Abstract:
PURPOSE: A high speed flip-flop circuit and a configuration method thereof are provided to use a GaAs compound semiconductor process, thereby integrating a flip-flop with a microwave integrated circuit. CONSTITUTION: A flip flop includes an input transistor unit(110), a first RS latch(120), a middle transistor unit(130), and a second RS latch(140). The input transistor unit comprises a first transistor(111) and a second transistor(112). The first RS latch generates two outputs by receiving two signals. The first RS latch receives two outputs of an input transistor unit through a set port and a reset port. The first RS latch provides two outputs to two input terminals of the middle transistor unit through an output port and an inversion output port. The middle transistor unit includes a third transistor(131) and a fourth transistor(132). The second RS latch generates two outputs by receiving two signals.
Abstract:
1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야 본 발명은 박막저항의 저항값 보정 기능을 가진 50오옴 단락 장치 및 그를 이용한 무선주파수 회로용 가변 저항 장치에 관한 것임. 2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제 본 발명은 박막저항의 특성상 얇은 평면구조 때문에 공정에 의해 필연적으로 발생하는 박막저항값의 오차를 줄이기 위해서 박막저항 공정 중에 추가적인 공정없이 와이어 본딩의 연결 상태에 따라 저항값이 결정되어 오차 값을 보상할 수 있는 50ohm 단락 장치와 간단한 구조의 박막저항 회로를 이용하여 수백 가지의 저항값을 본딩의 연결 상태에 따라 변화시킬 수 있는 RF 회로용 가변저항 장치를 제공하는데 그 목적이 있음. 3. 발명의 해결방법의 요지 본 발명은 박막저항의 저항값 보정 기능을 가진 50오옴 단락 장치에 있어서, 접지와 연결하여 소정값의 저항을 배치하여 제1 노드와 연결하고, 상기 제1 노드와 직렬로 소정값의 저항을, 병렬로 소정값의 저항 2개를 배치하고, 상기 병렬 연결된 저항 2개 각각의 끝 부분에 차후 상호 연결을 위한 제1 패드를 배치하며, 상기 직렬 연결된 소정값의 저항 끝 부분의 제2 노드에서 상기 제1 노드와 마찬가지로 직렬 저항과 병렬 저항 2개를 배치하고, 각각의 끝 부분을 제2 패드로 구성되는 것을 특징으로 함. 4. 발명의 중요한 용도 본 발명은 고주파 통신 부품 등에 이용됨. 50ohm 단락, 박막저항, 와이어 본딩, 가변 저항
Abstract:
A digital attenuating device having a super wideband characteristic and an excellent attenuation characteristic is provided to newly insert transmission lines to an existing switched T attenuator structure, and to optimize circuit integers, then to optimize resistance values of attenuation resistance elements to realize super wideband operating frequency bands, consequently excellent attenuation accuracy is implemented. An RF(Radio Frequency) input unit(16) inputs an RF signal. The first transmission unit(21) interfaces input in connection with the input end(16) in serial. The second transmission unit(22) is serially connected with the first transmission unit(21). The first switching unit(14) is switched by being controlled according to the second power(26) from the outside. The third transmission unit(23) interfaces output in connection with the first switching unit(14) in serial. The first resistance element(11) is connected to the first transmission unit(21). The second resistance element(12) is connected to the third transmission unit(23). The fourth transmission unit(24) is connected to the first and second resistance elements(11,12). The second switching unit(15) is switched by being controlled according to control power from the outside, which operates in opposition to the second power(26). The fifth transmission unit(25) is serially connected to the second switching unit(15). The third resistance element(13) is serially connected to the fifth transmission unit(25), and is shorted by a ground.
Abstract:
본 발명은 전압제어형 감쇄기의 고유 특성인 온도에 따른 감쇄량 변화와 제어전압에 대한 비선형 감쇄특성을 보상하여 RF(Radio Frequency) 송수신기를 온도변화에 대하여 안정화 하고 넓은 영역에서 선형적으로 이득을 제어하기 위한 기술에 관한 것이다. 본 발명은 증폭된 RF 신호의 출력을 조절하는 전압제어 감쇄기를 갖는 RF 송수신기의 온도보상 장치로서, 입력되는 제어비트 신호에 의해 감쇄량 설정 전압을 발생시키는 감쇄량 설정부, 온도에 따라 변화하는 기준전압을 발생시키는 기준전압 발생부와, 상기 감쇄량 설정 전압과 상기 기준전압의 차에 비례하는 제어전압을 출력하여 상기 전압제어 감쇄기에 제공하는 차동증폭부로 이루어진다. 본 발명에 따르면, RF 송수신기의 동작 시, 온도변화에 대하여 안정적인 이득과 전력을 제공할 수 있을 뿐만 아니라, 선형적 이득과 전력 제어 시 감쇄기의 감쇄량이 작은 영역에서부터 사용할 수 있으므로 고성능, 저전력의 RF 송수신기를 구현할 수 있다. RF 송수신기, 온도 보상, 선형 이득
Abstract:
본 발명은 감쇠량에 관계 없이 항상 정합을 이루며, 넓은 감쇠 범위를 갖는 고주파 가변 감쇠기 회로를 제공하기 위한 것으로, 이를 위한 본 발명으로 고주파 신호를 입력하기 위한 입력단자; 고주파 신호를 출력하기 위한 출력단자; 제어전압을 인가하기 위한 제어전압 공급수단; 상기 제어전압에 응답하여 입력단의 임피던스를 정합시키기 위한 입력단 정합수단; 상기 제어전압에 응답하여 출력단의 임피던스를 정합시키기 위한 출력단 정합수단; 및 상기 입력단자로 인가된 고주파 신호를 상기 제어전압에 따라 조절된 감쇠량으로 감쇠시켜 상기 출력단자로 출력시키되, 병렬 커패시턴스의 효과를 공진시키기 위하여 상호 병렬 연결된 핀 다이오드와 공진 인덕터를 구비하는 감쇠수단을 구비하는 고주파 가변 감쇠기를 제공한다. 고주파, 감쇠, 공진, 인덕턴스, 반사손실
Abstract:
고속 플립플롭 회로 및 그 구성 방법이 개시된다. 적은 개수의 트랜지스터를 사용하여 플립플롭을 구성함으로써 플립플롭의 고속 동작이 가능하다. 또한 플립플롭 회로의 면적을 줄일 수 있으며 소모 전력을 줄일 수 있다. 따라서 GaAs 화합물 반도체 공정을 사용하여 플립플롭을 초고주파 집적회로와 함께 집적할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 초광대역 시스템 온 패키지에 관한 것이다. 본 발명의 시스템 온 패키지는, 패키지 본체, 패키지 본체에 실장되는 제 1 집적회로, 제 1 집적회로와 연결되는 제 1 신호전달수단, 제 1 신호전달수단과 연결되며, 슬랩(slap) 선로 및 트로프(trough) 선로로 구성되는 신호 비아 및 신호 비아와 연결되는 제 2 신호전달수단을 포함한다. 본 발명에 의하면 외부 회로와의 신호 전송 과정에서 일어나는 수직 천이(vertical transition)시에 나타나는 신호의 불연속을 최소화하여 초고주파 신호와 고속 대용량 신호의 전송이 가능한 시스템 온 패키지를 제조할 수 있는 효과가 있다. 초광대역, 시스템 온 패키지(System on Package), 집적회로, 슬랩(slap) 선로, 트로프(trough) 선로, SMCPW (Shielded Multilayer CoPlanar Waveguide) 선로, GCPW(Grounded CoPlanar Waveguide) 선로
Abstract:
PURPOSE: A device for transceiving a signal and a method for controlling the same are provided to reduce caloric value of a multifunctional chip by preventing unnecessary power waste. CONSTITUTION: A serial/parallel converter(412) converts a serial signal for amplifying, phase-transiting, and variable-reducing a first switch and a transceiving common path unit. The serial/ parallel converter provides the converted parallel signal to each element of the first switch and the transceiving common unit. A diving amplifier(410) amplifies a signal which is provided to an antenna. A second switch supplies or blocks the power of the driving amplifier. A bias circuit(411) controls a second switch to supply the power only when transmitting a signal to the driving amplifier.
Abstract:
PURPOSE: A high precision low phase variation digital attenuator is provided to implement a 6-bit digital attenuator with an attenuation error of 0.4 dB or less, an attenuation resolution of 0.5 dB, and an attenuation operation range of 31.5 dB. CONSTITUTION: A first switching device is connected between an RF signal input terminal and an RF signal output terminal in parallel. A first transmission line is connected in parallel to the RF signal input terminal. A resistive element is serially connected to the first transmission line. A second transmission line is connected in parallel to the RF signal output terminal. A second switching device is connected between the first transmission line and the second transmission line in parallel.