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公开(公告)号：KR100198426B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019960049492
申请日：1996-10-29
IPC: H01L21/465
Abstract: 본 발명은 광도파로 구조의 반도체 소자와 플랫-엔드(flat-end) 단일모드의 광섬유를 접속하는 반도체 소자의 테이퍼형(tapered) 광도파로 제작방법에 관한 것이다. 그 목적은 일반적인 광도파로 구조의 반도체 소자와 플랫-엔드(flat-end) 단일모드의 광섬유를 접속할 때에 단일모드 광섬유와 광도파로 소자 사이의 광모드 크기의 차이에 기인한 삽입손실을 줄이는 데에 있다. 그 방법은 테이퍼형 광도파로가 집적된 광소자를 제작하기 위해 광도파로층과 접속하기 위한 반도체 레이저층이 형성되고 그 위에 클래딩층과 접속하기 위한 반도체층이 형성된 반도체 기판에 반도체 기판 위에 스페이서층을 형성하고, 스페이서층 위에 절연박막을 형성하고, 절연박막 위에 습식에칭과 건식에칭을 수행하여 절연박막이 브리지 형태로 형성되도록 하여 트렌치를 형성하고, 트렌치와 절연박막으로 된 브리지를 갖는 기판을 이용하여 유기금속 기상증착법으로 광도파로층을 성장시키고, 트렌치의 밑바닥에 광도파로 방향을 따라 성장두께가 상이한 광도파로를 성장시킨다.
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公开(公告)号：KR1019990033424A
公开(公告)日：1999-05-15
申请号：KR1019970054781
申请日：1997-10-24
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 (1)을 갖는 에티닐기를 갖는 불소 치환 폴리아릴렌 에테르계 고분자, 그의 제조방법 및 이를 사용하여 통상의 방법으로 광도파로형 광소자를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 상기 고분자는 주쇄 구조에서의 높은 불소 치환으로 분자 진동에 의한 물질 고유의 광통신 영역에서의 광흡수를 배제할 수 있으므로 고분자 광소자의 가장 큰 문제점인 광진행 손실을 크게 낮출 수 있다. 또한 고분자 말단에 열경화성 에티닐기가 도입됨으로 인해 고분자 매트릭스의 열가교를 통한 내화학성이 향상되어 다층 박막 공정이 가능하며, 500℃ 이상에서도 열적으로 분해 및 승화되지 않는 열안정성이 뛰어난 우수한 광도파로형 광소자를 제조할 수 있다.
(화학식 1)-
公开(公告)号：KR100155509B1
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019940032105
申请日：1994-11-30
IPC: H01L31/00
CPC classification number: H01L31/1844 , G02B6/136 , G02B2006/12176 , G02B2006/12178 , H01L25/167 , H01L2924/0002 , H01S5/02 , H01S5/1028 , Y02E10/544 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명은 여러 광소자들과 광도파로를 단일 칩으로 집적시킨 광집적소자를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 특히 광도파로와 광증폭기등과 같은 능동 광소자를 단일 칩으로 집적화시킴에 있어서, 간단한 공정으로 전류집속과 광접속 효율을 동시에 극대화시킬 수 있는 광집적 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
RIE 식각등의 건식식각법을 이용하여 광증폭기등과 같은 능동 소자를 구성하는 층이 성장되어진 InP웨이퍼를 (001)면의 수직인 면으로 식각한 후에 도파로의 코아층 및 클래드층을 MOCVD에 의한 2차 결정 성장 공정을 이용하여 광접속 효율을 높이는 제작 방법이다.-
公开(公告)号：KR1019980050451A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960069274
申请日：1996-12-20
IPC: H01S3/00
Abstract: 광통신에 사용되는 반도체 레이저 및 반도체 스위치 등과 같이 소자의 입출력단의 광도파로와 광섬유 사이의 연결 부위가 많은 소자에 있어서, 결합부의 광 결합효율을 높이는 것은 매우 중요한 기술이다.
본 발명은 선택적 식각법을 이용하여 점차 가늘어지는 도파로를 만드는 방법에 관한 것이다. 특히 선택적 식각시에 식각마스크의 폭을 서서히 좁혀 주고 실제 마스크 폭 보다 더 좁은 형상이 구현되도록 일정정도 과도한 식각을 수행함으로써 도파로의 폭과 두께를 동시에 가늘어지도록 만들 수 있기 때문에 넓은 면적에 균일하게 적용할 수 있을 뿐만아니라 재현성 및 경제성 측면에서의 문제점도 해결할 수 있는 방법이다.-
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100377186B1
公开(公告)日：2003-03-28
申请号：KR1019990031781
申请日：1999-08-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/10
Abstract: PURPOSE: A fabrication method of polymer arrayed waveguide wavelength multiplexing/demultiplexing optical element is provided to be simplify in its process by using polymer material and utilize a silicon nitride thin film as a dry etching mask, thereby reducing the insertion loss and cross talk rate of the elements. CONSTITUTION: A polymer waveguide lower clad layer(22) and a polymer waveguide core layer(24) are sequentially coated on a semiconductor substrate(20). Then, an insulation film pattern for an etching mask is formed on the resultant. Next, a portion of the polymer core layer(24) is etched to form a polymer waveguide pattern by using the insulation film pattern as a dry etching mask. Finally, a polymer waveguide upper clad layer(28) is formed on the resultant(20).
Abstract translation: 目的：提供一种聚合物阵列波导波长多路复用/多路分离光学元件的制造方法，通过使用聚合物材料并利用氮化硅薄膜作为干法蚀刻掩模来简化其工艺过程，从而降低了插入损耗和串扰率 要素。 构成：聚合物波导下包覆层（22）和聚合物波导芯层（24）依次涂覆在半导体衬底（20）上。 然后，在所得物上形成用于蚀刻掩模的绝缘膜图案。 接下来，通过使用绝缘膜图案作为干法蚀刻掩模来蚀刻聚合物芯层（24）的一部分以形成聚合物波导图案。 最后，在合成物（20）上形成聚合物波导上包覆层（28）。
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27.发明授权
公开(公告)号：KR100346780B1
公开(公告)日：2002-08-01
申请号：KR1019990029628
申请日：1999-07-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/28
Abstract: 본발명은 GaAs 기판을이용한 InGaAs 광검출기가단일기판상에집적된구조의폴리머도파로열격자파장분할광소자및 그제작방법에관한것이다. 본발명에따른 GaAs 기판을사용한광검출기가집적된폴리머도파로열격자파장분할광소자는 1xN, Nx1 또는 NxN으로구성된입출력도파로와, 상기입력도파로를통해들어온광신호를분산시키는입력평판도파로와, 상기분산된광신호들이집속되는출력평판도파로와, 상기두 개의평판도파로사이에정렬되어신호를전달하는도파로열격자와, 상기출력도파로에집적되어상기출력도파로에서분리된각각의파장신호의광세기를검출하는광검출기를구비한다. 그리고, 본발명에서제안된 GaAs 기판을이용한폴리머도파로열격자파장분할광소자를제작하면 InGaAs 광검출기를폴리머도파로열격자파장분할광소자의출력단도파로부위에집적시킬수가있고, 폴리머광소자의잔류열응력을 Si 기판을사용하는경우에비해저감시킬수가있어, 편광의존성등의소자의성능이향상된다.
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公开(公告)号：KR100299662B1
公开(公告)日：2001-10-27
申请号：KR1019980036776
申请日：1998-09-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B10/00 , H04B10/2581
Abstract: 본 발명은 파장분할 다중화(WDM) 방법을 이용한 광통신 시스템에서 필요한 광소자의 일종인 열광학 가변 파장 필터 제작방법에 관한 것으로서, 불소 치환된 폴리머 물질을 사용하여 폴리머 광도파로를 형성하고, 상기 광도파로의 유효굴절률을 조절하기 위해 상기 폴리머 광도파로 위에 열광학 가변전극을 형성하고, 열광학 가변전극을 이용하여 반사 광신호의 대역을 변환시키기 위해 상기 광도파로 내에 폴리머 브래그 격자를 집적함으로써, 통과신호의 파장대역폭이 매우 좁고 인접한 광신호와의 누화가 적으며, 열광학 특성을 이용한 파장 가변 특성에 따라 안정성이 높고 넓은 가변 범위를 제공하는 장점이 있으며, 폴리머 광도파로를 이용한 광소자 기술은 향후 저가의 광소자 제작에 매우 적합한 기술로서 경제성 및 시장성면에서 잇점을 가질 수 � ��는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR100270320B1
公开(公告)日：2000-10-16
申请号：KR1019970070566
申请日：1997-12-19
IPC: G02B5/18
Abstract: PURPOSE: A wavelength division optical waveguide device is provided to have a smaller size and a smaller insertion loss than a wavelength division optical waveguide using a conventional curved optical waveguide column lattice. CONSTITUTION: A wavelength division optical waveguide device includes an input flat waveguide(12), an output flat waveguide(13), and a plurality of waveguide columns aligned between the input flat waveguide and the output flat waveguide for transmitting optical signals(17). The plurality of waveguide columns each includes the first total reflection waveguide etch face(16) for totally reflecting the optical signals(17) inputted from the input flat waveguide(12) to a straight waveguide, the straight waveguide, and the second total reflection waveguide etch face(16) for totally reflecting the optical signals(17) inputted from the straight waveguide to transmit them to the output flat waveguide(13).
Abstract translation: 目的：使用传统的弯曲光波导列栅格，波长分割光波导器件具有比使用波分分离光波导的更小的尺寸和更小的插入损耗。 构成：波长分割光波导器件包括输入平面波导（12），输出平面波导（13）和排列在输入平坦波导和输出平坦波导之间的多个波导管，用于传输光信号（17）。 多个波导管柱每个包括第一全反射波导蚀刻面（16），用于将从输入平坦波导（12）输入的光信号（17）全反射到直波导，直波导和第二全反射波导 蚀刻面（16），用于全反射从直波导输入的光信号（17），以将它们传输到输出平坦波导（13）。
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公开(公告)号：KR100265861B1
公开(公告)日：2000-09-15
申请号：KR1019960069763
申请日：1996-12-21
IPC: H01L21/467
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a gradually tapered waveguide is to increase an optical coupling efficiency with an optical fiber by improving the structure of a waveguide of input/output terminal of an optical waveguide device. CONSTITUTION: A waveguide layer(62) is formed on a substrate(61), and a clad layer(61a) is formed on the waveguide layer. The first etching mask with a width of an opening being gradually increased is formed on the clad layer. The clad layer and waveguide layer are etched through a reactive ion etching process to form a waveguide layer with a thickness thereof gradually decreased. The clad layer and the waveguide layer are etched using the second etching mask to form the waveguide layer in a shape of arrowhead. The width of the opening of the first etching mask is gradually increased from 4 micro meters to 10 micrometers. Material of the first and second masks is SiNx.
Abstract translation: 目的：制造逐渐变细的波导的方法是通过改善光波导器件的输入/输出端子的波导的结构来提高光纤的光耦合效率。 构成：在基板（61）上形成波导层（62），在波导层上形成包覆层（61a）。 在包覆层上形成具有逐渐增加的开口宽度的第一蚀刻掩模。 通过反应离子蚀刻工艺蚀刻包覆层和波导层以形成其厚度逐渐减小的波导层。 使用第二蚀刻掩模蚀刻包覆层和波导层，以形成箭头形状的波导层。 第一蚀刻掩模的开口宽度从4微米逐渐增加到10微米。 第一和第二掩模的材料是SiNx。
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