Abstract:
Methods of performing complex optical computations, preferably using a programmable optical data processor. The performance of optical computations is accomplished using a plurality of spatial light modulators to impress data onto a data beam, the method of performing the computations comprising the steps of: (a) applying data to a subset of the modulators so as to impress a corresponding data image onto the beam; and (b) applying uniform data to the remaining ones of the modulators so as to impress corresponding uniform data images onto the beam such that the computation performed is dependent on the data applied to the subset of the modulators.
Abstract:
Modulateur spatial de lumière à modulation de radiation à des énergies voisines de l'intervalle de bande du semi-conducteur (NBRM-SLM), dans lequel sont utilisés des puits quantiques multiples (MQW) (34). En général les NBRM SLM à MQW de cette invention comportent un modulateur optique à MQW (34) et des moyens pour exciter le modulateur optique à MQW. Les NBRM SLM à MQW peuvent être disposés dans une pluralité de configurations. Le moyen d'excitation et le modulateur optique à MQW peuvent être disposés dans des configurations hybrides ou monolithiques. Le modulateur optique à MQW peut être utilisé dans le mode de champ électrique transversal ou longitudinal. Les structures NBRM SLM à MQW peuvent être utilisées au moyen des effets d'électro-absorption ou d'électro-réfraction, et dans les modes de transmission ou de réflection. Les structures peuvent être utilisées avec des mécanismes d'adressage et d'écriture différents, avec également la photo-activation et l'adressage électronique. D'autres modes de réalisation sont caractérisés par exemple par des MQW à hétérojonctions à cascades et un miroir métallique sub-micronique à pixels. L'invention permet de réaliser un modulateur spatial de lumière amélioré, à grande vitesse doté d'une résolution élevée et compatible pour l'excitation à semi-conducteurs, caractérisé par des puits quantiques multiples.
Abstract:
A process for fabricating a semiconductor device by thermal gradient zone melting, whereby metal-rich droplets (24) such as aluminum migrate through a semiconductor wafer (14) such as silicon to create conductive paths (22). One surface of the wafer (14) is placed intimately adjacent a heating surface (42) to establish a high and uniform thermal gradient through the wafer (14). Heat in the wafer (14) is removed from the other wafer surface. The apparatus for practicing the process comprises a base (40), heating means (44) and heat sink (46) means. Heating means (40) comprises a platform (40) having a generally planar heating surface (42) adapted to receive the entire area of the one surface of at least one wafer (14). The heat sink means (46) is spaced away from the other wafer surface to form a space (48) therebetween, the space being adapted to receive a high heat conductive gas. The heat sink means (46) and the gas cooperatively remove the heat in the wafer (14) to enhance the establishment of the thermal gradient. One surface of the wafer may be provided with a buffer layer (70) thereon, which is placed directly on a heating surface (42). The buffer layer (70) terminates the migration of the droplets to prevent allowing of the droplets with the heating surface (42).
Abstract:
Un plan fonctionnel (240) d'interconnexion par colonne et d'interconnexion par réseau complet permet d'effectuer un transfert simultané de données vers et depuis des sous-systèmes d'échange de données (74) du processeur à réseau (61). Ce plan fonctionnel comprend un réseau de pseudomodules (242, 244, 246) dont l'architecture correspond aux réseaux modulaires des autres plans fonctionnels du processeur à réseaux. Ainsi, un pseudomodule est présent dans chacun des processeurs élementaires. Ces pseudomodules sont associés sous forme de colonnes qui sont, chacune d'elles, interconnectées par un sous-système d'échange de données par plan d'interconnexion en colonne (256). Ces colonnes sont, à leur tour, associées à des circuits logiques de commande de colonnes (248, 250) qui comprennent chacun un registre de mémoire à colonnes. Un circuit logique à mode de décodage (252) établit la configuration de fonctionnement des circuits logiques de commande de colonnes. Le plan fonctionnel d'interconnexion (240) peut être configuré sélectivement pour plusieurs modes différents. Ces modes assurent le transfert de données: (1) en commun depuis le processeur de commande (10) vers tous les sous-systèmes d'échange de données (74) du processeur à réseau (61), (2) en commun, depuis le sous-système d'échange de données du pseudomodule du coin de la rangée du haut (246) vers les autres sous-systèmes d'échange de données (256), (3) en commun, depuis les registres de mémoire en colonnes vers les sous-systèmes d'échange de données (256) de leurs colonnes respectives des pseudomodules (242, 244, 246), (4) depuis les sous-systèmes d'échange de données de la rangée du haut des pseudomodules (244, 246) en commun vers les sous-systèmes d'échange de données (256) de leurs colonnes respectives des pseudomodules (242, 244, 246), 5) à opération OU depuis tous les sous-systèmes d'échange de données (74) du processeur à réseau (61) vers le processeur de commande (10), et (6) à opération OU depuis le sous-système d'échange de données (256) de chaque
Abstract:
An infrared (IR) simulator is disclosed in which an array of pixels is defined on an insulative substrate by resistor bridges which contact the substrate at spaced locations and are separated from the substrate, and thereby thermally insulated therefrom, between the contact locations. Semiconductor drive circuits on the substrate enable desired current flows through the resistor bridges in response to input control signals, thereby establishing the appropriate IR radiation from each of the pixels. The drive circuits and also at least some of the electrical lead lines are preferably located under the resistor bridges. A thermal reflector below each bridge shields the drive circuit and reflects radiation to enhance the IR output. The drive circuits employ sample and hold circuits which produce a substantially flicker-free operation, with the resistor bridges being impedance matched with their respective drive circuits. The resistor bridges may be formed by coating insulative base bridges with a resistive layer having the desired properties, and overcoating the resistive layers with a thermally emissive material. The array is preferably formed on a silicon-on-sapphire (SOS) wafer.
Abstract:
Un variateur de lumière à cristaux liquides adressé par un faisceau électronique (LCLV) produit une tension à courant alternatif sur une couche de cristaux liquides à partir d'un faisceau électronique de polarité unique et présente une très haute résolution. Un miroir (20) et une fine couche d'un matériau partiellement conducteur (24) sont déposés sur une membrane de support (22) sur le côté du faisceau électronique du cristal liquide (8). La couche partiellement conductrice (24) est divisée en une série d'éléments pixels par une matrice conductrice (26) qui fait face au faisceau électronique. Des électrons du faisceau sont absorbés par la couche partiellement conductrice (24) pour établir une tension négative sur le cristal liquide, puis ils s'écoulent hors de la matrice conductrice (26) pour produire une tension à courant alternatif (30) avant le prochain balayage du faisceau électronique. La matrice conductrice (26) est connectée en circuit avec une électrode transparente (18) qui constitue une référence de tension du côté sortie du cristal liquide. Les éléments du dispositif sont conçus avec des paramètres électriques qui produisent une vitesse de décharge de la couche partiellement conductrice (24) suffisamment rapide pour compléter un cycle de courant alternatif entre des balayages successifs du faisceau électronique, mais suffisamment lente pour que le cristal liquide réponde et produise une image.
Abstract:
Procédés d'exécution de calculs optiques complexes, en utilisant de préférence un processeur programmable de données optiques. Les calculs optiques sont exécutés en utilisant une pluralité de modulateurs de lumière dans l'espace, pour moduler un faisceau en fonction des données, le procédé d'exécution des calculs consistant a) à appliquer les données à un sous-ensemble de modulateurs de manière à moduler le faisceau avec une image de données correspondante; b) à appliquer des données uniformes aux modulateurs restants de manière à moduler le faisceau avec des images de données uniformes correspondantes, de sorte que le calcul exécuté dépend des données appliquées au sous-ensemble de modulateurs.
Abstract:
Vanne de lumiere (10), (12), (14), (16), (18), (20) utilisant des cristaux liquides nematiques birefringents dans laquelle la compensation pour la birefringence residuelle est obtenue en faisant passer la lumiere au travers de deux couches separees de cristaux liquides (12), (14) dont les principaux axes optiques sont alignes perpendiculairement l'un par rapport a l'autre a l'interface entre les deux couches de cristaux liquides.
Abstract:
Dans une architecture parallele a grande echelle de nombreux canaux paralleles fonctionnent simultanement pour creer une organisation naturelle et efficace de traitement d'ensemble bidimensionnel de donnees. L'architecture comprend une pluralite de tranches de circuits integres empilees (16, 18) ayant des surfaces superieures et inferieures, des passages de signaux electriques (20) s'etendant au travers de chacune des tranches entre les surfaces, et des micro interconnections (50) sur les surfaces des tranches adjacentes interconnectant les passages de signaux electriques respectifs avec une correspondance topographique un-a-un.
Abstract:
An optical beam scanner incorporating an array of beam deflection elements commonly controlled to steer an optical beam impingent on the array is described. The beam steering elements are arranged in the array as individually controlled elements and the deflection of the beam is accomplished by setting the phase tilt and the phase offset of each element according to a calculation which removes modulo 2pi phase shift from the required position relative to a flat plane. Thus, the array elements can be thin and need only supply about 2 radians of phase shift. These elements may be incorporated in a planar array using beam deflection elements such as liquid crystal beam deflectors by choosing a drive scheme representing either a blazed array or a flat piston array. Operation may be designed for a large range of light wavelengths and the system may efficiently accommodate a combination of the blazed and flat piston techniques to obtain beam deflection characteristics otherwise unavailable by the exclusive use of each individual technique. By use of the liquid crystal phased array approach, rapid, high accuracy, large area beam deflection is possible without the necessity of any moving parts and with low power drive requirements. Phased arrays of the type described above may be arranged in successive parallel planes with an common beam axis to provide two-dimensional beam deflection.