公开(公告)号：KR101329030B1

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：KR1020100095938

申请日：2010-10-01

Applicant: 한국화학연구원 ,  주식회사 실리콘밸류

Inventor： 박용기 ,  윤경구 ,  구명회 ,  정윤섭 ,  김근호 ,  윤여균 ,  김진성

IPC: B01J8/18 ,  C01B33/027

CPC classification number: B01J8/1872 ,  B01J8/1836 ,  B01J19/02 ,  B01J2208/00398 ,  B01J2208/00415 ,  B01J2208/00495 ,  B01J2208/00902 ,  B01J2208/00991 ,  B01J2219/00247 ,  B01J2219/00252 ,  B01J2219/0209 ,  B01J2219/0218 ,  B01J2219/0227 ,  C01B33/027

Abstract: 본 발명의 유동층 반응기는 헤드, 상기 헤드의 아래에 위치하여 상기 헤드와 연결되고 제1 반응관이 삽입되는 제1 몸체부, 상기 제1 몸체부의 아래에 위치하여 상기 제1 몸체부와 연결되고 제2 반응관이 삽입되는 제2 몸체부 및 상기 제2 몸체부의 아래에 위치하여 상기 제2 몸체부와 연결되며 유동가스공급노즐, 반응가스공급노즐, 히터 및 전극이 조립되는 저면부를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020130114353A

公开(公告)日：2013-10-18

申请号：KR1020120036625

申请日：2012-04-09

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 문상진 ,  소원욱 ,  박동순 ,  구명회 ,  이운복

IPC: C30B15/10 ,  C30B11/00 ,  C30B29/06 ,  H01L31/042

CPC classification number: Y02E10/50 ,  C30B15/10 ,  C30B11/002 ,  C30B29/06 ,  H01L31/042

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a crucible protecting layer is provided to improve the quality of a silicon ingot by using a mixture of water and silicon nitride. CONSTITUTION: An aqueous dispersant is coated on the inner surface of a crucible and is made of water and silicon nitride. The crucible is thermally processed at 900 to 1350 degrees centigrade. A protection layer is formed by a thermal process and is made of the silicon nitride.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造坩埚保护层的方法，以通过使用水和氮化硅的混合物来改善硅锭的质量。 构成：将水性分散剂涂覆在坩埚的内表面上，并由水和氮化硅制成。 坩埚在900至1350摄氏度下热处理。 保护层由热处理形成，由氮化硅制成。

公开(公告)号：KR1020130020082A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：KR1020110082476

申请日：2011-08-18

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 문상진 ,  소원욱 ,  박동순 ,  구명회

IPC: C30B28/06 ,  C30B11/00 ,  H01L31/04 ,  H01L21/02

CPC classification number: C30B11/003 ,  B29C39/38 ,  B29C39/44 ,  C30B11/006 ,  C30B29/06 ,  C30B29/20 ,  C30B29/40 ,  Y10T117/1092

Abstract: PURPOSE: An apparatus for manufacturing semiconductor or metal oxide ingot are provided to manufacture high quality ingot by performing liquid to solid phase transition on semiconductor or a metal oxide material. CONSTITUTION: A crucible(200) accommodates semiconductor or a metal oxide material. A cooling device(400) and a first heater(310) are separated from the crucible. An insulating member is placed between the crucible and the cooling device. A moving unit changes the position of the insulating member.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体或金属氧化物晶锭的装置，通过在半导体或金属氧化物材料上进行液相至固相转变来制造高质量的锭料。 构成：坩埚（200）容纳半导体或金属氧化物材料。 冷却装置（400）和第一加热器（310）与坩埚分离。 在坩埚和冷却装置之间放置绝缘构件。 移动单元改变绝缘构件的位置。