公开(公告)号：DE102015117994A1

公开(公告)日：2017-04-27

申请号：DE102015117994

申请日：2015-10-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  SANDOW CHRISTIAN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739

Abstract: Ein Leistungshalbleitertransistor (1) umfasst einen Halbleiterkörper (10), der mit einem ersten Lastanschluss (11) gekoppelt ist, wobei der Transistor (1) zudem Folgendes aufweist: eine Halbleiter-Drift-Region (100), die im Halbleiterkörper (10) umfasst ist und Dotierstoffe eines ersten Leitfähigkeitstyps aufweist; einen ersten Graben (13-1), der sich entlang einer vertikalen Richtung (Z) in den Halbleiterkörper (10) erstreckt, wobei der erste Graben (13-1) eine erste Steuerelektrode (131 1) umfasst, die durch einen ersten Isolator (132 1) vom Halbleiterkörper (10) elektrisch isoliert ist, wobei der erste Graben (13-1) durch zwei erste Grabenseitenwände (133-1) seitlich begrenzt ist und durch einen ersten Grabenboden (134-1) vertikal begrenzt ist; eine erste Source-Region (101-1), die zu einer der ersten Grabenseitenwände (133-1) seitlich angrenzend angeordnet und mit dem ersten Lastanschluss (11) elektrisch verbunden ist; eine erste Halbleiterkanalregion (102-1), die im Halbleiterkörper (10) umfasst und zu derselben Grabenseitenwand (133-1) seitlich angrenzend angeordnet ist wie die erste Source-Region (101-1), wobei die erste Halbleiterkanalregion (102-1) Dotierstoffe eines zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist und die erste Source-Region (101-1) von der Drift-Region (100) isoliert; einen zweiten Graben (13-2), der sich entlang der vertikalen Richtung (Z) in den Halbleiterkörper (10) erstreckt, wobei der zweite Graben (13-2) durch zwei zweite Grabenseitenwände (133-2) seitlich begrenzt ist und durch einen zweiten Grabenboden (134-2) vertikal begrenzt ist; eine Führungszone (103), die mit dem ersten Lastanschluss (11) elektrisch gekoppelt ist und sich tiefer als der erste Grabenboden (134-1) in den Halbleiterkörper (10) erstreckt, wobei die Führungszone (103) von der ersten Halbleiterkanalregion (102-1) getrennt und zu jeder der anderen der zwei ersten Grabenseitenwände (133-1) und einer der zweiten Grabenseitenwände (133-2) angrenzend angeordnet ist, wobei sich, in einem Abschnitt (1033), der tiefer als der erste Garbenboden (134-1) angeordnet ist, sich die Führungszone (103) zur ersten Halbleiterkanalregion (102-1) hin seitlich erstreckt.