 고분자층 위에 자기조립되어 있는 유기 리간드가 배위된 반도체 양자점층을 포함하는 적층 구조, 또는 제1 홀을 가지는 제1 고분자층 패턴과 상기 제1 홀 내에 충진되어 있는 유기 리간드로 배위된 제1 반도체 양자점층 패턴을 포함하는 제1 복합 박막으로 이루어진다. 본 발명의 유무기 나노 복합 박막은 반도체 양자점 용액과 고분자 용액을 교대로 스핀 코팅하여 1 층씩 교대로 적층된 복수층으로 이루어지는 유기물 다층 박막으로 구성될 수 있다. 고밀도, 광대역의 반도체 양자점층과 고분자층이 물리적으로 결합된 하이브리드 광소자용 나노 복합 박막을 제공함으로써 고출력, 광대역, 고휘도, 고감도의 광소자를 구현할 수 있으며 유연성 있는 광소자를 제조할 수 있다.
    반도체 양자점, 유기 리간드, 자기정렬, 스핀코팅, 광소자

    아이소이미드기를 가지는 고분자 및 유기 색소로 이루어지는 주인-손님형 고분자 조성물과 이로부터 얻어지는 곁사슬형 비선형 광학 고분자 및 그 제조 방법
    25.
    发明授权
    아이소이미드기를 가지는 고분자 및 유기 색소로 이루어지는 주인-손님형 고분자 조성물과 이로부터 얻어지는 곁사슬형 비선형 광학 고분자 및 그 제조 방법 失效
    包含具有异亚酰亚胺基团的聚合物和有机发色团的主客体聚合物组合物,由其获得的侧链非线性光学聚合物及其制备方法

    公开(公告)号:KR100513597B1

    公开(公告)日:2005-09-09

    申请号:KR1020020047196

    申请日:2002-08-09

    CPC classification number: C08G73/1089

    Abstract: 아이소이미드기를 가지는 고분자 및 유기 색소로 이루어지며 곁사슬형 고분자계로의 전환이 가능한 주인-손님형 고분자 조성물과, 이로부터 얻어지는 곁사슬형 비선형 광학 고분자 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 곁사슬형 비선형 광학 고분자의 제조 방법에서는 다음 식으로 표시되는 아이소이미드기를 가지는 고분자를 포함하는 매트릭스에 상기 아이소이미드기와 친핵 반응이 가능한 반응기를 가지는 유기 색소가 분산된 주인-손님형 비선형 광학 고분자 필름을 형성한다.

    그 후, 상기 비선형 광학 고분자 필름을 전기장하에 제1 온도에서 폴링시킨다. 이어서, 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도에서 폴링하에 상기 유기 색소와 상기 고분자를 반응시켜 곁사슬형 비선형 광학 고분자를 형성한다.

    열광학 가변 광감쇄기
    26.
    发明授权
    열광학 가변 광감쇄기 失效
    热光可变光衰减器

    公开(公告)号:KR100358181B1

    公开(公告)日:2002-10-25

    申请号:KR1020000080595

    申请日:2000-12-22

    Abstract: 본 발명은 높은 선형성과 밀리초 단위의 동작속도, 편광독립, 35 dB 이상의 감쇄영역을 얻을 수 있고 집적광회로에 적용하는데 적합한 열광학 가변광쇄기에 관한 것으로, 단일모드 채널광도파로, 상기 채널광도파로에 접속되며 두 개의 대칭형 Y-분기로 구성된 마하-젠더 간섭계 광도파로, 및 상기 마하-젠더 간섭계 광도파로 상부에 대칭적으로 위치하여 상기 각 대칭형 Y-분기의 일측에 열을 인가하는 두 개의 금속열선을 포함하여 이루어지며, 상기 금속열선에 인가된 전력에 의해 상기 각 대칭형 Y-분기의 굴절율을 변화시킨다.

    표시 패널, 그것을 포함하는 표시 장치 및 그것의 동작 방법

    公开(公告)号:KR102237211B1

    公开(公告)日:2021-04-08

    申请号:KR1020150025284

    申请日:2015-02-23

    Abstract: 표시패널은반사모드또는발광모드중 어느하나의모드로구동할수 있는복수의픽셀들을포함하되, 상기복수의픽셀들각각은, 광투과성재료를포함하는제1 기판, 상기제1 기판과대향하는제2 기판, 상기제1 기판의상기제2 기판방향의표면상에위치하는제1 전극, 상기 1 전극상에위치하고, 환원및 산화반응에의해발광하는발광재료를포함하는발광소자층, 상기제2 기판의상기제1 기판방향의표면상에위치하는제2 전극, 상기제2 전극상에위치하고, 환원및 산화반응에의해착색또는탈색되는반사소자층 및상기발광소자층 및상기반사소자층 사이에위치하고, 상기광의투과율을조절하는전해질층을포함하되, 상기반사모드시, 상기제1 전극및 상기제2 전극에는제1 주파수이하의교류전압이인가되고, 상기발광모드시, 상기제1 전극및 상기제2 전극에는제2 주파수이상의교류전압이인가되고, 상기제2 주파수는상기제1 주파수보다높은갖는다.

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