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公开(公告)号：KR1019990024974A
公开(公告)日：1999-04-06
申请号：KR1019970046379
申请日：1997-09-09
Abstract: 본 발명은 열 적으로 안정한 전기 광학적 성질을 가지며, 폴리아믹산을 거치지 않고 직접 이미드화되는 방법을 도입하여 용해도가 좋고, 광전송 손실이 아주 낮은 비선형 광학 물질을 함유하는 폴리이미드 화합물 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 폴리이미드 화합물을 하기 화학식 4에 나타냈다.
[화학식 4]
상기 화학식 4에서,
n 은 중합도로서, 10∼100 범위의 자연수이고,
X 는 SO
2 , CO, C(CF
3 )
2 , O 또는 Si(CH
3 )
2 이고,
NLO 는 DANS(4-[N-(2-알킬옥시)아미노]-4'-니트로스틸벤) 유도체,
DASS(4-[N-(2-알킬옥시)술포닐]-4'-(N,N'-디알킬아미노)스틸벤 유도체,
또는 디스퍼스 레드 1이다.-
公开(公告)号：KR100164100B1
公开(公告)日：1999-01-15
申请号：KR1019940030626
申请日：1994-11-21
IPC: C08F228/00
Abstract: 본 발명은 열적으로 안정한 광소자용 유기 광전자 화합물 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 OH기가 설폰기 말단에 부착된 다이알킬아미노 알킬설폰 스틸벤과 메타크릴로일크롤라이드를 반응시켜 단량체를 제조하고, 상기 단량체와 메틸메타아크릴레이트를 공중합시켜 제조된 일반식(I)로 표현되는 열적으로 안정한 광소자용 유기 광전자 화합물에 관한 것이다.
상기 일반식(I)에서, x 대 y의 비가 0.1 내지 0.7이고, n은 2 내지 20인 정수이며, R
1 및 R
2 는 서로 같거나 다른 것으로 탄소수가 1 내지 20인 알킬기, 알켄기 또는 알킨기, 페닐기, 알킬기가 치환된 페닐, 나프탈렌기, 또는 알킬기가 치환된 나프탈렌기이다.-
公开(公告)号：KR100150530B1
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019950052147
申请日：1995-12-19
IPC: G02F1/00
Abstract: 본 발명은 커 계수를 측정할 배향된 고분자 박막의 양 면에 위치한 전극(11, 12); 커 계수 측정에 사용될 소정의 직류 전압(V
dc ) 및 변조 전압(V
m )을 발생시켜, 이들을 믹싱한 측정 전원을 상기 전극에 인가하는 측정 전원 인가 수단(8 내지 10); 레이저를 사용하여, 상기 측정 전원이 양 면에 인가된 배향된 고분자 박막의 일반 및 특수 굴절률(n
0 , n
e )과, 상기 배향된 고분자 박막에 의해 변조된 파형 세기(I
m /I
c )를 측정하는 반사 변조 측정 수단(1 내지 8); 및 상기 반사 변조 측정 수단에 측정된 정보에 따라 커 계수를 계산하는 연산 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 배향된 고분자 박막의 커 계수 측정 시스템 및 그를 이용한 커 계수 측정 방법에 관한 것으로, 커 계수를 간단하고 정확하게 측정할 수 있도록 한 것이다.-
公开(公告)号：KR1019970066617A
公开(公告)日：1997-10-13
申请号：KR1019960007899
申请日：1996-03-22
IPC: G02B5/30
Abstract: 본 발명은 극화시 전기적 횡파(TE) 모드 굴절율은 감소하고 자기적 횡파(TM) 모드 굴절율은 증가하는 비선형 광학 고분자를 클래딩으로 사용하여, 상기 클래딩으로 감싸지는 코아는 극화시 전기적 횡파(TE) 모드 및 자기적 횡파(TM) 모드의 굴절율은 변화가 없는 순수고분자로 사용하는 전기적 횡파(TE) 모드 편광 장치에 관한 것으로, 값싼 고분자를 사용함으로써 제조 단가를 현저히 감소시키며, 순수 고분자를 코아로 사용함으로써 고분자 광소자의 단점인 광전송 손실(Light Propagation Loss)을 현저히 감소시키는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019970048697A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950052147
申请日：1995-12-19
IPC: G02F1/00
Abstract: 본 발명은 커 계수를 측정할 배향된 고분자 박막의 양 면에 위치한 전극(11, 12); 커 계수 측정에 사용될 소정의 직류 전압(V
dc ) 및 변조 전압(V
m )을 발생시켜, 이들을 믹싱한 측정 전원을 상기 전극에 인가하는 측정 전원 인가 수단(8 내지 10); 레이저를 사용하여, 상기 측정 전원이 양 면에 인가된 배향된 고분자 박막의 일반 및 특수 굴절률(n
0 , n
e )과, 상기 배향된 고분자 박막에 의해 변조된 파형 세기(I
m /I
c )를 측정하는 반사 변조 측정 수단(1 내지 8); 및 상기 반사 변조 측정 수단에 측정된 정보에 따라 커 계수를 계산하는 연산 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 배향된 고분자 박막의 커 계수 측정 시스템 및 그를 이용한 커 계수 측정 방법에 관한 것으로, 커 계수를 간단하고 정확하게 측정할 수 있도록 한 것이다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100948901B1
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：KR1020070132742
申请日：2007-12-17
Abstract: 본 발명은 광 크로스톡이 향상된 PLC(Planar Lightwave Circuit)형 디지털 광스위치에 관한 것으로, 방사형 감쇠기의 Y-분기 암(arm)의 직선 광도파로에 테이퍼 구조를 적용하여 광 가둠(optical confinement)이 약해지도록 함으로써, 동일한 온도차에서 광 감쇠가 더욱 효과적으로 발생되어 광 크로스톡이 향상되는 것을 특징으로 한다. 또한, 방사형 감쇠기의 열광학 히터를 상기 Y-분기 암의 직선 광도파로의 중심 상부에서 옆쪽으로 배치하여 입사된 광의 회절 및 방사를 가속화시킴으로써, 추가적인 광 감쇠에 의해 광 크로스톡을 더욱 향상시킬 수 있다.
광스위치, DOS, PLC, 평면광회로, 폴리머, 광 크로스톡, 가변 광감쇠기, VOA-
公开(公告)号：KR1020010016728A
公开(公告)日：2001-03-05
申请号：KR1019990031781
申请日：1999-08-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/10
Abstract: PURPOSE: A fabrication method of polymer arrayed waveguide wavelength multiplexing/demultiplexing optical element is provided to be simplify in its process by using polymer material and utilize a silicon nitride thin film as a dry etching mask, thereby reducing the insertion loss and cross talk rate of the elements. CONSTITUTION: A polymer waveguide lower clad layer(22) and a polymer waveguide core layer(24) are sequentially coated on a semiconductor substrate(20). Then, an insulation film pattern for an etching mask is formed on the resultant. Next, a portion of the polymer core layer(24) is etched to form a polymer waveguide pattern by using the insulation film pattern as a dry etching mask. Finally, a polymer waveguide upper clad layer(28) is formed on the resultant(20).
Abstract translation: 目的：提供聚合物阵列波导复用/解复用光学元件的制造方法，通过使用聚合物材料简化其工艺过程，并利用氮化硅薄膜作为干蚀刻掩模，从而降低插入损耗和串扰率 元素。 构成：聚合物波导下包层（22）和聚合物波导芯层（24）依次涂覆在半导体衬底（20）上。 然后，在所得物上形成用于蚀刻掩模的绝缘膜图案。 接下来，通过使用绝缘膜图案作为干蚀刻掩模来蚀刻聚合物芯层（24）的一部分以形成聚合物波导图案。 最后，在所得的（20）上形成聚合物波导上包层（28）。
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公开(公告)号：KR1020010010639A
公开(公告)日：2001-02-15
申请号：KR1019990029628
申请日：1999-07-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/28
Abstract: PURPOSE: A polymer waveguide grating wavelength division optical device using a GaAs board and a fabrication method thereof are provided to improve the property of the device, and to achieve the integration with the other active device. CONSTITUTION: A n-GaAs lower clad layer(2), an i-lnGaAs absorption layer(3), a p-GaAs upper clad layer(4), and a p-lnGaAs layer(5) are formed on a n-GaAs substrate using a semiconductor thin film deposition equipment for forming an optical detector device. A waveguide of the optical detector device is patterned using an optical etching method. The area around the pattern is coated using a polyimide, thereby limiting the electric property of the optical detector device. A p-ohmic metal layer is formed on the optical detector device, and a n-ohmic metal layer(8) is formed under the optical detector device. A SiNx thin film is deposited on the whole GaAs substrate. A polymer optical waveguide lower clad layer(9), a polymer optical waveguide core layer(10), and a polymer optical waveguide upper clad layer(12) are successively formed using a spin coating method. The polymer material deposited on the optical detector device and the SiNx thin film are removed using a BOE etching solution. A cross section for input and output of a light wave is formed using a cleaving method and a polishing method. In this way, the fabrication of the optical detector device is completed.
Abstract translation: 目的：提供一种使用GaAs板的聚合物波导光栅波长分割光学器件及其制造方法，以提高器件的性能，并实现与其他有源器件的集成。 构成：在n-GaAs上形成n-GaAs下包层（2），i-InGaAs吸收层（3），p-GaAs上覆层（4）和p-InGaAs层（5） 使用用于形成光学检测器装置的半导体薄膜沉积设备的衬底。 使用光学蚀刻方法对光学检测器件的波导进行构图。 使用聚酰亚胺涂覆图案周围的区域，从而限制光学检测器装置的电性能。 在该光学检测器件上形成一个欧姆金属层，在该光学检测器件下方形成一个n-欧姆金属层（8）。 在整个GaAs衬底上沉积SiNx薄膜。 使用旋涂法连续形成聚合物光波导下包层（9），聚合物光波导芯层（10）和聚合物光波导上包层（12）。 使用BOE蚀刻溶液除去沉积在光学检测器件和SiNx薄膜上的聚合物材料。 使用切割方法和抛光方法形成光波的输入和输出的横截面。 以这种方式，完成了光学检测器装置的制造。
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公开(公告)号：KR100226442B1
公开(公告)日：1999-10-15
申请号：KR1019970054781
申请日：1997-10-24
Abstract: 본 발명은 하기 화학식(1)을 갖는 에티닐기를 갖는 불소 치환 폴리아릴렌 에테르계 고분자, 그의 제조방법 및 이를 사용하는 통상의 방법으로 광도파로형 광소자를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 상기 고분자는 주쇄 구조에서의 높은 불소 치환으로 분자 진동에 의한 물질 고유의 광통신 영역에서의 광흡수를 배제할 수 있으므로 고분자 광소자의 가장 큰 문제점인 광진행 손실을 크게 낮출 수 있다. 또한 고분자 말단에 열경화성 에티닐기가 도입됨으로 인해 고분자 매트릭스의 열가교를 통한 내화학성이 향상되어 다층 박막 공정이 가능하며, 500℃ 이상에서도 열적으로 분해 및 승화되지 않는 열안정성이 뛰어난 우수한 광도파로형 광소자를 제조할 수 있다.
(화학식 1)-
公开(公告)号：KR100226441B1
公开(公告)日：1999-10-15
申请号：KR1019970046379
申请日：1997-09-09
Abstract: 본 발명은 열 적으로 안정한 전기 광학적 성질을 가지며, 폴리아믹산을 거치지 않고 직접 이미드화되는 방법을 도입하여 용해도가 좋고, 광전송 손실이 아주 낮은 비선형 광학 물질을 함유하는 폴리이미드 화합물 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 폴리이미드 화합물을 하기 화학식 4에 나타냈다.
[화학식 4]
상기 화학식 4에서,
n 은 중합도로서, 10∼100 범위의 자연수이고,
X 는 SO
2 , CO, C(CF
3 )
2 , O 또는 Si(CH
3 )
2 이고,
NLO 는 DANS(4-[N-(2-알킬옥시)아미노]-4'-니트로스틸벤) 유도체,
DASS(4-[N-(2-알킬옥시)술포닐]-4'-(N,N'-디알킬아미노)스틸벤 유도체,
또는 디스퍼스 레드 1이다.
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