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公开(公告)号：JP6397068B2
公开(公告)日：2018-09-26
申请号：JP2017038891
申请日：2017-03-02
Applicant: HOYA株式会社
CPC classification number: G03F1/22 , G03F1/50 , G03F1/60 , G03F7/2004 , H01L21/0332 , H01L21/0334
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公开(公告)号：JP2017120437A
公开(公告)日：2017-07-06
申请号：JP2017038891
申请日：2017-03-02
Applicant: HOYA株式会社
CPC classification number: G03F1/22 , G03F1/50 , G03F1/60 , G03F7/2004 , H01L21/0332 , H01L21/0334
Abstract: 【課題】高感度の欠陥検査装置を用いた欠陥検査において、基板や膜の表面粗さに起因する疑似欠陥検出を抑制し、異物や傷などの致命欠陥の発見を容易にすることが可能なマスクブランク用基板を提供する。 【解決手段】リソグラフィーに使用されるマスクブランク用基板であって、前記基板の転写パターンが形成される側の主表面における1μm×1μmの領域を、原子間力顕微鏡で測定して得られるベアリングエリア(%)とベアリング深さ(nm)との関係において、ベアリングエリア30%をBA 30 、ベアリングエリア70%をBA 70 、ベアリングエリア30%及び70%に対応するベアリング深さをそれぞれBD 30 及びBD 70 と定義したときに、前記基板の主表面が、(BA 70 −BA 30 )/(BD 70 −BD 30 )≧350(%/nm)の関係式を満足し、かつ最大高さ(Rmax)≦1.2nmとした構成としてある。 【選択図】図1
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2016188911A
公开(公告)日：2016-11-04
申请号：JP2015068340
申请日：2015-03-30
Applicant: HOYA株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F1/24
Abstract: 【課題】低コストで高精度の基準マークを形成することのできる、多層反射膜付き基板の製造方法を提供する。 【解決手段】基板上にEUV光を反射する多層反射膜が形成されている多層反射膜付き基板の製造方法であって、前記多層反射膜付き基板に、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークを形成する工程を有し、基準マークは、欠陥情報の基準点を決定するためのメインマーク13aと、メインマークの周囲に配置された補助マーク13bとから構成され、メインマーク13aと補助マーク13bとは異なる形成方法で形成される多層反射膜付き基板。 【選択図】図6
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够以低成本形成高精度标准标记的多层反射涂布基板的制造方法。解决方案：提供一种多层反射涂布基板的制造方法，其中多层反射 在基板上形成反射EUV光的涂层。 该处理包括形成用作检测信息中的检测位置的标准的标准标记的步骤。 标准标记由用于确定检测信息的标准点的主标记13a和布置在主标记周围的辅助标记13b组成，主标记13a和辅助标记13b由不同的方法形成。图示：图 6
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27.发明专利マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、透過型マスクブランク、反射型マスクブランク、透過型マスク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 有权用于掩蔽空白的基板，具有多层反射膜的基板，透射型掩模层，反射型掩模空白，透射型掩模，反射型掩模和半导体器件的制造方法
公开(公告)号：JP2016048379A
公开(公告)日：2016-04-07
申请号：JP2015202956
申请日：2015-10-14
Applicant: HOYA株式会社
CPC classification number: G03F1/48 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C03C17/3435 , C03C17/3626 , C03C17/3636 , C03C17/3639 , C03C17/3649 , C03C17/3665 , C03C23/0075 , C03C3/06 , G02B5/08 , G02B5/0816 , G02B5/0891 , G03F1/22 , G03F7/16 , G03F7/2002 , G03F7/2004 , G03F7/70733 , H01L21/3081 , H01L21/3085 , C03C2201/42 , C03C2218/33
Abstract: 【課題】高感度の欠陥検査装置を用いた欠陥検査において、基板や膜の表面粗さに起因する疑似欠陥検出を抑制し、異物や傷などの致命欠陥の発見を容易にすることが可能なマスクブランク用基板を提供する。 【解決手段】基板10の転写パターンが形成される側の主表面2は、1μm×1μmの領域を原子間力顕微鏡で測定して得られる二乗平均平方根粗さ(Rms)が0.15nm以下であり、且つ、空間周波数1μm −1 以上のパワースペクトル密度が10nm 4 以下である。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种掩模板的基板，其中使用高灵敏度缺陷检查装置在缺陷检查中抑制由基板或膜的表面粗糙度引起的伪缺陷的检测，并发现诸如 作为异物，缺陷可以变得容易。解决方案：在形成有基板10的转印图案的一侧的主表面2中，通过测量1的区域获得的均方根粗糙度（Rms） 原子力显微镜的μm×1μm为0.15nm以下，空间频率1μm以上的功率谱密度为10nm以下。选择图1
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28.发明专利マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、マスクブランク用基板の製造方法及び多層反射膜付き基板の製造方法並びに半導体装置の製造方法 有权用于掩模空白的基板，具有多层反射膜的基板，反射掩模布，反射掩模，用于制造掩模基板的方法，用于制造具有多层反射膜的基板的方法，以及用于制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2015148807A
公开(公告)日：2015-08-20
申请号：JP2015045754
申请日：2015-03-09
Applicant: HOYA株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/20 , G03F1/60
Abstract: 【課題】種々の波長の光を使用した高感度欠陥検査機においても疑似欠陥を含む検出数が少ないために致命欠陥を確実に検出することができるマスクブランク用基板等を提供する。 【解決手段】リソグラフィーに使用されるマスクブランク用基板であって、該マスクブランク用基板の転写パターンが形成される側の主表面における0.14mm×0.1mmの領域を、白色干渉計にて、ピクセル数640×480にて検出される空間周波数1×10 −2 μm −1 以上1μm −1 以下におけるパワースペクトル密度が4×10 6 nm 4 以下であり、1μm×1μmの領域で検出される空間周波数1μm −1 以上におけるパワースペクトル密度が10nm 4 以下である。 【選択図】図5
Abstract translation: 要解决的问题：为了提供一种用于掩模坯料等的基板，其中即使在使用各种波长的光的高灵敏度缺陷检查装置检查基板时，几乎没有检测到虚假缺陷，也可以可靠地检测到临界缺陷 解决方案：掩模板的基板用于光刻; 并且在要形成转印图案的基板的主表面上，在0.14mm×0.1mm区域中的空间频率为1×10μm以上且1μm以下的空间频率下的功率谱密度为4×10nm以下，通过使用 具有640×480像素的白色干涉仪，并且在1μm×1μm区域中检测到的空间频率处的功率谱密度为10nm以下。
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公开(公告)号：JP2021015295A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：JP2020182324
申请日：2020-10-30
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 【課題】 パターン転写の際の反射型マスクの位置ずれを防止することができる反射型マスクを製造するための導電膜付き基板を得る。 【解決手段】 リソグラフィーに使用されるマスクブランク用基板の主表面上の一方の表面に、導電膜が形成された導電膜付き基板であって、前記導電膜表面の静摩擦係数が0.25以上であることを特徴とする導電膜付き基板である。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JPWO2019078205A1
公开(公告)日：2020-11-05
申请号：JP2018038499
申请日：2018-10-16
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 多層反射膜に基準マークを形成した場合でも、多層反射膜の表面が汚染されることを防止することのできる、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法を提供する。 多層反射膜付き基板10は、基板12と、基板12上に形成されたEUV光を反射する多層反射膜14と、多層反射膜14上に形成された保護膜18とを含む。保護膜18の表面に、基準マーク20が凹状に形成されている。基準マーク20の表層22は、保護膜18に含まれる元素のうち少なくとも1つの元素と同一の元素を含む。基準マーク20の底部において、多層反射膜14に含まれる複数の膜のうち少なくとも一部の膜が収縮したシュリンク領域24が形成されている。
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