-
公开(公告)号：KR102224071B1
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：KR1020190133662A
申请日：2019-10-25
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C08L33/16 , C08J5/18 , C08J5/20 , C08L27/16 , C09D133/16
CPC classification number: C08L33/16 , C08J5/18 , C08J5/20 , C08L27/16 , C09D133/16
Abstract: 불소계 고분자를 포함하는 불소계 고분자 용액; 및 상기 불소계 고분자 용액에 분산된 폴리비닐리덴 플루오라이드 나노입자;를 포함하는 고분자 복합막 형성용 조성물이 개시된다.
-
公开(公告)号：WO2022215847A1
公开(公告)日：2022-10-13
申请号：PCT/KR2022/001798
申请日：2022-02-07
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C08F220/22 , C08F220/28 , C08F220/06 , C08L33/16 , C08K5/29 , C09D133/16 , C09D5/16
Abstract: 본 발명의 목적은 표면에너지가 낮은 불소계 고분자, 이를 포함하는 불소계 고분자 조성물, 이를 포함하는 불소계 고분자막, 및 이들의 제조방법을 제공하는데 있다. 본 발명은 아크릴레이트계 공중합체 고분자를 제공하되, 특히 반복단위의 불화탄소수를 3 내지 5개로 한정하는 것을 구성의 특징으로 하고, 이를 통하여 고분자 및 이를 통하여 제조되는 고분자막의 표면 에너지가 현저히 낮아지는 효과가 있다. 또한, 본 발명의 고분자는 유리 등에 코팅되었을 때, 광투과도를 현저하게 개선하는 효과가 있고, 기계적 강도가 우수한 효과가 있다.
-
公开(公告)号：WO2022025575A1
公开(公告)日：2022-02-03
申请号：PCT/KR2021/009664
申请日：2021-07-26
Abstract: 본 발명은 (A) 불화 금속의 존재 하에 화학식 1로 표시되는 화합물로부터 퍼플루오로디알킬에테르를 제조하는 단계; 및 (B) 상기 퍼플루오로디알킬에테르를 분리하는 단계;를 포함하는 것인 퍼플루오로디알킬에테르의 제조 방법, 및 불화 금속의 존재 하에 화학식 1로 표시되는 화합물로부터 퍼플루오로디알킬에테르를 제조하기 위한 반응부; 상기 반응부에 화학식 1로 표시되는 화합물을 투입하기 위한 반응물 공급부; 및 상기 퍼플루오로디알킬에테르를 상기 반응부의 상부로부터 배출하기 위한 배출부;를 포함하는 것인 퍼플루오로디알킬에테르의 제조 장치에 관한 것이다.
-
公开(公告)号：WO2021172831A1
公开(公告)日：2021-09-02
申请号：PCT/KR2021/002198
申请日：2021-02-22
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C08F14/22 , C08F2/01 , C08F2/00 , C08F2/24 , C08F2/56 , C08F6/00 , C08F6/16 , C08F6/18 , C08F6/12 , B01J19/18
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따르면, 기체 상태의 단량체, 계면활성제, 및 개시제를 공급하는 반응물 공급 단계; 상기 단량체, 상기 계면활성제, 및 상기 개시제가 참여하는 중합 반응을 수행하는 중합 반응 단계; 및 상기 중합 반응에 의해 생성된 고분자 화합물을 배출하는 생성물 배출 단계를 포함하고, 공급된 상기 개시제의 유량은 상기 고분자 화합물의 분자량과 반비례하고, 상기 개시제의 유량을 제어하여 상기 중합 반응에 의해 생성된 고분자 화합물의 분자량을 조절하는, 분자량 조절 고분자 중합 공정이 제공된다.
-
公开(公告)号：WO2023003214A1
公开(公告)日：2023-01-26
申请号：PCT/KR2022/009579
申请日：2022-07-04
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C08F220/22 , C08F220/06 , C08F220/28 , C08L33/16 , C08K5/29 , C09D133/16 , C09D5/16
Abstract: 본 발명의 일 측면에서의 목적은 1.8 미만의 현저히 낮은 유전율을 나타내는 불소계 고분자 및 이를 포함하는 불소계 고분자 조성물을 제공하는 데 있다. 본 발명의 일 측면에서 제공되는 불소계 고분자 매우 낮은 유전율을 나타내며, 유해물질이 발생되지 않는 공해저감형 소재일 뿐만 아니라, 높은 점착성으로 인해서 다양한 분야에서 코팅소재로 활용될 수 있다. 나아가, 이를 소재로 적용한 고분자막은 체적저항이 약 5.8 × 1015 Ohmcm로 절연재로로써 우수한 저항값을 나타낸다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2020105826A1
公开(公告)日：2020-05-28
申请号：PCT/KR2019/006582
申请日：2019-05-31
Applicant: 한국화학연구원 , 에스케이머티리얼즈 주식회사
IPC: C01B21/084
Abstract: 반응촉매 하에 삼불화질소(nitrogen trifluoride) 및 아산화질소(nitrous oxide)를 반응시켜 중간 생성물을 제조하는 단계; 및 상기 중간 생성물을 불화 나트륨(sodium fluoride)과 100 mmHg 이하의 진공 조건에서 반응시켜 산화 삼불화아민(trifluoroamine oxide)을 제조하는 단계;를 포함하는 산화 삼불화아민의 제조방법이 개시된다.
-
7.发明申请짧은 불화 알킬기를 가지는 하이브리드형 폴리비닐리덴 플루오라이드 나노 입자 제조용 계면활성제, 이를 사용한 폴리비닐리덴 플루오라이드 나노 입자의 제조 방법 및 이에 따라 제조되는 폴리비닐리덴 플루오라이드 나노 입자 审中-公开用于制备表面活性剂混合型聚偏氟乙烯的纳米颗粒，用这种方法制备聚偏氟乙烯的纳米颗粒和根据具有短氟化物的烷基由此制备的聚偏氟乙烯的纳米颗粒
公开(公告)号：WO2018030605A1
公开(公告)日：2018-02-15
申请号：PCT/KR2017/002077
申请日：2017-02-24
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 짧은 불화 알킬기를 가지는 하이브리드형 폴리비닐리덴 플루오라이드 나노 입자 제조용 계면활성제, 이를 이용한 폴리비닐리덴 플루오라이드 나노 입자의 제조 방법 및 이에 따라 제조되는 폴리비닐리덴 플루오라이드 나노 입자에 관한 것이다.
Abstract translation:
本发明是一种用于制备表面活性剂的混合型聚偏氟乙烯的纳米颗粒，这是如何制造聚偏氟乙烯的纳米粒子，因此聚偏氟乙烯制备具有短的氟代烷基，根据 去除纳米粒子。
-
公开(公告)号：WO2022086194A1
公开(公告)日：2022-04-28
申请号：PCT/KR2021/014761
申请日：2021-10-20
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 불소계 고분자; 경화제; 및 용제;를 포함하고, 상기 불소계 고분자는 아크릴레이트기, 카르복실기 및 하이드록시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 기능성기를 포함하고, 상기 경화제는 이소시아네이트기를 포함하고, 상기 용제는 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트(Propylene glycol methyl ether acetate, PGMEA) 및 메틸이소부틸케톤(Methyl isobutyl ketone, MIBK)의 혼합 용제인 불소계 고분자 코팅 조성물이 개시된다.
-
公开(公告)号：WO2022080693A1
公开(公告)日：2022-04-21
申请号：PCT/KR2021/012937
申请日：2021-09-23
Applicant: 에스케이머티리얼즈 주식회사 , 한국화학연구원
IPC: C01B21/084 , C01G30/00
Abstract: 산화 삼불화아민의 제조방법이 개시된다. 일 실시예에 따른 산화 삼불화아민의 제조방법은, SbF5 반응촉매 하에 삼불화질소 및 아산화질소를 동시에 투입하여 반응시켜 중간 생성물을 제조하는 단계와, 상기 중간 생성물을 불화 칼륨과 반응시켜 산화 삼불화아민을 제조하는 단계를 포함한다. 중간 생성물을 불화 칼륨과 반응시키는 단계는 대기압 및 상온 하에서 수행된다.
-
公开(公告)号：WO2011136479A2
公开(公告)日：2011-11-03
申请号：PCT/KR2011/002357
申请日：2011-04-05
IPC: H01L31/18 , H01L31/042
CPC classification number: H01L31/182 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B17/00 , C30B28/06 , C30B29/06 , Y02E10/546 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 태양전지용 고 생산성 다결정 실리콘 잉곳 제조 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 진공챔버 내부에서 원료 실리콘을 가열하여 용융시킨 후, 냉각시켜 다결정 실리콘 잉곳을 제조하는 장치에 있어서, 상기 진공챔버 내부에 수평방향으로 상호 이격되도록 배열되며, 원료 실리콘이 각각 담겨져 다결정 실리콘 잉곳이 제조되는 다수의 도가니, 상기 각 도가니를 가열시켜 담겨진 원료 실리콘을 용융시키도록 상기 각 도가니의 외측에 구비되는 히터수단, 및 상기 히터수단에 의해 용융된 실리콘을 한방향으로 냉각시켜 다결정 잉곳으로 성장시키기 위해 상기 도가니를 냉각시키는 냉각수단을 포함하여 이루어진다.
Abstract translation:
然后，本发明涉及一种太阳能电池和生产率的多晶硅锭生产设备，并且更具体地，涉及通过在真空室中加热原料硅，以及用于生产多晶硅锭的冷却装置熔融 的方法，其中，所述被设置为在真空腔室，一更大数目的坩埚，其中包含在每个原料硅制造多晶硅锭内的水平方向上彼此间隔开，各坩埚的外侧熔化通过加热各个坩埚包含在原料硅 以及冷却装置，用于冷却坩埚以便通过利用加热装置冷却沿一个方向熔化的硅来生长多晶锭。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
155
records
(took 0.019 seconds)
