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    METHOD FOR MANUFACTURING BLOCKING ZONE IN SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING THE BLOCKING ZONE
    1.
    发明专利
    METHOD FOR MANUFACTURING BLOCKING ZONE IN SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING THE BLOCKING ZONE 审中-公开

    公开(公告)号：JP2006344977A

    公开(公告)日：2006-12-21

    申请号：JP2006159824

    申请日：2006-06-08

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BARTHELMESS REINER ,  MAUDER ANTON ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ JOSEF ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

    IPC: H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a blocking zone implanted in semiconductors substrates, and a semiconductor component having the blocking zone. SOLUTION: This method for manufacturing a blocking zone implanted in semiconductors substrates comprises the process of the step of preparing a semiconductor substrate (100) having a first and second surfaces (101, 102), and a basic doping of a first conduction type; the step of irradiating protons onto either side of a first and second surfaces (101, 102) of the semiconductor substrate (100), so that the protons can be introduced in a first region (111) disposed at apart from the first surface (the irradiation surface) (101) of the semiconductor substrate (100); and the step of generating hydrogen-induced donors both in a first region (111), and in a second region adjacent to the first region (111) across the irradiation surface (101) by heat treating the semiconductor substrate (100) at a predetermined heating temperature for a predetermined heating time. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

    Soft switching semiconductor device with high robustness and small switching loss
    2.
    发明专利
    Soft switching semiconductor device with high robustness and small switching loss 有权
    具有高可靠性和小开关损耗的软开关半导体器件

    公开(公告)号：JP2007324601A

    公开(公告)日：2007-12-13

    申请号：JP2007147037

    申请日：2007-06-01

    Applicant: Infineon Technologies Ag ,  インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト

    Inventor： MAUDER ANTON ,  HANS-PETER FELSL ,  MANFRED PFAFFENLEHNER ,  HANS-JOACHIM SCHULZE

    IPC: H01L29/861 ,  H01L27/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

    CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L21/263 ,  H01L29/063 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/74

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device with a protection mechanism capable of preventing semiconductor device damage even under severe operating conditions for use in a semiconductor power electronics field. SOLUTION: A semiconductor substrate 1 is formed between a first electrode 3 and a second electrode 5 which both extend latterly. A semiconductor device comprises the semiconductor substrate 1 having at least one first semiconductor area 6 adjacent to the first electrode 3, and an electric field stop area 11 formed on a second semiconductor area 7 to be used as a rear side emitter as one island and provided with a third semiconductor area 10 of conductivity type opposite to that of the second semiconductor area 7, maintaining a distance from the second semiconductor area 7 within the semiconductor substrate for electric field reduction towards the vicinity of the second semiconductor area 7. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

    Abstract translation: 解决的问题：提供具有能够防止半导体器件损坏的保护机构的半导体器件，即使在用于半导体电力电子领域的严酷工作条件下也是如此。 解决方案：半导体衬底1形成在第一电极3和第二电极5之间，后者都延伸。 半导体器件包括具有与第一电极3相邻的至少一个第一半导体区域6的半导体衬底1和形成在第二半导体区域7上以用作一个岛的后侧发射极的电场停止区域11， 具有与第二半导体区域7相反的导电类型的第三半导体区域10，保持与半导体衬底内的第二半导体区域7的距离朝向第二半导体区域7附近的电场减小的距离。 （C）2008，JPO＆INPIT

    COMPONENT ARRANGEMENT WITH AN OPTIMIZED ASSEMBLY CAPABILITY
    4.
    发明申请
    COMPONENT ARRANGEMENT WITH AN OPTIMIZED ASSEMBLY CAPABILITY 审中-公开
    具有优化组装能力的组件安排

    公开(公告)号：WO2006015685A3

    公开(公告)日：2006-06-01

    申请号：PCT/EP2005007675

    申请日：2005-07-14

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  MAUDER ANTON ,  SCHOLZ WOLFGANG

    Inventor： MAUDER ANTON ,  SCHOLZ WOLFGANG

    IPC: H05K7/20

    CPC classification number: G02B6/4494 ,  G02B6/441 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/325 ,  H05K2201/10409 ,  H05K2201/10689 ,  H05K2201/2036 ,  H01L2924/00

    Abstract: The invention relates to a component arrangement comprising: an electronics module (10); a heat sink (20) contacted by the electronics module (10); a printed circuit board (30), and; a fastening means (40) for fastening the electronics module (10) to the printed circuit board (30) and to the heat sink (20). The electronics module (10) has at least one elastic connecting limb (11) for the solder-free contacting of the electronics module (10) with the printed circuit board (30) and has a location (14) for the fastening means (40). The electronics module (10) additionally comprises a decoupling means (12) for decoupling the force of pressure between the connecting limb (11) and the printed circuit board (30) from the contact force between the heat sink (20) and the electronics module (10). Another aspect of the invention concerns an electronics module (10) that can be used in the aforementioned component arrangement.

    Abstract translation: 本发明涉及一种具有电子模块的部件装置。 （10），一个与电子模块（10）接触的散热器（20），一个印刷电路板（30）以及用于将电子模块（10）与印刷电路板（30）和散热器（20）固定的紧固装置（40）。 在这种情况下，电子模块（10）具有用于电子模块（10）与电路板（30）的无焊接接触的至少一个弹性连接腿（11）和用于紧固装置（40）的接收器（14）。 此外，电子模块（10）包括用于将连接腿（11）和印刷电路板（30）之间的压缩力与散热器（20）和电子模块（10）之间的接触力分离的解耦装置（12）。 本发明的另一方面涉及可用于这种部件组件的电子模块（10）。

    Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren
    8.
    发明专利
    Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren 未知

    公开(公告)号：DE102018104581B4

    公开(公告)日：2021-11-04

    申请号：DE102018104581

    申请日：2018-02-28

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： MEISER ANDREAS ,  MAUDER ANTON ,  RUPP ROLAND ,  LEENDERTZ CASPAR

    IPC: H01L23/62 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

    Abstract: Halbleitervorrichtung, umfassend:eine Grabenstruktur (150), die sich von einer ersten Oberfläche (101) in einen Siliziumcarbid-Halbleiterkörper (100) erstreckt, wobei die Grabenstruktur (150) eine Hilfselektrode (157) an einem Boden der Grabenstruktur (150) und eine Gateelektrode (155) umfasst, wobei die Gateelektrode (155) zwischen der Hilfselektrode (157) und der ersten Oberfläche (101) angeordnet ist, und wobei die Hilfselektrode (157) mit einer ersten Lastelektrode (310), einem anderen Anschluss der Halbleitervorrichtung (500) oder mit einem Ausgang eines internen Treibers oder einer Spannungsreglerschaltung permanent niederohmig elektrisch verbunden ist; undein Abschirmgebiet (140), das an die Hilfselektrode (157) am Boden der Grabenstruktur (150) grenzt und einen ersten pn-Übergang (pn1) mit einer Driftstruktur bildet, wobei die Hilfselektrode (157) mit dem Abschirmgebiet (140) in einem niederohmigen Kontakt ist.

    SILIZIUMCARBID-VORRICHTUNG MIT GRABEN-GATESTRUKTUR UND HERSTELLUNGSVERFAHREN
    9.
    发明专利
    SILIZIUMCARBID-VORRICHTUNG MIT GRABEN-GATESTRUKTUR UND HERSTELLUNGSVERFAHREN 未知

    公开(公告)号：DE102019129412A1

    公开(公告)日：2021-05-06

    申请号：DE102019129412

    申请日：2019-10-31

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SIEMIENIEC RALF ,  MAUDER ANTON ,  ELPELT RUDOLF

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16

    Abstract: Eine Siliziumcarbid-Vorrichtung (500) enthält einen Siliziumcarbid-Körper (100) mit einem hexagonalen Kristallgitter mit einer c-Ebene (105) und mit weiteren Hauptebenen (106). Die weiteren Hauptebenen (106) umfassen a-Ebenen und m-Ebenen. Eine mittlere Oberflächenebene (109) des Siliziumcarbid-Körpers (100) ist um ein Winkelabweichung (α) zur c-Ebene (105) geneigt. Der Siliziumcarbid-Körper (100) enthält einen säulenförmigen Bereich (190) mit Säulenseitenwänden (191, ..., 196). Zumindest drei der Säulenseitenwände (191, ..., 196) sind entlang einer jeweiligen der weiteren Hauptebenen (106) orientiert. Eine Graben-Gatestruktur (150) ist mit den zumindest drei Säulenseitenwänden (191, ..., 196) in Kontakt.

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