公开(公告)号：KR1020100058070A

公开(公告)日：2010-06-03

申请号：KR1020080116747

申请日：2008-11-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 심재엽 ,  백규하 ,  도이미

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/336

CPC classification number: G03F7/0002 ,  H01L21/0272

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to include a leg part and a head part of a T-shape gate electrode in order to fill openings. CONSTITUTION: A first photosensitive layer is formed on a substrate(100). A first photosensitive pattern is formed by performing an imprint lithography operation on the first photosensitive layer. A second photosensitive pattern, which covers the first photosensitive pattern, is formed. A third photosensitive pattern(132) with a first opening(134) is formed on the second photosensitive pattern. A second opening exposing the substrate is formed. A T-shape gate electrode(146) with a leg part(142) and a head part(144), which fill the second opening, is formed.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件及其制造方法以包括T形栅电极的腿部和头部以填充开口。 构成：在基板（100）上形成第一感光层。 通过对第一感光层进行压印光刻操作来形成第一感光图案。 形成覆盖第一感光图案的第二感光图案。 具有第一开口（134）的第三感光图案（132）形成在第二感光图案上。 形成露出基板的第二开口。 形成有填充第二开口的具有腿部（142）和头部（144）的T形栅电极（146）。

公开(公告)号：KR100668363B1

公开(公告)日：2007-01-16

申请号：KR1020060029313

申请日：2006-03-31

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 강동민 ,  홍주연 ,  심재엽 ,  윤형섭 ,  이경호

IPC: H04B1/06

CPC classification number: H04B1/28 ,  H01Q1/24 ,  H03G3/3052

Abstract: An RF transceiver for a millimeter wave band radar senor using an MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit) is provided to enable a signal isolation block to frequency-convert a signal, transmitted from a transmission block, by using an IF of a local oscillation signal and transmit the frequency-converted signal through a band pass filter, thereby improving receive sensitivity as much as 20 to 30db. An RF transceiver for a radar senor comprises the followings: a transmission block(120) which amplifies a modulation signal and radiates the amplified modulation signal through a transmission antenna(106); a signal isolation block(122) which performs frequency conversion on a signal, transmitted from the transmission block(120), by using the IF(Intermediate Frequency) of a local oscillation signal and transmits the frequency-converted signal through a band pass filter(116); a reception block(121) which mixes an external signal, received through a receiving antenna(107), with a signal transmitted from the signal isolation block(122) and transmits the mixed signal; and an IF block(123) which receives a signal transmitted from the reception block(121), mixes the received signal with the local oscillation signal, and amplifies the mixed signal to outputs a bit signal.

Abstract translation: 提供了一种使用MMIC（单片微波集成电路）的毫米波段雷达传感器的RF收发器，以使信号隔离块能够通过使用本地振荡信号的IF对从传输块传输的信号进行频率转换， 通过带通滤波器传送经频率转换的信号，从而提高20至30db的接收灵敏度。 用于雷达传感器的RF收发器包括：传输块（120），其放大调制信号并通过发射天线（106）辐射放大的调制信号; 信号隔离块（122），其通过使用本地振荡信号的IF（中频）对从发送块（120）发送的信号进行频率转换，并通过带通滤波器（ 116）; 接收块（121），其将通过接收天线（107）接收的外部信号与从所述信号隔离块（122）发送的信号进行混合，并发送所述混合信号; 以及接收从接收块（121）发送的信号的IF块（123），将接收到的信号与本地振荡信号进行混合，并放大混合信号以输出位信号。

公开(公告)号：KR100644812B1

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：KR1020050118990

申请日：2005-12-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤형섭 ,  심재엽 ,  강동민 ,  홍주연 ,  이경호

IPC: H01L21/335

Abstract: An RF electronic device and its manufacturing method are provided to obtain a uniform and precise T shaped gate electrode and to prevent the short of the T shaped gate electrode by using a T shaped insulating gate pattern. An etch stop layer(307) and an ohmic layer(308) are formed on a substrate(301). An insulating layer is formed on the ohmic layer. An insulating gate pattern is formed on the resultant structure by patterning selectively the insulating layer. A spacer is formed on the insulating gate pattern. A gate recess is formed on the etch stop layer and the ohmic layer by etching partially the etch stop layer and the ohmic layer. A first metal film is formed on the resultant structure. A photoresist pattern is formed on the first metal film. A second metal film is then formed on the photoresist pattern. The first metal film is eliminated from the resultant structure by using the second metal film as a mask.

Abstract translation: 提供一种RF电子器件及其制造方法，以获得均匀且精确的T形栅极电极，并通过使用T形绝缘栅极图案来防止T形栅极电极短路。 蚀刻停止层（307）和欧姆层（308）形成在衬底（301）上。 在欧姆层上形成绝缘层。 通过选择性地构图绝缘层来在所得结构上形成绝缘栅极图案。 隔离物形成在绝缘栅极图案上。 通过部分蚀刻蚀刻停止层和欧姆层，在蚀刻停止层和欧姆层上形成栅极凹部。 在所得结构上形成第一金属膜。 在第一金属膜上形成光致抗蚀剂图案。 然后在光致抗蚀剂图案上形成第二金属膜。 通过使用第二金属膜作为掩模从所得结构中消除第一金属膜。

公开(公告)号：KR100636597B1

公开(公告)日：2006-10-23

申请号：KR1020050119004

申请日：2005-12-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 심재엽 ,  윤형섭 ,  강동민 ,  홍주연 ,  이경호

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/027

公开(公告)号：KR100592765B1

公开(公告)日：2006-06-26

申请号：KR1020040099904

申请日：2004-12-01

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 심재엽 ,  강동민 ,  홍주연 ,  이진희 ,  윤형섭 ,  이경호

IPC: H01L21/336

Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 티형 게이트 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상부의 소정 영역이 노출되도록 제1 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 노출된 상기 기판의 일부분이 노출되도록 상기 노출된 기판 및 상기 제1 감광막 패턴 상에 제2 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 결과물의 전체 상부면에 소정 두께의 금속층을 형성하는 단계와, 상기 제1,2 감광막 패턴 및 상기 제2 감광막 패턴의 상부에 형성된 금속층을 제거하는 단계를 포함함으로써, 종래의 티형 게이트 전극 형성 방법보다 간단한 공정을 통한 공정단가 절감과 공정 시간의 단축으로 생산성을 크게 증대시킬 수 있으며, 종래의 티형 게이트 전극 형성 방법보다 게이트 길이를 작게 할 수 있으므로 고주파 특성을 월등하게 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
고전자 이동도 트랜지스터(HEMT), 티형 게이트, 전자빔 리소그라피, 광 리소그라피, 화합물 반도체

公开(公告)号：KR1020060058564A

公开(公告)日：2006-05-30

申请号：KR1020040097648

申请日：2004-11-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 강동민 ,  홍주연 ,  심재엽 ,  이진희 ,  윤형섭 ,  이경호

IPC: H03B19/00

Abstract: 본 발명은 밀리미터파 대역의 고주파(RF) 시스템에 적용되는 주파수 체배기에 관한 것으로, 입력정합회로에 RC 병렬회로를 적용하여 높은 주파수 대역에서의 안정도 특성을 향상시키며, 게이트 바이어스 공급부의 저항값을 조절하여 낮은 주파수 대역에서의 안정도 특성을 향상시킨다. 또한, 출력정합회로의 출력단에 레이디얼-스터브(radial-stub)를 병렬로 연결하여 체배된 제 2 고조파(harmonic frequency)인 출력주파수(2fo)에 대해 입력주파수(fo)를 30dBc 이하로 억압시킨다. 밀리미터파 대역의 고주파(RF) 시스템에서 발진 주파수의 한계를 극복할 수 있으며, 77GHz 대역의 자동차 충돌 방지 레이다 시스템에 적용이 가능하다.
밀리미터파, 주파수 체배기, 정합회로, 병렬회로, 억압 특성