THERMOLABILE VORLÄUFER-VERBINDUNGEN ZUR VERBESSERUNG DER INTERPARTIKULÄREN KONTAKTSTELLEN UND ZUM AUFFÜLLEN DER ZWISCHENRÄUME IN HALBLEITENDEN METALLOXIDPARTIKELSCHICHTEN
    24.
    发明申请
    THERMOLABILE VORLÄUFER-VERBINDUNGEN ZUR VERBESSERUNG DER INTERPARTIKULÄREN KONTAKTSTELLEN UND ZUM AUFFÜLLEN DER ZWISCHENRÄUME IN HALBLEITENDEN METALLOXIDPARTIKELSCHICHTEN 审中-公开
    不耐热的前体化合物用于改善间的联络点和填充房间之间的一半官员METALLOXIDPARTIKELSCHICHTEN

    公开(公告)号:WO2010146053A1

    公开(公告)日:2010-12-23

    申请号:PCT/EP2010/058391

    申请日:2010-06-15

    Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Schicht enthaltend wenigstens ein halbleitendes Metalloxid auf einem Substrat, umfassend mindestens die Schritte: (A) Aufbringen einer porösen Schicht aus mindestens einem halbleitenden Metalloxid auf ein Substrat, (B) Behandeln der porösen Schicht aus Schritt (A) mit einer Lösung enthaltend wenigstens eine Vorläuferverbindung des halbleitenden Metalloxids, so dass die Poren der porösen Schicht zumindest teilweise mit dieser Lösung gefüllt werden und (C) thermisches Behandeln der in Schritt (B) erhaltenen Schicht, um die wenigstens eine Vorläuferverbindung des halbleitenden Metalloxids in das halbleitende Metalloxid zu überführen, wobei die mindestens eine Vorläuferverbindung des mindestens einen halbleitenden Metalloxids in Schritt (B) ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Carboxylaten von Mono-, Di- oder Polycarbonsäuren mit wenigstens drei Kohlenstoffatomen oder Derivaten von Mono-, Di-oder Polycarbonsäuren, Alkoholaten, Hydroxiden, Semicarbaziden, Carbaminaten, Hydroxamaten, Isocyanaten, Amidinen, Amidrazonen, Harnstoffderivaten, Hydroxylaminen, Oximen, Oximaten, Urethanen, Ammoniak, Aminen, Phosphinen, Ammonium-Verbindungen, Nitraten, Nitriten oder Aziden des entsprechenden Metalls und Mischungen davon.

    Abstract translation: 本发明涉及一种方法,用于生产包括在衬底上含有至少一个半导电金属氧化物的层的至少如下步骤:(A)在基材上沉积至少一种半导体金属氧化物的多孔层,(B)从步骤处理多孔层( a)用含有溶液中的半导体金属氧化物中的至少一种前体化合物,使得多孔层的孔至少部分地填充有该溶液和(C)热处理)到半导体金属氧化物中的至少一种前体化合物在步骤(B中获得的层 在半导体金属氧化物,其中,在步骤(B)至少一种半导体金属氧化物的至少一种前体化合物选自具有至少三个碳原子,或单 - ,二 - 的衍生物选自单 - ,二 - 或多元羧酸的羧酸盐组成的组中转移 或pol ycarbonsäuren,醇化物,氢氧化物,氨基脲,Carbaminaten,异羟肟酸盐,异氰酸酯,脒,氨基腙,脲衍生物,羟胺,肟,Oximaten,氨基甲酸乙酯,氨,胺,膦,铵化合物,硝酸盐,亚硝酸盐或相应的金属的叠氮化物和它们的混合物。

    EPOXIDATION CATALYST
    29.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2022161924A1

    公开(公告)日:2022-08-04

    申请号:PCT/EP2022/051551

    申请日:2022-01-25

    Applicant: BASF SE

    Abstract: An epoxidation catalyst comprising silver, cesium, rhenium and tungsten deposited on an alumina support, wherein the catalyst comprises 20 to 50 wt.-% of silver, relative to the weight of the catalyst, an amount of cesium Ccs of at least 7.5 mmol per kg of catalyst, and an amount of rhenium CR6 and an amount of tungsten Cw so as to meet the following requirements: CRe ≥ 6.7 mmol per kg of catalyst; and CRe + (2 χ cw) ≥ 13.2 mmol per kg of catalyst. The epoxidation catalyst allows for a more efficient conversion of ethylene oxide by gas-phase oxidation of ethylene, particularly displaying high selectivity and high activity. The invention also relates to a process for preparing an epoxidation catalyst as defined in above, comprising i) impregnating an alumina support with a silver impregnation solution; and ii) subjecting the impregnated refractory support to a calcination process; wherein steps i) and ii) are optionally repeated, and at least one silver impregnation solution comprises rhenium, tungsten and cesium. The invention moreover relates to a process for producing ethylene oxide by gas-phase oxidation of ethylene, comprising reacting ethylene and oxygen in the presence of an epoxidation catalyst according to any one of the preceding claims.

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