Abstract:
본 발명은 황화수소 광분해용 가시광 금속산화물계 광촉매와, 상기 가시광 촉매를 이용한 황화수소의 광분해반응으로 수소를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 밴드갭 에너지(band gap energy)가 1.7 ∼ 2.9 eV 범위이고, 광에 의한 부식 저항성 및 가시광에 대한 광흡수율이 향상되어 황화수소의 분해능을 가진 신규의 가시광 금속산화물계 광촉매와, 상기 가시광 금속산화물계 광촉매가 가시광하에서 황화수소에 대한 광분해 활성의 우수성을 이용하여 황화수소로부터 청정에너지원인 수소를 직접 생산하는 새로운 개념의 가시광하에서 황화수소의 광분해하는 방법에 관한 것이다. 금속산화물계 가시광 광촉매, 황화수소, 수소, 광분해
Abstract:
본 발명은 고 친유성 산화마그네슘 나노입자의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 마그네슘 화합물과 염기를 반응하여 침전 및 세척한 다음, 저온 소성하여 산화마그네슘을 제조하고, 상기 제조된 산화마그네슘을 특정의 지방산과 석유계 용제를 이용하여 표면을 캡핑(capping)처리하는 일련의 공정으로, 구형이고, 균일한 나노 입자 크기를 가져 단위 부피 당 차지하는 입자의 표면적이 클 뿐만 아니라 표면처리에 의해 유계 용제내에서 분산성이 종래에 비해 월등히 향상되어, 내열 재료, 고온 절연 및 광학 등의 여러 산업 분야 특히, 연료 첨가제 분야에 매우 유용한 고 친유성 산화마그네슘 나노입자의 제조 방법에 관한 것이다. 저온 소성, 표면처리, 친유성, 산화마그네슘 나노입자
Abstract:
본 발명은 인듐 포스파이드(InP) 나노입자 양자점의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 질소 함유 유기화합물의 반응 용매하에서 금속나트륨(Na)과 백린(P)을 반응시켜 제조한 인화 나트륨(Na 3 P) 콜로이드 용액과, 인 함유 유기화합물에 용해된 인듐 클로라이드(InCl 3 )와 반응함에 있어, 상기 인 함유 유기화합물이 인듐 클로라이드(InCl 3 )와 반응하여 착체를 형성하고, 반응으로 제조된 인듐 포스파이드(InP)의 나노입자 양자점 콜로이드를 안정화하는 역할을 수행하여, 종래에 비해 공정상의 안전성이 향상될 뿐만 아니라 입자의 크기가 균일하고 결정성이 우수한 신규의 인듐 포스파이드(InP) 나노입자 양자점의 제조 방법에 관한 것이다. 질소 함유 유기화합물, 인화 나트륨 콜로이드 용액, 인 함유 유기화합물, 인듐 클로라이드
Abstract:
본 발명은 인듐 나노입자의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 질소(N)나 인(P) 원소를 함유하는 특정의 유기용매와 특정의 반응온도 조건에서 염화인듐(InCl 3 )과 금속 나트륨(Na)을 반응하여 인듐 나노입자를 제조하는 신규의 방법으로, 종래에 비해 낮은 반응온도에서 보다 경제적으로 순도가 높고, 나노크기를 갖는 인듐 입자의 제조가 가능하여 단전자 트랜지스터, 바이오나노 기술, 나노지로그래피, 인듐포스파이드(InP)의 출발물질 등의 여러 나노기술 분야에 적용 가능한 신규한 인듐 나노입자의 제조방법에 관한 것이다. 염화인듐, 금속 나트륨, 질소(N)나 인(P) 원소를 함유하는 유기용매, 인듐 나노입자
Abstract:
본 발명은 다공성 나노 탄소 구형 지지체에 담지된 Pt/Ru합금 직접메탄올 연료전지용 전극촉매 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 통상의 방법을 통하여 얻어진 다공성 나노 탄소 구형 입자를, 알곤 기류하에서 고온 열처리 한 후 증류수에 분산시키고 초음파처리 후 원심분리하고 100 o C에서 진공건조 하는 것을 특징으로 하며, 본 발명의 방법을 통하여 고온 열처리하여 전도도가 향상된 고 표면적의 다공성 나노 탄소 구형 지지체에 입자크기가 최소화된 Pt/Ru합금 나노입자를 고분산 시켜 성능이 월등히 향상된 신규 직접메탄올 연료전지용 전극촉매를 대량으로 손쉽게 제조할 수 있게 되었다. 다공성, 나노 탄소 구형 지지체, 연료전지, 전극촉매, 백금, 루테늄
Abstract:
본 발명은 물을 광반응으로 분해하는 데에 사용되는 반도체입자가 담지된 금속 설파이드계 광촉매 및 그 제조방법, 그리고 이에 의한 물분해 수소 제조방법 관한 것으로, 이 광촉매는 하기의 일반식 I를 가지는 것을 특징으로 한다. A x /M y M' z S ------------------------------------------ 일반식 I (상기 일반식에서 A는 담지된 반도체입자로서, Si, SiC, TiO 2 중 선택된 1종이며, x는 M y M' z S에 대한 A의 mole비[A x /(M y M' z S)]를 나타낸 것으로 0.5 ∼ 2.0 의 값을 갖는다. M은 Sn, Zn 중 선택된 금속이고, M'은 Co, Mn, Fe, Cu, Ru 중 선택된 금속이다. y는 M/(M+M')의 atom %로 표시된 혼합비를 나타낸 것으로 50.0 ∼ 95.0의 값을 갖는다. z는 M'/(M+M')의 atom %로 표시된 혼합비를 나타낸 것으로 5.0 ∼ 80.0의 값을 갖는다.) 본 발명의 광촉매는 두 종류 이상의 상이한 반도체물질들과 혼합 금속 설파이드계 광촉매과의 접합으로 제조된 새로운 광촉매이며, 가시광선영역에서 물분해 광촉매로서 이상적인 band gap energy 와 band edge position을 가진 신규 반도체 광촉매이다.
Abstract:
PURPOSE: Provided are a rhodium (I) phosphite complex catalyst for a hydroformylation reaction, a method for preparing thereof and a method for selectively preparing an aldehyde by using the same. CONSTITUTION: The method for preparing a rhodium (I) phosphite complex catalyst for a hydroformylation reaction by using supercritical carbon dioxide having an excellent selectivity comprises a step of the following reaction III. The method for selectively preparing an aldehyde through the following reaction IV, which selectively prepares the aldehyde by hydroformylating 1-octene under synthesized gas of CO/H2 by using a metal catalyst, is characterized in that the rhodium phosphite complex catalyst for the hydroformylation reaction is used as the catalyst and a supercritical fluid is used as a reaction solvent.
Abstract translation:目的:提供用于加氢甲酰化反应的铑(I)亚磷酸酯配合物催化剂,其制备方法和使用它们选择性制备醛的方法。 构成:通过使用具有优异选择性的超临界二氧化碳制备用于加氢甲酰化反应的铑(I)亚磷酸酯配合物催化剂的方法包括以下反应III的步骤。 通过以下反应IV选择性制备醛的方法,其通过使用金属催化剂在CO / H 2的合成气体下加氢甲酰化1-辛烯选择性地制备醛,其特征在于用于加氢甲酰化反应的铑亚磷酸酯配合物催化剂为 用作催化剂,使用超临界流体作为反应溶剂。
Abstract:
본 발명은 물을 광반응으로 분해하는 데에 사용되는 CdZnMS계 광촉매 및 그 제조방법, 그리고 이에 의한 수소의 제조방법에 관한 것으로, 이 하기의 일반식 VII를 가지는 것을 특징으로 한다. m(a)/Cd x Zn y M z S ------------------------------------ 일반식 VII (상기 일반식에서 m은 전자받게로서 도핑된 금속을 나타내며 Ni, Pt, Ru 또는 이들의 산화물 중 선택된 1종 이상이며, a는 m의 중량 백분율을 나타내며 0.10 ∼ 5.00의 값을 갖는다. M은 Mo, V, Al, Cs, Ti, Mn, Fe, Pd, Pt, P, Cu, Ag, Ir, Sb, Pb, Ga, Re 중 선택된 금속이고, z는 M/(Cd+Zn+M)의 atom %를 나타낸 것으로 0.05 ∼ 20.00의 값을 갖는다. x, y는 각각 Cd/(Cd+Zn+M)의 atom % 및 Zn/(Cd+Zn+M)의 atom %를 나타낸 것으로 10.00 ∼ 90.00의 값을 갖는다.) 본 발명의 광촉매는 가시광에서 높은 촉매활성을 가진 CdS계 광촉매와 자외광에서 상대적으로 고활성을 내는 ZnS계 촉매의 장점들을 동시에 가져 폭넓은 영역의 광원을 이용할 수 있으며, 종래의 광촉매가 보인 환원제에 대한 제한적인 활성을 획기적으로 해결하였을 뿐만 아니라, 얻어진 촉매의 수명이 매우 길고, 물분해에 의한 수소발생량이 종래의 방법보다 현저히 증가하였다.
Abstract:
본 발명은 물로부터 광반응으로 수소를 제조하는 데에 사용되는 새로운 황화카드뮴(CdS)계 광촉매 및 그 제조방법, 그리고 이를 이용한 수소의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 광촉매는 하기의 화학식 5를 가지는 것을 특징으로 한다. [화학식 5] m(A)/Cd[M(B)]S (상기 일반식에서 m은 전자받게로서 도핑된 금속을 나타내며, Pt, Ru, Ir, Co, Rh, Cu, Pd, Ni 또는 이들의 산화물 중 선택된 1종 이상이고, A는 m의 중량 백분율을 나타내며 0.10∼2.50의 값을 가진다. M은 V, Cr, Al, p 중 선택된 금속이고, B는 M/(M+Cd)의 몰%를 나타낸 것으로 0.05∼20.00의 값을 갖는다.) 본 발명의 광촉매는 여러 가지 도핑(Doping)금속의 도입 및 다양한 조촉매의 활용과 첨가기술에 의하여 종래의 광촉매가 보인 광원에 대한 제한적인 활성을 해결하였을 뿐만 아니라, 광촉매의 제조공정이 종래의 여러 가지 방법과 비교하여 더욱 간단하며, 얻어진 촉매의 수명이 매우 길고, 물로부터의 수소발생량이 종래의 방법보다 증가하였다.
Abstract:
PURPOSE: Production process of sulfide cadmium photocatalyst is provided which simplifies the production process of photocatalyst so that it enables the photocatalyst to show activity in visual light area or sun-ray area. CONSTITUTION: The production process of sulfide cadmium photocatalyst shown in a chemical formula 6 for generating hydrogen comprises the steps of: (i) dissolving a compound including Cd and M wherein M is 0.001-20.00 in water; (ii) adding one kind of reactant selected from H2S or Na2S to the mixture to obtain Cd£M|S precipitate; (iii) washing the precipitate by water and vacuum drying under nitrogen condition at 105-150deg.C warm bath for 1.5-3.0 hours; and (iv) adding liquid m contents to Cd£M|S precipitate to perform doping treatment. In the chemical formula 6, m is an electron receptor and selected from Ni, Pd, Pt, Fe, Ru, Co or oxides thereof and M is a metal selected from V, Cr, Al, P, As, Sb and Pb.
Abstract translation:目的:提供硫化镉光催化剂的生产工艺,简化了光催化剂的生产工艺,使光催化剂能够在视光区域或太阳光区域显示活性。 构成:用于产生氢的化学式6所示的硫化镉光催化剂的生产方法包括以下步骤:(i)将包含Cd和M的化合物(其中M为0.001-20.00)溶于水中; (ii)将一种选自H 2 S或Na 2 S的反应物加入到混合物中以获得沉淀物; (iii)用水洗涤沉淀物,并在氮气条件下在105-150℃温浴下真空干燥1.5-3.0小时; 和(iv)向Cd M M S沉淀添加液体m含量以进行掺杂处理。 在化学式6中,m是电子受体,选自Ni,Pd,Pt,Fe,Ru,Co或其氧化物,M是选自V,Cr,Al,P,As,Sb和Pb的金属。