水平电场型液晶显示器件的薄膜晶体管基板及其制造方法

    公开(公告)号:CN1614487A

    公开(公告)日:2005-05-11

    申请号:CN200410087186.5

    申请日:2004-11-04

    Abstract: 水平电场型液晶显示器件的薄膜晶体管基板及其制造方法。一种水平电场型薄膜晶体管基板包括:在一基板上形成的相互平行的选通线和第一公共线;与选通线和第一公共线交叉并且其间具有栅绝缘膜以限定像素区域的数据线;与第一公共线交叉并且其间具有栅绝缘膜的第二公共线;与选通线和数据线相连的薄膜晶体管;从所述像素区域中的第二公共线延伸的公共电极;与公共电极和第二公共线平行的像素电极;覆盖薄膜晶体管的保护膜;选通焊盘,具有通过第一接触孔与上选通焊盘电极相连的下选通焊盘电极;公共焊盘,具有通过第二接触孔与上公共焊盘电极相连的下公共焊盘电极;以及数据焊盘,具有与设置在第三接触孔内上数据焊盘电极相连的下数据焊盘电极。

    液晶显示器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1794078A

    公开(公告)日:2006-06-28

    申请号:CN200510093772.5

    申请日:2005-08-30

    CPC classification number: G02F1/1362 G02F1/134363 G02F2001/136295

    Abstract: 本发明公开了一种用于简化工艺的水平电场施加型薄膜晶体管基板及其制造方法。在根据本发明的液晶显示器件中包括,基板上的栅线;与栅线交叉以限定像素区的数据线,所述栅线和数据线之间具有栅绝缘膜;薄膜晶体管,包括栅极、源极、漏极和半导体层,以在源极和漏极之间限定沟道;基板上的公共线;像素区中的公共电极;以及像素电极,在像素区中与公共电极形成水平电场;其中,栅线、源极和漏极具有不透明导电图案和透明导电图案,像素电极通过延伸出漏极的透明导电图案形成,并且保护膜与透明导电图案相接并位于透明导电图案的剩余区域中。

    液晶显示器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1707340A

    公开(公告)日:2005-12-14

    申请号:CN200510074819.3

    申请日:2005-06-03

    Inventor: 安炳喆 朴钟佑

    CPC classification number: G02F1/13458 G02F1/133555 G02F1/1362

    Abstract: 本发明公开了一种液晶显示器件,包括:第一基板和第二基板;栅线,在第一基板上具有包括第一透明导电层和第二不透明导电层的双层结构;栅线上的第一绝缘层;数据线,与栅线交叉以限定像素区,该像素区具有透射区域和反射区域;薄膜晶体管;像素电极;上存储电极,其与栅线重叠以形成存储电容并在其中间设有第一绝缘层;透射孔,从薄膜晶体管的第二绝缘层贯穿到第一绝缘层以暴露像素电极;反射电极,通过透射孔的边缘部分将像素电极与漏极和上存储电极连接;栅焊盘,沿栅线的第一导电层延伸;数据焊盘,由第一导电层形成并通过数据链连接到数据线;液晶层,位于第一和第二基板之间;其中在栅焊盘和数据焊盘中去除了第一和第二绝缘层。

    一种液晶显示器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1707339A

    公开(公告)日:2005-12-14

    申请号:CN200510074818.9

    申请日:2005-06-03

    Inventor: 安炳喆

    CPC classification number: G02F1/1362 G02F1/133555 G02F2001/136231

    Abstract: 本发明提供一种液晶显示器件,包括:第一和第二基板;双层栅线,所述双层包括设在第一基板上的第一透明导电层和第二非透明导电层;位于栅线上的第一绝缘层;与栅线交叉构成象素区的数据线,所述象素区具有透射区和反射区;与栅线和数据线相连接的薄膜晶体管;象素电极,包括设在象素区内的第一导电层和沿着第一导电层的边界设置的第二导电层;与栅线重叠构成存储电容的上存储电极,所述上存储电极与栅线之间设有第一绝缘膜;透射孔,通过贯穿薄膜晶体管上的第一绝缘膜和第二绝缘膜而暴露上存储电极一侧和薄膜晶体管的漏极一侧;反射电极,通过透射孔的边缘区把象素电极的第二导电层与漏极和上存储电极相连;和设在第一和第二基板之间的液晶层。

    水平电场施加型液晶显示器及其制造方法

    公开(公告)号:CN1550857A

    公开(公告)日:2004-12-01

    申请号:CN200410029913.2

    申请日:2004-03-29

    Inventor: 安炳喆 林柄昊

    Abstract: 本发明提供了一种采用水平电场的液晶显示器以及能够减少掩模工艺数量的液晶显示器件制造方法。按照本发明的水平电场施加型液晶显示器包括:薄膜晶体管阵列基板,其包括栅极线,与栅极线平行的公共线,与栅极线和公共线交叉的数据线,在栅极线和数据线的各个交叉点上形成的薄膜晶体管,连接到公共线的公共电极,连接到薄膜晶体管并且和公共电极共同产生水平电场的象素电极,栅极焊盘,数据焊盘,以及钝化薄膜;与薄膜晶体管阵列基板组合的滤色片基板,二者之间填充有液晶材料;以及连接到薄膜晶体管阵列基板上的导电薄膜。

    一种液晶显示器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN100397225C

    公开(公告)日:2008-06-25

    申请号:CN200510074818.9

    申请日:2005-06-03

    Inventor: 安炳喆

    CPC classification number: G02F1/1362 G02F1/133555 G02F2001/136231

    Abstract: 本发明提供一种液晶显示器件,包括:第一和第二基板;双层栅线,双层包括设在第一基板上的第一透明导电层和第二不透明导电层;位于栅线上的第一绝缘层;与栅线交叉构成象素区的数据线,象素区具有透射区和反射区;与栅线和数据线相连接的薄膜晶体管;象素电极,包括设在象素区内的第一透明导电层和沿着第一透明导电层的边界设置的第二不透明导电层;与栅线重叠构成存储电容的上存储电极,上存储电极与栅线之间设有第一绝缘膜;透射孔,通过贯穿薄膜晶体管上的第一绝缘膜和第二绝缘膜而暴露上存储电极一侧和薄膜晶体管的漏极一侧;反射电极,通过透射孔的边缘区把象素电极的第二导电层与漏极和上存储电极相连;和设在第一和第二基板之间的液晶层。

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