公开(公告)号：WO2012048962A3

公开(公告)日：2013-01-10

申请号：PCT/EP2011065477

申请日：2011-09-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  LELL ALFRED ,  NELZ CHRISTOPH ,  RUMBOLZ CHRISTIAN ,  HARTAUER STEFAN

Inventor： LELL ALFRED ,  NELZ CHRISTOPH ,  RUMBOLZ CHRISTIAN ,  HARTAUER STEFAN

IPC: H01S5/223 ,  H01S5/227

CPC classification number: H01S5/2202 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2219 ,  H01S5/222 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/4031 ,  H01S2301/176

Abstract: The invention relates to an edge-emitting semiconductor laser diode (1) comprising an epitactic semiconductor layer stack (2) and a planarization layer (3). The semiconductor layer stack (2) comprises a main body (2a) and a ridge waveguide (2b), wherein the main body (2a) comprises an active layer (2c) for generating electromagnetic radiation. The planarization layer (3) embeds the ridge waveguide (2b) such that a surface (21) of the ridge waveguide (2b) and a surface (22) of the planarization layer (3) form a flat main surface (4). The invention further relates to a method for producing such a semiconductor laser diode (1).

Abstract translation: （2）和平坦化层（3），提供了包含一个半导体外延层堆叠的边缘发射半导体激光二极管（1）。 半导体层堆叠（2）具有基体（2a）和一个脊形波导（2b）中，其特征在于，具有用于产生电磁辐射的有源层（2c）的所述基体（2a）中。 所述平坦化层（3）嵌入的脊形波导（2b）的一个，使得脊形波导（2b）和所述平坦化层（3）的表面（22）的表面（21）具有平坦的主表面（4）的形式。 此外，提供了用于制造这样的半导体激光二极管（1）的方法。

公开(公告)号：WO2009036730A2

公开(公告)日：2009-03-26

申请号：PCT/DE2008001445

申请日：2008-08-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  SCHILLGALIES MARC ,  RUMBOLZ CHRISTIAN ,  EICHLER CHRISTOPH ,  LELL ALFRED ,  AVRAMESCU ADRIAN STEFAN ,  BRUEDERL GEORG ,  STRAUSS UWE

Inventor： SCHILLGALIES MARC ,  RUMBOLZ CHRISTIAN ,  EICHLER CHRISTOPH ,  LELL ALFRED ,  AVRAMESCU ADRIAN STEFAN ,  BRUEDERL GEORG ,  STRAUSS UWE

IPC: H01S5/343 ,  H01L33/06

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: The invention relates to an opto-electronic semiconductor chip, which has a radiation-emitting semiconductor layer sequence (1) with an active zone (120). The active zone comprises a first quantum well layer (3), a second quantum well layer (4), and two end barrier layers (51). The first quantum well layer and the second quantum well layer are disposed between the two end barrier layers. The active zone has a semiconductor material, which comprises at least one first and a second component. The fraction of the first component in the semiconductor material of the two end barrier layers is lower than in the first and second quantum well layers. Compared to the first quantum well layer, the second quantum well layer has either a lower layer thickness and a larger fraction of the first component of the semiconductor material, or a higher or the same layer thickness and a lower fraction of the first component of the semiconductor material.

Abstract translation: 公开了一种光电子半导体芯片，其具有带有有源区（120）的发射辐射的半导体层序列（1）。 有源区包括第一量子阱层（3），第二量子阱层（4）和两个终止势垒层（51）。 第一量子阱层和第二量子阱层设置在两个终止势垒层之间。 有源区包括含有至少第一和第二组分的半导体材料。 两个终止势垒层的半导体材料中第一组分的比例低​​于第一和第二量子阱层中的比例。 与第一量子阱层相比，第二量子阱层具有较小的层厚度和较大比例的半导体材料的第一组分或者较大或相同的层厚度以及较小比例的半导体材料的第一组分。