公开(公告)号：JP2013007846A

公开(公告)日：2013-01-10

申请号：JP2011139717

申请日：2011-06-23

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： YAMAMOTO KEI

IPC: G03F7/039 ,  C08F20/28 ,  C08F20/58 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  H01L21/027

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition being excellent in suppressing performance of particle occurrence when the composition is stored and allowing formation of a pattern with line width variation over time being suppressed and a manufacturing method of this composition; and also to provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film using this composition and a pattern forming method.SOLUTION: An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition contains (A) a first resin which is decomposed by action of an acid to increase solubility in an alkali developer, (B) a compound which generates an acid by irradiation with an actinic ray or a radiation ray, and (C) at least alkylene glycol monoalkylether carboxylate as a solvent, where the total of the concentration of oxygen and the concentration of nitrogen dissolved in the composition is 0.180 μg/μl or less.

Abstract translation: 要解决的问题：提供当组合物储存时抑制颗粒发生性能优异的光化射线敏感或辐射敏感性树脂组合物，并且允许形成具有随时间变化的线宽变化的图案被抑制，并且 该组合物的制造方法; 并且还使用该组合物和图案形成方法提供光化射线敏感或辐射敏感膜。 光敏射线敏感性或辐射敏感性树脂组合物含有（A）通过酸作用分解的第一种树脂，以提高在碱性显影剂中的溶解度，（B）通过照射产生酸的化合物 和（C）至少一种作为溶剂的亚烷基二醇单烷基醚羧酸盐，其中溶解在组合物中的氧浓度和氮浓度的总和为0.180μg/μl以下。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2012137557A

公开(公告)日：2012-07-19

申请号：JP2010288728

申请日：2010-12-24

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： YAMAMOTO KEI ,  FUJITA MITSUHIRO ,  MATSUDA TOMOKI

IPC: G03F7/004 ,  C07C309/06 ,  C07C309/10 ,  C07C309/12 ,  C07C309/17 ,  C07C309/19 ,  C07C381/12 ,  C09K3/00 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition capable of forming a good pattern shape excellent in roughness characteristics without film reduction or trailing, and an actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive film and a pattern forming method using the composition.SOLUTION: An actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition contains (A) a resin which decomposes by an action of an acid to increase the solubility of the resin in an alkaline developer, (B) an onium salt which includes a nitrogen atom in a cation portion and generates an acid by being decomposed upon irradiation with an actinic-ray or a radiation and (C) a compound represented by the following general formula (1-1) or (1-2) which generates an acid upon irradiation with an actinic-ray or a radiation. (In the general formulas (1-1) and (1-2), each symbol represents the meaning described in the description.)

Abstract translation: 要解决的问题：提供能够形成优异的粗糙度特性而没有膜还原或拖尾的良好图案形状的光化射线敏感或辐射敏感性树脂组合物，以及光化学敏感或辐射敏感性 膜和使用该组合物的图案形成方法。 光敏射线敏感性或辐射敏感性树脂组合物含有（A）通过酸作用分解的树脂，以增加树脂在碱性显影剂中的溶解度，（B）鎓盐， 包括阳离子部分中的氮原子，并且在通过光化射线或辐射照射时分解产生酸，和（C）由以下通式（1-1）或（1-2）表示的化合物，其产生 用光化射线或辐射照射时的酸。 （在通式（1-1）和（1-2）中，每个符号表示描述中描述的含义。）版权所有：（C）2012，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2010250075A

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：JP2009099418

申请日：2009-04-15

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： YAMAMOTO KEI ,  IWATO KAORU ,  SAEGUSA HIROSHI ,  HIRANO SHUJI ,  IIZUKA YUSUKE

IPC: G03F7/039 ,  C08F12/04 ,  C08F20/04 ,  C08F20/12 ,  C08F32/08 ,  G03F7/38 ,  H01L21/027

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an active-ray sensitive or radiation-sensitive resin composition which is improved in development defects and distance dependence of a pattern, and to provide a method for forming a pattern that uses the composition. SOLUTION: The active-ray sensitive or radiation-sensitive resin composition comprises (A) a resin having a specified repeating unit having a norbornane structure in a side chain, and the solubility of which with an alkali developing solution is increased by an action of an acid; (B) a compound generating an acid by irradiation with active rays or radiation; and (C) a resin containing at least either a fluorine atom or a silicon atom and having a group that is decomposed by an action of an alkali developing solution, to increase the solubility with the alkali developing solution. The method for forming a pattern is carried out by using the composition. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供改善图案的显影缺陷和距离依赖性的主动射线敏感或辐射敏感性树脂组合物，并提供形成使用该组合物的图案的方法。 解决方案：主动射线敏感或辐射敏感性树脂组合物包含（A）具有侧链中具有降冰片烷结构的特定重复单元的树脂，其与碱性显影液的溶解度增加 酸的作用 （B）通过用活性射线或辐射照射产生酸的化合物; 和（C）至少含有氟原子或硅原子的树脂，并且具有通过碱性显影液的作用分解的基团的树脂，以提高与碱性显影液的溶解性。 通过使用该组合物进行形成图案的方法。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2007272194A

公开(公告)日：2007-10-18

申请号：JP2007012723

申请日：2007-01-23

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： KODAMA KUNIHIKO ,  YAMAMOTO KEI ,  TAKAHASHI AKIRA ,  SUGIMOTO NAOYA

IPC: G03F7/039 ,  C08F220/18 ,  H01L21/027

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problems of a performance improving technique in the microfabrication of a semiconductor element using an actinic ray or radiation, and to provide a positive photosensitive composition which is improved in pattern collapse, ensures few development defects and excels in various performances such as resolution, isolated DOF and PEB temperature dependency, even in the formation of a fine pattern of ≤100 nm, and a method of forming a pattern using the same. SOLUTION: The positive photosensitive composition includes: a resin whose dissolution rate in an alkaline developing solution increases by the action of an acid, the resin containing a specific acid decomposable repeating unit and a specific acid nondecomposable repeating unit; and a compound capable of generating an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation. The method of forming a pattern using the same is also provided. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题为了解决使用光化射线或辐射的半导体元件的微细加工中的性能改进技术的问题，并且提供改进了图案崩溃的正性感光性组合物，确保了很少的显影缺陷和 在分辨率，隔离DOF和PEB温度依赖性等各种性能方面，甚至在形成≤100nm的精细图案时也是优异的，以及使用其形成图案的方法。 正型感光性组合物包括：通过酸的作用使碱性显影液中的溶解速度增加的树脂，含有特定酸分解性重复单元的树脂和特定酸不可分解重复单元的树脂; 以及能够在用光化射线或辐射照射时能够产生酸的化合物。 还提供了使用其形成图案的方法。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2014224895A

公开(公告)日：2014-12-04

申请号：JP2013103860

申请日：2013-05-16

Applicant: 富士フイルム株式会社 ,  Fujifilm Corp

Inventor： YAMAGUCHI SHUHEI ,  YAMAMOTO KEI ,  KATAOKA SHOHEI

IPC: G03F7/038 ,  C08F220/28 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/325 ,  C08F220/28 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20

Abstract: 【課題】ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、露光ラチチュードおよびパターン形状に優れたパターンを形成することが可能なパターン形成方法、それに好適に用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及び感活性光線性又は感放射線性膜、並びに、電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供すること。【解決手段】感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布して感活性光線性又は感放射線性膜を形成する工程、前記感活性光線性又は感放射線性膜を露光する工程、及び、露光した前記感活性光線性又は感放射線性膜を、有機溶剤を含む現像液で現像し、ネガ型パターンを形成する工程、を含むパターン形成方法であり、前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、酸基とラクトン構造を有する繰り返し単位(a)を含み、酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂(A)を含有することを特徴とするパターン形成方法。【選択図】なし

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种图案形成方法，其可以形成具有优异的粗糙度性能，包括线宽粗糙度等，曝光宽容度和图案形状; 可适用于该方法的主动感光或辐射敏感性树脂组合物; 主动感光或辐射敏感膜; 电子设备的制造方法; 和电子器件。解决方案：图案形成的方法包括以下步骤：通过在基底上涂覆活性光敏或辐射敏感树脂组合物来形成活性光敏或辐射敏感膜; 曝光主动感光或辐射敏感膜; 并用显影剂显影曝光的主动感光或辐射敏感膜以形成负型图案。 主动感光或辐射敏感组合物包含含有具有酸基和内酯结构的重复单元的树脂（A），并且通过酸的作用增加其极性以降低其在显影剂中的溶解度 其含有有机溶剂。

公开(公告)号：JP2014178645A

公开(公告)日：2014-09-25

申请号：JP2013054259

申请日：2013-03-15

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： ITO JUNICHI ,  SHIBUYA AKINORI ,  GOTO AKIYOSHI ,  SHIRAKAWA MICHIHIRO ,  YAMAMOTO KEI ,  YOSHINO FUMIHIRO

IPC: G03F7/039 ,  C08F20/06 ,  C08K5/42 ,  C08L33/10 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/038 ,  C07C381/12 ,  C08F220/14 ,  C08F220/18 ,  C08F220/26 ,  C08F220/28 ,  C08F220/30 ,  C08F220/36 ,  C08F232/08 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/325 ,  H01L21/0274

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pattern forming method using an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, which are adaptable to a developing process or a rinsing process under various conditions, and to provide a method for manufacturing an electronic device and an electronic device.SOLUTION: The pattern forming method includes steps of: (i) forming a film of an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition; (ii) exposing the film; and (iii) developing the exposed film by using a developing solution comprising an organic solvent to form a negative pattern. The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition comprises: (A) a resin which shows decrease in the solubility with a developing solution comprising an organic solvent by an action of an acid and which comprises a lactone structure expressed by general formula (1); and (B) a compound that generates an acid by irradiation with actinic rays or radiation.

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供使用光化射线敏感性或辐射敏感性树脂组合物，光化射线敏感性或辐射敏感性树脂组合物和光化射线敏感性或辐射敏感性膜的图案形成方法，其为 适用于各种条件下的显影工艺或漂洗工艺，并提供一种制造电子器件和电子器件的方法。解决方案：图案形成方法包括以下步骤：（i）形成光化学敏感的膜 或辐射敏感性树脂组合物; （ii）曝光胶片; 和（iii）通过使用包含有机溶剂的显影溶液来形成曝光的薄膜以形成负图案。 光化射线敏感性或辐射敏感性树脂组合物包含：（A）通过酸的作用显示与包含有机溶剂的显影溶液的溶解度降低的树脂，其包含由通式（1）表示的内酯结构 ）; 和（B）通过用光化射线或辐射照射产生酸的化合物。

公开(公告)号：JP2013101370A

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：JP2012281421

申请日：2012-12-25

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： YAMAMOTO KEI ,  SAEGUSA HIROSHI

IPC: G03F7/039 ,  C08F20/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/38 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/039 ,  C09D133/16 ,  C09D133/26 ,  C09D143/04 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/0758 ,  G03F7/2041 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/126

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a positive resist composition for immersion exposure, ensuring that a receding contact angle with respect to an immersion liquid during immersion exposure can be more improved and watermark defects can be reduced, and to provide a method for forming a pattern using the composition.SOLUTION: The positive resist composition for immersion exposure comprises: (A) a resin that is decomposed by an action of an acid to increase the solubility in an alkali developing solution; (B) a compound that generates an acid by irradiation with actinic rays or radiation; (C) a resin having at least either a fluorine atom or a silicon atom; and (D) a mixture solvent containing at least one solvent selected from the group expressed by any of general formulae (S1) to (S3) described below, by 3 to 20 mass% in the whole solvent.

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供一种用于浸渍曝光的正型抗蚀剂组合物，确保了在浸没曝光期间相对于浸没液体的后退接触角可以更好地改善并且水印缺陷可以减少，并且提供一种方法 使用该组合物形成图案。 解决方案：浸渍曝光的正型抗蚀剂组合物包括：（A）通过酸的作用分解以提高在碱性显影液中的溶解度的树脂; （B）通过用光化射线或辐射照射产生酸的化合物; （C）至少具有氟原子或硅原子的树脂; 和（D）含有选自下述通式（S1）〜（S3）中任一项所示的基团的溶剂的混合溶剂，在全部溶剂中为3〜20质量％。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2013068779A

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：JP2011207019

申请日：2011-09-22

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： YAMAMOTO KEI ,  KOSHIJIMA KOSUKE ,  TAKAHASHI HIDETOMO ,  YAMAGUCHI SHUHEI ,  SHIRAKAWA MICHIHIRO

IPC: G03F7/039 ,  C08F2/50 ,  C08F20/18 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/32 ,  H01L21/027

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a hole pattern having an ultrafine pore diameter, excellent in circularity while maintaining excellent dependence on development time.SOLUTION: There is provided an actinic ray sensitive or radiation sensitive resin composition including: (P) a resin having a repeating unit (a) represented by the following general formula (I); (B) a compound that generates an organic acid by irradiation with an actinic ray or radiation; and (C) a basic compound or an ammonium salt compound that decreases basicity by irradiation with the actinic ray or radiation. A molar ratio [C]/[B] of the compound (C) to the compound (B) is 0.4 or more. A resist film, a pattern forming method, a method for manufacturing an electronic device and an electronic device using the same are also provided. In the general formula (I), Rrepresents a hydrogen atom or a methyl group. R, Rand Reach independently represent a linear or branched alkyl group.

Abstract translation: 要解决的问题：提供具有超细孔径的孔图案，圆形性优异，同时保持对显影时间的良好依赖性。 提供一种光化射线敏感或辐射敏感性树脂组合物，其包含：（P）具有由以下通式（I）表示的重复单元（a）的树脂; （B）通过用光化射线或辐射照射产生有机酸的化合物; 和（C）通过用光化射线或辐射照射而降低碱度的碱性化合物或铵盐化合物。 化合物（C）与化合物（B）的摩尔比[C] / [B]为0.4以上。 还提供了抗蚀剂膜，图案形成方法，电子器件的制造方法和使用其的电子器件。 在通式（I）中，R 0 表示氢原子或甲基。 R 1 ，R 2 和R 3 各自独立地表示线性或 支链烷基。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2013068776A

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：JP2011207016

申请日：2011-09-22

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： KOSHIJIMA KOSUKE ,  TAKAHASHI HIDETOMO ,  YAMAGUCHI SHUHEI ,  YAMAMOTO KEI

IPC: G03F7/038 ,  G03F7/004 ,  G03F7/32 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/325 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/0755 ,  G03F7/0758 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/40 ,  Y10T428/24479

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an actinic ray sensitive or radiation sensitive resin composition having an ultrafine pore diameter (for instance, 60 nm or smaller), and capable of forming a hole pattern excellent in cross sectional shape, in an excellent uniformity in local pattern dimensions, and to provide a resist film, a pattern forming method, a method for manufacturing an electronic device, and an electronic device using the same.SOLUTION: There is provided an actinic ray sensitive or radiation sensitive resin composition including: (P) a resin including a repeating unit (a) represented by the following general formula (I) of 30 mole % or more based on whole repeating units; (B) a compound that generates an acid by irradiation with an actinic ray or radiation; and (G) a compound including at least one of a fluorine atom and a silicon atom, and having basicity or increasing basicity by the action of the acid. In the general formula (I), Rrepresents a hydrogen atom or a methyl group. R, Rand Reach independently represent a linear or branched alkyl group.

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供具有超细孔径（例如，60nm以下）的能够发挥优异的截面形状的孔图案的光化射线敏感性或辐射敏感性树脂组合物，优异的 局部图案尺寸的均匀性，以及提供抗蚀剂膜，图案形成方法，电子器件的制造方法以及使用其的电子器件。 提供了一种光化射线敏感或辐射敏感性树脂组合物，其包含：（P）包含由以下通式（I）表示的重复单元（a）的树脂为30摩尔％以上，基于全部重复 单位; （B）通过用光化射线或辐射照射产生酸的化合物; 和（G）包含氟原子和硅原子中的至少一个的化合物，并且通过酸的作用具有碱性或增加的碱性。 在通式（I）中，R 0 表示氢原子或甲基。 R 1 ，R 2 和R 3 各自独立地表示线性或 支链烷基。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2012108527A

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：JP2011287028

申请日：2011-12-27

Applicant: FUJIFILM CORP

Inventor： KODAMA KUNIHIKO ,  YAMAMOTO KEI ,  TAKAHASHI AKIRA ,  SUGIMOTO NAOYA

IPC: G03F7/039 ,  C08F220/16 ,  G03F7/004

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a positive photosensitive composition allowing improvement of pattern collapse in formation of a 100 nm or less fine pattern, having fewer development defects and being excellent in various performances such as resolution, isolation DOF and PEB temperature dependency and a pattern formation using the same, in order to solve problems on performance improvement technology in microfabrication of a semiconductor element using an active ray or radiation.SOLUTION: The positive photosensitive composition is characterized by containing a resin which has a specific acid decomposable repeating unit and a specific acid non-decomposable repeating unit and an increased dissolution rate in an alkali developer by action of acid and containing a compound generating acid by irradiation with an active ray or radiation. The pattern formation method uses it.