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    HALBLEITERLICHTQUELLE MIT EINER PRIMÄRSTRAHLUNGSQUELLE UND EINEM LUMINESZENZKONVERSIONSELEMENT
    1.
    发明申请
    HALBLEITERLICHTQUELLE MIT EINER PRIMÄRSTRAHLUNGSQUELLE UND EINEM LUMINESZENZKONVERSIONSELEMENT 审中-公开
    与主辐射源和发光半导体光源

    公开(公告)号：WO2009039827A1

    公开(公告)日：2009-04-02

    申请号：PCT/DE2008/001529

    申请日：2008-09-11

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  OTT, Hubert ,  LELL, Alfred ,  TAUTZ, Sönke ,  STRAUSS, Uwe ,  BAUMANN, Frank ,  PETERSEN, Kirstin

    Inventor： OTT, Hubert ,  LELL, Alfred ,  TAUTZ, Sönke ,  STRAUSS, Uwe ,  BAUMANN, Frank ,  PETERSEN, Kirstin

    IPC: H01L33/00 ,  F21K7/00

    CPC classification number: F21K9/64 ,  F21V9/30 ,  F21Y2115/10 ,  H01L33/507 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60

    Abstract: Es wird eine Halbleiterlichtquelle mit einer Primärstrahlungsquelle (1), welche im Betrieb der Halbleiterlichtquelle elektromagnetische Primärstrahlung (5) in einem ersten Wellenlängenbereich emittiert, und mit einem Lumineszenzkonversionsmodul (2), in welches von der Primärstrahlungsquelle (1) emittierte Primärstrahlung (5) eingekoppelt wird, angegeben. Das Lumineszenzkonversionsmodul (2) enthält ein Lumineszenzkonversionselement (6), welches mittels eines Leuchtstoffs Primärstrahlung (5) aus dem ersten Wellenlängenbereich absorbiert und elektromagnetische Sekundärstrahlung (15) in einem zweiten Wellenlängenbereich emittiert. Das Lumineszenzkonversionselement (6) ist von der Primärstrahlungsquelle (1) beabstandet an einem Kühlkörper (3) angeordnet. Es weist eine Reflektorfläche (7, 71, 72) auf, die durch das Lumineszenzkonversionselement (6) tretende, von diesem nicht absorbierte Primärstrahlung (5) in das Lumineszenzkonversionselement (6) zurückreflektiert und/oder Sekundärstrahlung (15) in Richtung einer Lichtauskoppelfläche (601) des Lumineszenzkonversionselements (6) reflektiert.

    Abstract translation: 它是具有（1）在所述半导体光源的操作发射初级辐射源的半导体光源电磁初级辐射（5）在第一波长范围内，并用一个Lumineszenzkonversionsmodul（1）发射的初级辐射（5）被耦合（2），在其中主辐射源的 表示。 所述Lumineszenzkonversionsmodul（2）包含一个发光转换元件（6），其发射由一个荧光体初级辐射（5）和在第二波长范围内的电磁辐射的二次（15）的装置从所述第一波长范围吸收。 初级辐射源（1）的发光转换元件（6）间隔开，在散热片（3）。 它具有被反射回来通过发光转换元件（6）通过一个反射器表面（7，71，72），从在发光转换元件（6）和/或次级辐射（15）这种非吸收的初级辐射（5）（在光输出表面601的方向 ）发光转换元件（6）的被反射。

    OPTO-ELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP HAVING QUANTUM WELL STRUCTURE
    2.
    发明申请
    OPTO-ELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP HAVING QUANTUM WELL STRUCTURE 审中-公开
    具有量子头结构的光电子半导体芯片

    公开(公告)号：WO2009036730A2

    公开(公告)日：2009-03-26

    申请号：PCT/DE2008001445

    申请日：2008-08-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  SCHILLGALIES MARC ,  RUMBOLZ CHRISTIAN ,  EICHLER CHRISTOPH ,  LELL ALFRED ,  AVRAMESCU ADRIAN STEFAN ,  BRUEDERL GEORG ,  STRAUSS UWE

    Inventor： SCHILLGALIES MARC ,  RUMBOLZ CHRISTIAN ,  EICHLER CHRISTOPH ,  LELL ALFRED ,  AVRAMESCU ADRIAN STEFAN ,  BRUEDERL GEORG ,  STRAUSS UWE

    IPC: H01S5/343 ,  H01L33/06

    CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: The invention relates to an opto-electronic semiconductor chip, which has a radiation-emitting semiconductor layer sequence (1) with an active zone (120). The active zone comprises a first quantum well layer (3), a second quantum well layer (4), and two end barrier layers (51). The first quantum well layer and the second quantum well layer are disposed between the two end barrier layers. The active zone has a semiconductor material, which comprises at least one first and a second component. The fraction of the first component in the semiconductor material of the two end barrier layers is lower than in the first and second quantum well layers. Compared to the first quantum well layer, the second quantum well layer has either a lower layer thickness and a larger fraction of the first component of the semiconductor material, or a higher or the same layer thickness and a lower fraction of the first component of the semiconductor material.

    Abstract translation: 公开了一种光电子半导体芯片，其具有带有有源区（120）的发射辐射的半导体层序列（1）。 有源区包括第一量子阱层（3），第二量子阱层（4）和两个终止势垒层（51）。 第一量子阱层和第二量子阱层设置在两个终止势垒层之间。 有源区包括含有至少第一和第二组分的半导体材料。 两个终止势垒层的半导体材料中第一组分的比例低​​于第一和第二量子阱层中的比例。 与第一量子阱层相比，第二量子阱层具有较小的层厚度和较大比例的半导体材料的第一组分或者较大或相同的层厚度以及较小比例的半导体材料的第一组分。

    HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERCHIPS
    3.
    发明申请
    HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERCHIPS 审中-公开
    半导体芯片和一种用于生产半导体芯片

    公开(公告)号：WO2008089739A1

    公开(公告)日：2008-07-31

    申请号：PCT/DE2008/000123

    申请日：2008-01-23

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  EICHLER, Christoph ,  STRAUSS, Uwe ,  AVRAMESCU, Adrian Stefan

    Inventor： EICHLER, Christoph ,  STRAUSS, Uwe ,  AVRAMESCU, Adrian Stefan

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L21/28575 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L2933/0083

    Abstract: Es wird ein Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Halbleiterkörper mit einer Halbleiterschichtenfolge (10), die einen aktiven Bereich (12) und eine p-leitende Halbleiterschicht (11) aufweist, umfasst. Der aktive Bereich (12) basiert vorzugsweise auf einem Verbindungshalbleiter und ist weiterhin bevorzugt zur Erzeugung von Strahlung vorgesehen. Auf einer dem aktiven Bereich (12) abgewandten Seite der p-leitenden Halbleiterschicht (11) ist ein nichtmetallischer Anschlussbereich (2) angeordnet, der elektrisch leitend mit der p-leitenden Halbleiterschicht (11) verbunden ist. Der nichtmetallische Anschlussbereich (2) ist für Wasserstoff durchlässig ausgebildet. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips angegeben.

    Abstract translation: 本发明公开了包含具有具有有源区（12）和p型半导体层（11）包括的半导体层序列（10）的半导体主体的半导体芯片（1）。 有源区域（12）优选地是基于一种化合物半导体，并且进一步优选地提供用于产生辐射。 上的有源区域（12）背离所述p型半导体层远离侧（11）设置一个非金属连接区域（2），其导电地连接到所述p型半导体层（11）。 非金属连接区域（2）被设计地使氢透过。 此外，被指定用于制造半导体芯片的方法。

    OPTISCHES PROJEKTIONSGERÄT
    4.
    发明申请
    OPTISCHES PROJEKTIONSGERÄT 审中-公开
    光学投影仪

    公开(公告)号：WO2008040308A1

    公开(公告)日：2008-04-10

    申请号：PCT/DE2007/001715

    申请日：2007-09-21

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  GRÖTSCH, Stefan ,  BOGNER, Georg ,  KUHN, Gerhard ,  STRAUSS, Uwe

    Inventor： GRÖTSCH, Stefan ,  BOGNER, Georg ,  KUHN, Gerhard ,  STRAUSS, Uwe

    IPC: H04N9/31 ,  H01L27/15

    CPC classification number: H04N9/3152 ,  G02B6/0073 ,  G02B6/4298

    Abstract: Es wird ein optisches Projektionsgerät angegeben, mit: einer Lichtquelle (1) umfassend zumindest zwei Leuchtdiodenchips (20), wobei die Lichtquelle (1) eine Leuchtfläche (22) aufweist, die sich aus den Strahlungsaustrittsflächen (2) der im Betrieb der Lichtquelle (1) bestromten Leuchtdiodenchips (20) der Lichtquelle (1) und den optischen Abständen (D1, D2) zwischen den Strahlungsaustrittsflächen (2) der bestromten Leuchtdiodenchips (20) zusammensetzt und bei der die Leuchtfläche (22) ein erstes Seitenverhältnis aus der Länge (L1) der Leuchtfläche (22) zur Breite (B1) der Leuchtfläche (22) aufweist, wobei: das Projektionsgerät zur Darstellung eines Bildes (200) mit einem zweiten Seitenverhältnis aus der Länge (L2) des Bildes zur Breite (B2) des Bildes vorgesehen ist, und das erste (L1: B1) und das zweite Seitenverhältnis (L2: B2) aneinander angepasst sind.

    Abstract translation: 本发明提供一种投影光学设备，包括：从辐射出射表面延伸的光源（1），包括至少两个发光二极管芯片（20），其中所述光源（1）具有一个发光表面（22）（2）的（光源1的操作过程中 ）通电光源构成的发光二极管芯片（20）（1）和辐射出射表面之间的光学距离（D1，D2）（2）通电的发光二极管芯片（20）和在其中的发光表面（22），具有第一纵横比（长度L1）的 具有发光表面（22）到所述发光表面的宽度（22），（B1），其特征在于：提供了一种用于显示具有所述图像的长度（L2）的第二高宽比的图像（200）的图像的宽度（B2）的投影仪装置， 和第一（L1：B1）和所述第二纵横比（L2：B2）被匹配到彼此。

    VERBUNDSUBSTRAT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES VERBUNDSUBSTRATS
    7.
    发明申请
    VERBUNDSUBSTRAT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES VERBUNDSUBSTRATS 审中-公开
    复合基板及其制造方法的复合基板

    公开(公告)号：WO2007121735A2

    公开(公告)日：2007-11-01

    申请号：PCT/DE2007/000725

    申请日：2007-04-20

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HÄRLE, Volker ,  STRAUSS, Uwe ,  BRÜDERL, Georg ,  EICHLER, Christoph ,  AVRAMESCU, Adrian

    Inventor： HÄRLE, Volker ,  STRAUSS, Uwe ,  BRÜDERL, Georg ,  EICHLER, Christoph ,  AVRAMESCU, Adrian

    IPC: H01L21/18 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L31/0248

    CPC classification number: H01L31/184 ,  H01L21/76254 ,  H01L31/1852 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  Y02E10/544

    Abstract: Es wird ein Verbundsubstrat (1) mit einem Substratkörper (2) und einer auf dem Substratkörper (2) befestigten Nutzschicht (31) angegeben, wobei zwischen der Nutzschicht (31) und dem Substratkörper (2) eine Planarisierungsschicht (4) angeordnet ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Verbundsubstrats (1) angegeben, bei dem auf einem bereitgestellten Nutzsubstrat (3) eine Planarisierungsschicht (4) aufgebracht wird. Das Nutzsubstrat (3) wird auf einem Substratkörper (2) für das Verbundsubstrat (1) befestigt. Nachfolgend wird das Nutzsubstrat (3) abgetrennt, wobei eine Nutzschicht (31) des Nutzsubstrats (3) für das Verbundsubstrat (1) auf dem Substratkörper (2) verbleibt.

    Abstract translation: 本发明提供一种复合衬底（1），具有基板主体（2）和一个在基板主体（2）固定到穿层（31），其中，所述耐磨层（31）和所述基板主体（2）之间被布置在平坦化层上（4）。 此外，在其中设置（3）提供的平坦化层（4）施加一个有用的基片上制造的复合基板（1）的方法。 有用的基片（3）被用于复合基板安装在基板主体（2）（1）。 随后，将有用的衬底（3）分离出，其中，对于所述基板主体上的复合衬底（1）有用的衬底（3）的耐磨层（31）保持（2）。

    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
    8.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
    光电子半导体芯片

    公开(公告)号：WO2007085218A1

    公开(公告)日：2007-08-02

    申请号：PCT/DE2006/002293

    申请日：2006-12-20

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  FEHRER, Michael ,  STRAUSS, Uwe

    Inventor： FEHRER, Michael ,  STRAUSS, Uwe

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2), die einen zur Strahlungserzeugung geeigneten aktiven Bereich (3) umfasst und eine laterale Haupterstreckungsrichtung aufweist, angegeben, wobei die Halbleiterschichtenfolge auf einem Substrat (4) angeordnet ist, das eine Seitenfläche (17) aufweist, die Seitenfläche einen bezüglich der Haupterstreckungsrichtung angeschrägten Seitenflächenbereich (18) und/oder eine Ausnehmung (21) aufweist, und der Halbleiterchip eine strahlungsdurchlässige und elektrisch leitfähige Kontaktschicht (5) aufweist.

    Abstract translation: 它是具有半导体层序列（2）的光电子半导体芯片（1），包括适合于产生辐射有源区（3）和具有延伸部的横主方向上的容器中，所指出的，其中该半导体层序列被布置在基板（4）（一侧表面上 17），所述侧表面具有相对于所述锥形侧表面部分（18）和/或凹槽（21），和半导体芯片，辐射透射的主延伸方向和导电接触层（5）。

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